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《燒結(jié)溫度對pvt制備定向多孔碳化硅陶瓷組織和性能的影響》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、燒結(jié)溫度對PVT制備定向多孔碳化硅陶瓷組織和性能的影響#劉波波，楊建鋒**51015202530（金屬材料強度國家重點實驗室，西安交通大學，西安，710049）摘要：對于碳化硅高溫再結(jié)晶工藝獲得的定向多孔碳化硅陶瓷，研究了燒結(jié)溫度對材料組織結(jié)構(gòu)和性能影響。結(jié)果表明在低于2050℃的溫度燒結(jié)時，獲得的多孔陶瓷為近似各向同性的均勻多孔結(jié)構(gòu)。燒結(jié)溫度超過2150℃時，定向多孔碳化硅陶瓷開始形成，隨著溫度的增加燒失率增加，軸向彎曲強度大于徑向彎曲強度，徑向強度值先稍微增加后下降。在0.3-0.5×1
2、05Pa的Ar氣氛、燒結(jié)溫度2300℃和時間2小時的條件下，對自由堆積松散成型的碳化硅樣品進行燒結(jié)，可獲得氣孔形態(tài)和晶粒取向沿軸向定向排列的多孔碳化硅陶瓷，其氣孔率高達63.2%，軸向與徑向的強度比為5.34-5.69。關(guān)鍵詞：碳化硅；多孔陶瓷；高溫再結(jié)晶中圖分類號：V254.2EffectsofSinteringTemperatureonPreparationofDirectionalPorousSiliconCarbideCeramicMicrostructuresandProperties
3、viaPVTLIUBobo,YANGJianfeng(StateKeyLaboratoryforMechanicalBehaviorofMaterials,Xi’anJiaotongUniversity,Xi’an,710049)Abstract:ForthedirectionalSiCporousceramicsobtainedbythehigh-temperaturerecrystallizationprocess,effectsoffiringtemperatureonthemicrost
4、ructureandmechanicalpropertieswereinvestigated.TheresultsshowedthattheporousSiCceramicsporousceramicsobtainedwastheapproximateisotropichomogeneousporousstructurewhenthefiringtemperaturewasbelow2050℃,.Whenthetemperatureexceeded2150℃,theformationoforie
5、ntationofporoussiliconcarbidebegan,andasthetemperatureincreased,theweightlossincreased,andtheaxialbendingstrengthbecamehigherthantheradialvalue,whichwasslightlyincreasedfollowedbydecrease.WithconditionofanAratmosphereof0.3-0.5×105Pa,thesinteringtempe
6、ratureof2300℃andsoakingtimeof2hours,thelooselypackedsiliconcarbidesamplesweresinteredandorientedporoussiliconcarbideceramicswithaxiallyalignedporeandgrainwereobtained.Theporosityreachedto63.2%,andtheratioofaxialandradialstrengthwas5.34-5.69.Keywords:
7、SiC;Porousceramics;Hightemperaturerecrystallization350引言定向多孔SiC陶瓷是氣孔具有定向分布的一類多孔SiC陶瓷，特殊的組織結(jié)構(gòu)決定了其在高溫和低溫流體過濾、催化劑載體和復(fù)合材料等方面具有廣闊的應(yīng)用前景，得到了廣泛的關(guān)注[1-3]。傳統(tǒng)的多孔SiC陶瓷制備方法，包括氧化粘結(jié)法、燃燒合成法、聚碳硅烷轉(zhuǎn)化法、40碳熱反應(yīng)、化學氣相浸漬與反應(yīng)、溶膠凝膠/碳熱還原和液Si滲入法等[4-6]都不足以制備出具有氣孔定向分布的結(jié)構(gòu)，另一方面大量添加劑的
8、使用也極大限制了SiC材質(zhì)性能的發(fā)揮，也基金項目：國家教育部博士點專項基金（項目編號：20100201110036），國家自然科學基金（項目編號：51272205,51072157）作者簡介：劉波波（1983-），男，博士生，主要研究方向：PVT制備高致密SiC的研究通信聯(lián)系人：1965-，男，教授，博士生導(dǎo)師，主要研究方向：氮化硅多孔陶瓷.E-mail:yang155@mail.xjtu.edu.cn-1-限制了材料的使用前景。高溫再結(jié)晶燒結(jié)制備多孔碳化硅主要依靠碳化硅的高溫分解蒸發(fā)和在低蒸
