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1、2007-06-2018:36Backlight:背光。CCFL(CCFT)(ColdCathodeFluorescentLight/Tube):冷陰極熒光燈。Compositevide復合視頻。Componentvide分量視頻。COB(ChipOnBoard):IC裸片通過邦定固定于印刷線路板上。COF(ChipOnFilm):將IC封裝于柔性線路板上。COG(ChipOnGlass):將IC封裝于玻璃上。CRT(CathodeRadialTube):陰極射線管。DPI(DotPerInch):點每英寸。Duty:占空比，高出點亮的閥值電壓的部分在一個
2、周期中所占的比率。DVI(DigitalVisualInterface):（VGA）數(shù)字接口。ECB(ElectricallyControlledBirefringence):電控雙折射。EL(Electroluminescence):電致發(fā)光。EL層由高分子量薄片構(gòu)成FSTN(FormulatedSTN):薄膜補償型STN,用于黑白顯示。HTN(HighTwistedNematic):高扭曲向列的顯示類型。IC(IntegrateCircuit):集成電路。Inverter:逆變器。ITO(Indium-TinOxide):氧化銦錫。LCD(Liquid
3、CrystalDisplay):液晶顯示器。LCM(LiquidCrystalModule):液晶模塊。LED(LightEmittingDiode):發(fā)光二極管。LVDS(LowVoltageDifferentialSignaling):低壓差分信號。NTSC(NationalTelevisionSystemsCommittee):NTSC制式,全國電視系統(tǒng)委員會制式OSD(OnScreenDisplay):在屏上顯示。PAL(PhaseAlternatingLine)AL制式(逐行倒相制式)。PCB(PrintCircuitBoard):印刷線路板。P
4、DP(PlasmaDisplayPanel):等離子體顯示。SECAM(SEquentialCouleurAvecMemoire):SECAM制式(順序與存儲彩色電視系統(tǒng))STN(SupperTwistedNematic):超扭曲向列的顯示類型。S-videS端子，與復合視頻信號比，將對比和顏色分離傳輸。TAB(TapeAutomatedBonding):柔性帶自動連接。TCP(TapeCarrierPackage):柔性線路板。TFT(ThinFilmTransistor):薄膜晶體管顯示類型。TMDS(TransitionMinimizedDiffer
5、entialSignaling)TN(TwistedNematic):扭曲向列的顯示類型。VFD(VacuumFluorescenceDisplay):真空熒光顯示。VGA(VideoGraphicArray):視頻圖形陣列。VOD(VideoOnDemand):視頻點播。2007-06-2018:37有效顯示區(qū)域(ActiveArea)LCDPanel的有效顯示區(qū)域，即可顯示文字圖形的總面積，參考下圖，白色區(qū)域即此片Panel的有效顯示區(qū)域。開口率(ApertureRatio)開口率即是每個畫素可透光的有效區(qū)域除以畫素的總面積，開口率越高，整體畫面越亮。
6、畫面比率(AspectRatio)AspectRatio為畫面寬與高之比率。計算機畫面及一般影像畫面比率為4:3HDTV則可提供16:9的寬平面屏幕畫面。B/M(BlackMatrix):于ColorFilter上，用來遮住R、G、B各Pixel間之空隙，可大幅減少LCD光點間彼此干擾所產(chǎn)生的光害，呈現(xiàn)更穩(wěn)定且清晰的影像品質(zhì)，提升了閱讀上的舒適度，同時也減輕了長期使用所造成的眼部壓力及疲累感。CCFL(冷陰極射線管)ColdCathodeFluorescentLamp將高壓施加于燈管之兩電極,電子即由電極端射出,電子因受高電壓加速而與管內(nèi)之水銀原子撞擊,水
7、銀原子在被撞擊后由不穩(wěn)定狀態(tài)急速返回穩(wěn)定狀態(tài)時,會將過剩能量以紫外線(253.7nm)釋放出來,此釋放出來之紫外線由螢光粉吸收轉(zhuǎn)換成可視光.C/F(彩色濾光片)(ColorFilter):彩色濾光片上有排列整齊之RGB(三原色)畫素，射入的光可經(jīng)由濾光片轉(zhuǎn)變混合成各種顏色。LTPS〈低溫多晶硅〉LTPS(LowTemperaturePolySilicon)低溫多晶硅，就是在攝氏600oC或更低的溫度下經(jīng)過雷射回火(Laseranneal)的制程步驟所生產(chǎn)的多晶硅，具有高開口率、可內(nèi)建驅(qū)動IC等外圍電路于玻璃基板上、TFT反應(yīng)速度更快且面積縮小、接點數(shù)及零件
8、數(shù)減少、系統(tǒng)設(shè)計簡單化，面板可*度提升，以及降低材料成本等優(yōu)點。L
