自持放電條件流注放電

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1、第三節(jié)自持放電條件－流注放電流注的形成過程流注的條件前面湯遜放電理論所討論的是低氣壓、短氣隙的情況，但在高氣壓（101.3kPa或更高）、長氣隙的情況[pd>>26.66kPa(200mmHgcm]，湯遜理論將不適用。以自然界的雷電為例，它發(fā)生在兩塊雷云之間或雷云與大地之間，這時(shí)不存在金屬陰極，因而與陰極上的過程和二次電子發(fā)射根本無關(guān)。氣體放電流注理論以實(shí)驗(yàn)為基礎(chǔ)，它考慮了高氣壓、長氣隙情況下不容忽視的若干因素對氣體放電的影響，主要有以下兩方面：空間電荷對原有電場的影響空間光電離的作用(一)空間電荷對

2、原有電場的影響如圖所示：電子崩頭部聚集大部分正離子和全部電子，產(chǎn)生了電場畸變；在電場很小的區(qū)域，電子和離子濃度最大，有利于完成復(fù)合；強(qiáng)烈的復(fù)合輻射出許多光子，成為引發(fā)新的空間光電離輻射源。（二）空間光電離的作用湯遜理論沒有考慮放電本身所引發(fā)的空間光電離現(xiàn)象，而這一因素在高氣壓、長氣隙的擊穿過程中起著重要的作用。考慮初始電子崩頭部成為輻射源，會向氣隙空間各處發(fā)射光子而引起光電離。如圖所示：如果這時(shí)產(chǎn)生的光子位于崩頭前方和崩尾附近的強(qiáng)場強(qiáng)區(qū)，則造成的二次電子崩將以更大的電離強(qiáng)度向陽極發(fā)展或匯入崩尾的正離子

3、群中。這些電離強(qiáng)度和發(fā)展速度遠(yuǎn)大于初始電子崩的二次電子崩不斷匯入初崩通道的過程稱為流注。流注條件流注的特點(diǎn)是電離強(qiáng)度很大和傳播速度很快，出現(xiàn)流注后，放電便獲得獨(dú)立繼續(xù)發(fā)展的能力，而不再依賴外界電離因子的作用，可見這時(shí)出現(xiàn)流注的條件也就是自持放電的條件。流注時(shí)初崩頭部的空間電荷必須達(dá)到某一個(gè)臨界值。對均勻電場來說，自持放電條件為：實(shí)驗(yàn)研究所得出的常數(shù)值為：可見初崩頭部的電子數(shù)要達(dá)到108時(shí)，放電才能轉(zhuǎn)為自持，出現(xiàn)流注。小結(jié)流注理論考慮了以下因素空間電荷對原有電場的影響空間光電離的作用流注理論適用于高氣壓

4、、長氣隙下的放電