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《臺(tái)積電7nm量產(chǎn)情況與量產(chǎn)時(shí)間.doc》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、臺(tái)積電7nm量產(chǎn)情況與量產(chǎn)時(shí)間 近些年來(lái)芯片制程的進(jìn)化速度簡(jiǎn)直超出想象,在三星推出10nm制程后,臺(tái)積電也不甘示弱。消息顯示,今年第二季度首款采用7nmFinFET制程的芯片原型產(chǎn)品就將正式下線(即完成設(shè)計(jì)的最后步驟,送交制造)。而這款芯片的大規(guī)模量產(chǎn)將于2018年年初開(kāi)始,未來(lái)將會(huì)成為iPhone和iPad背后的超級(jí)大腦(A12芯片)?! ∨_(tái)積電7nm量產(chǎn)情況與量產(chǎn)時(shí)間 近些年來(lái)芯片制程的進(jìn)化速度簡(jiǎn)直超出想象,在三星推出10nm制程后,臺(tái)積電也不甘示弱。消息顯示,今年第二季度首款采用7nmFinFET制程的芯片原型產(chǎn)品就將正式下線(
2、即完成設(shè)計(jì)的最后步驟,送交制造)。而這款芯片的大規(guī)模量產(chǎn)將于2018年年初開(kāi)始,未來(lái)將會(huì)成為iPhone和iPad背后的超級(jí)大腦(A12芯片)。 臺(tái)積電7nm量產(chǎn)情況與量產(chǎn)時(shí)間 近些年來(lái)芯片制程的進(jìn)化速度簡(jiǎn)直超出想象,在三星推出10nm制程后,臺(tái)積電也不甘示弱。消息顯示,今年第二季度首款采用7nmFinFET制程的芯片原型產(chǎn)品就將正式下線(即完成設(shè)計(jì)的最后步驟,送交制造)。而這款芯片的大規(guī)模量產(chǎn)將于2018年年初開(kāi)始,未來(lái)將會(huì)成為iPhone和iPad背后的超級(jí)大腦(A12芯片)。 臺(tái)積電7nm年初就量產(chǎn) 在14/16nm工藝
3、上落后于三星著實(shí)讓臺(tái)積電吃了悶虧,雖然三星的14nm工藝并沒(méi)有臺(tái)積電的16nmFF+工藝強(qiáng)悍,但半年的時(shí)間領(lǐng)先已經(jīng)足夠讓三星去游說(shuō)很多客戶了。好在蘋(píng)果的A9芯片沒(méi)有給臺(tái)積電丟臉,從各種續(xù)航測(cè)試來(lái)看的確將三星甩在身后。過(guò)去半年一直被壓著打的臺(tái)積電總算是翻身吐氣了,為了不重蹈覆轍,臺(tái)積電似乎要加速推送7nm工藝量產(chǎn)?! ∵^(guò)去以及未來(lái)幾年,臺(tái)積電、三星都在新工藝上開(kāi)足了馬力,幾乎一年一個(gè)樣,比如三星就要連續(xù)推出8/7/6/5/4nm工藝?! ∨_(tái)積電也不甘示弱,聯(lián)合CEO魏哲家(CCWei)今天就公開(kāi)表示,臺(tái)積電將在2018年量產(chǎn)7nm,而且一年
4、后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm?! UV技術(shù)是半導(dǎo)體領(lǐng)域多年來(lái)一直夢(mèng)寐以求的里程碑式技術(shù),如果達(dá)成可以大大向前推進(jìn)摩爾定律,并大幅度提高產(chǎn)能,但該技術(shù)過(guò)于復(fù)雜,一再推遲,就連Intel也始終搞不定。 三星計(jì)劃在7nm工藝上首次使用EUV,時(shí)間點(diǎn)不詳,估計(jì)最快也得2019年,理論上和臺(tái)積電差不多?! ∥赫芗冶硎?,臺(tái)積電的制造工藝主要面向移動(dòng)、高性能計(jì)算、汽車、IoT物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域,其中現(xiàn)在的10nm主要針對(duì)移動(dòng)設(shè)備?! ?nm工藝則可以同時(shí)適用于移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算和汽車領(lǐng)域,目前已有12款移動(dòng)芯片完成流片,適合汽車設(shè)備的
