晶態(tài)材料的制備(共4篇)

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃晶態(tài)材料的制備(共4篇)　　第一章　　1單晶體主要特性及應(yīng)用領(lǐng)域：單晶生長方法的分類？　　單晶體經(jīng)常表現(xiàn)出電、磁、光、熱等方面的優(yōu)異性能　　廣泛現(xiàn)代工業(yè)的諸多領(lǐng)域，如單晶硅，加工業(yè)所需的金剛石，精密儀表和鐘表工業(yè)需要的紅寶石做軸承?！　∩L方法：氣相生長，溶液生長，熔體生長，固相生長?！　?什么是氣液固生長的基本過程：SiO21713℃四方1478℃正交870℃六方α-SiO2）　　關(guān)鍵設(shè)備：特制的高壓釜　

2、　優(yōu)點(diǎn)：生長低溫固相單晶：高粘度材料，高蒸汽壓材料，晶體形狀完美，熱應(yīng)力小，宏觀缺陷少等。　　缺點(diǎn)：需要特定的高壓釜和保護(hù)措施，需適當(dāng)大小優(yōu)質(zhì)籽晶。生長過程不能觀察，生長速率慢時(shí)間長4熔體的生長法有哪些？它們依據(jù)的原理，適用范圍，優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用？　　熔體生長發(fā)：正常凝固法：①晶體提拉法②坩堝移動(dòng)法③泡生法④弧熔法　　逐區(qū)熔化法：①水平區(qū)熔法②垂直曲熔法③基座法④焰熔法凝固法基本原理：將晶體物質(zhì)加熱到熔點(diǎn)以上熔化，然后再一點(diǎn)溫度梯下進(jìn)行冷卻，用各種方式緩慢移動(dòng)固液界面，使熔體逐漸凝固成晶體。目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行

3、業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　凝固法適用范圍：現(xiàn)代電子和光電子技術(shù)應(yīng)用中所需的單晶材料，如：硅，砷化鎵晶體提拉法的生長過程：原料在坩堝中加熱融化：坩堝上有一根可旋轉(zhuǎn)和升降并通水冷卻的提拉桿，桿的下端有一個(gè)夾頭，其上裝有一個(gè)籽晶，降低提拉桿，使籽晶插入熔體中，只要熔體溫度適中，籽晶既不融化也不長大，緩慢向上提拉和轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶桿，同時(shí)緩慢降低加熱

4、功率，籽晶逐漸長粗，小心調(diào)整加熱功率就能得到所需直徑的晶體?！　【w提拉法優(yōu)點(diǎn)：生長速率快，晶體純度高，晶體完整性好等?！　【w提拉法缺點(diǎn)：一般要用坩堝做熔器，導(dǎo)致熔體不同程度上的污染。當(dāng)熔體中含有易揮發(fā)物時(shí)，則存在控制組分的困難，適用范圍有一定的限制?！　【w提拉法適用：沒有破壞性相變，又有較低的蒸汽壓或離解壓的同成分熔化的化合物或純元素是熔體生長的理想材料，可獲得高質(zhì)量的單晶體。目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公

5、司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　坩堝移動(dòng)法優(yōu)點(diǎn)：1.可把原料密封在坩堝里，減少會(huì)發(fā)造成的泄露和污染，使晶體成分易控制2.操作簡單，可生長大尺寸的晶體，易實(shí)現(xiàn)程序化生長3.可同時(shí)多塊生長，工作效率高坩堝移動(dòng)法缺點(diǎn)：1.不適合生長冷卻時(shí)體積增大的材料。2.晶體生長過程中直接與坩堝接觸，在晶體中引入較大的內(nèi)應(yīng)力和較多雜質(zhì)3.若該法中采用籽晶法，既要保證籽晶在高溫區(qū)不　　完全熔融，又部分熔融以進(jìn)行完全生長，不好控制4.生長過程難于觀察，生長周期也較長坩

6、堝移動(dòng)法適用：生長堿金屬和堿土金屬的鹵族化合物，如CaF2?！　≯釄逡苿?dòng)發(fā)主要設(shè)備：特定結(jié)構(gòu)的坩堝熱；梯度單晶爐　　逐區(qū)熔化法基本原理：熔區(qū)被限制在一段狹窄范圍內(nèi)，熔區(qū)向多晶原料方向移動(dòng)，生長是靠晶體生長和多晶材料的消耗來實(shí)現(xiàn)的。　　水平區(qū)熔法的優(yōu)點(diǎn)：減少坩堝對熔體的污染，降低了加熱功率，且可反復(fù)進(jìn)行，提高了晶體純度或使摻雜均勻。　　垂直區(qū)熔法的優(yōu)點(diǎn)：不需要坩堝，可減少坩堝造成的污染。應(yīng)用;常用于生產(chǎn)半導(dǎo)體材料：如集成電路用的高純而完整的硅單晶。　　第二章：　　1.非晶態(tài)材料的分類與特性：　　分類：1、非晶態(tài)合金2、

7、非晶態(tài)半導(dǎo)體3、非晶態(tài)超導(dǎo)體4、非晶態(tài)高分子材料。特征：1、高強(qiáng)度、高韌性2、抗腐蝕性3、軟磁性4、超導(dǎo)電性?！　?何為非晶態(tài)？微觀結(jié)構(gòu)特征是什么？目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　答：非晶態(tài)定義：傳統(tǒng)定義指不同方法獲得的以結(jié)構(gòu)無序?yàn)橹饕卣鞯墓腆w物質(zhì)狀態(tài)。一般認(rèn)為：組成物質(zhì)的原子分子的空間排列不是周期性平移對稱

8、性，晶態(tài)的長程有序受到破壞，只有由于原子間的相互關(guān)聯(lián)作用，使其在幾個(gè)原子間的小區(qū)間內(nèi)任然保持形貌和組分的某些有序特征而具有短程有序，這類特殊物質(zhì)狀態(tài)統(tǒng)稱為非晶態(tài)。　　微觀結(jié)構(gòu)特征：1、只有小區(qū)間內(nèi)的短程有序2、衍射試樣上沒有表征結(jié)晶態(tài)的任何斑點(diǎn)和條紋，電鏡看不到晶粒、晶界、晶格缺陷等形成的衍射反差?！　?試述非晶固體的形成條件？　　答：1、晶核