5、版本會(huì)在明年達(dá)到AEC-Q100(Grade0)標(biāo)準(zhǔn),面向高性能計(jì)算的版本也即將定型。——據(jù)說(shuō),AMD、NVIDIA都會(huì)使用臺(tái)積電7nm。 繼續(xù)往前,臺(tái)積電的5nm則主打移動(dòng)設(shè)備和高性能計(jì)算,以及2019年試產(chǎn)?! ∨_(tái)積電7nm性能功耗更?! 』?0nm制程工藝的驍龍835處理器作為高通當(dāng)前的明星SoC,已經(jīng)有三星S8和小米6兩款旗艦機(jī)加持并發(fā)布,而且其屁股后面還有像HTCU、一加5、樂(lè)視、努比亞Z17等機(jī)型在排隊(duì)等著使用?! ?duì)于其產(chǎn)能問(wèn)題,臺(tái)積電董事長(zhǎng)張仲謀表示在今年Q1已經(jīng)開(kāi)始全面出貨10nm的相關(guān)產(chǎn)品,鑒于此,筆者覺(jué)得有關(guān)
6、驍龍835產(chǎn)能緊張的問(wèn)題將會(huì)逐步得到解決?! ‰m說(shuō)10nm制程工藝的良品率依然還在改善中,但現(xiàn)在比其更先進(jìn)的7nm制程工藝就華麗麗的曝光了?! 「鶕?jù)晶圓代工廠龍頭老大臺(tái)積電的最新信息顯示,他們正在積極沖刺更先進(jìn)的制程技術(shù),其中7納米制程已于今年4月開(kāi)始試產(chǎn),并且于今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。而5納米制程預(yù)計(jì)2019年上半年試產(chǎn),2020年大規(guī)模量產(chǎn)?! ∑鋵?shí),這之前,在4月25日的臺(tái)積電公布的一份致股東的報(bào)告書(shū)中就顯示,7nm制程工藝將在2017年的4月份正式開(kāi)始試產(chǎn)工作,而且良品率也有著非常迅速的改善?! ?jù)筆者了解,基于10nm制程工藝的
7、驍龍835,在集成了超過(guò)30億個(gè)晶體管的情況下,體積比基于14nm制程工藝的驍龍820還要小了35%,整體功耗降低了40%,性能卻大漲27%。 但相較于10nm來(lái)說(shuō),7nm速度增快約25%,功耗也降低約35%,是一款全面升級(jí)的芯片,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),不管是性能還是功耗將會(huì)比之前有著更進(jìn)一步的提升?! ∨_(tái)積電7nm獨(dú)得今年蘋(píng)果A12代工訂單 臺(tái)積電在蘋(píng)果等大客戶對(duì)7奈米制程需求強(qiáng)勁下,積極沖刺明年度7奈米量產(chǎn)腳步,預(yù)料將帶動(dòng)臺(tái)積電新一波成長(zhǎng)動(dòng)能。供應(yīng)鏈消息傳出,由于臺(tái)積電7奈米技術(shù)獨(dú)步同業(yè),蓄勢(shì)待發(fā),明年動(dòng)能看俏。臺(tái)積電預(yù)定本周四(7日)舉行供
8、應(yīng)鏈管理論壇,是臺(tái)積電罕見(jiàn)在一年內(nèi)連續(xù)舉行二次供應(yīng)鏈管理論壇活動(dòng),凸顯臺(tái)積電在30周年慶,對(duì)供應(yīng)鏈合作伙伴的重視。這次的供應(yīng)鏈管理論壇,仍由共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音擔(dān)綱進(jìn)行專題演說(shuō),預(yù)料除宣布沖刺7奈