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《cbd法制備大面積cds薄膜及光伏應(yīng)用》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、分類號：密級：天津理工大學(xué)研究生學(xué)位論文CBD法制備大面積CdS薄膜及光伏應(yīng)用（申請碩士學(xué)位）學(xué)科專業(yè)：物理電子學(xué)研究方向：半導(dǎo)體薄膜材料與器件作者姓名：尹富紅指導(dǎo)教師：王志勇薛玉明2014年12月iThesisSubmittedtoTianjinUniversityofTechnologyfortheMaster’sDegreePreparationofLargeScaleCdSThinFilmsbyCBDforSolarCellsByYinFuhongSupervisorProf.WangZhiyong,Xueyu
2、mingDecember2014ii獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特別加以標注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得天津理工大學(xué)或其他教育機構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。學(xué)位論文作者簽名：簽字日期：年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解天津理工大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定。特授權(quán)天津理工大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)
3、數(shù)據(jù)庫進行檢索，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編，以供查閱和借閱。同意學(xué)校向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)本和電子文件。（保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)說明）學(xué)位論文作者簽名：導(dǎo)師簽名：簽字日期：年月日簽字日期：年月日iii摘要硫化鎘在薄膜太陽電池中應(yīng)用廣泛。無論在CIGS（I–III–V材料）還是CdTe(II–VI材料），或者CZTS薄膜材料體系電池中，CdS都是非常關(guān)鍵的一層。在CdTe電池中CdS作為n型半導(dǎo)體材料，在CIGS薄膜太陽電池中CdS作為緩沖層介于CIGS和ZnO之間的關(guān)鍵層，一方面作為
4、n型半導(dǎo)體材料，另一方面可以調(diào)節(jié)CIGS和ZnO帶隙梯度。為了制備透明的和高電阻率的CdS薄膜，研制出很多種方法制備獲得。如化學(xué)氣相沉積（CVD），電鍍，射頻磁控濺射，化學(xué)水浴法。而制備無針孔的CdS薄膜一般使用CBD法，其價格低廉且所制備的薄膜與CIGS晶格失配較小。在用CBD法制備CdS薄膜有使用緩沖劑的低氨的方法，也有不使用緩沖劑的高氨的方法。本文采用化學(xué)水浴法制備10cm×10cm大面積CdS薄膜。調(diào)整合適的工藝參數(shù)為達到節(jié)約資源，提高沉積速率，制備透過率高均勻性好的CdS薄膜，并且在光伏器件中作為緩沖層使用。
5、其反應(yīng)包含兩個部分即孤立離子之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)即異質(zhì)成核和反應(yīng)生成的分子團聚集過程即同質(zhì)成核。這兩部分反應(yīng)是競爭反應(yīng)，而異質(zhì)成核所制備的薄膜透過率和附著性都是比同質(zhì)反應(yīng)要好的，所以需要調(diào)整合適工藝參數(shù)使得薄膜生長大部分處于異質(zhì)生長成膜。本文通過一些正交實驗在不同的溫度條件下調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速和藥品計量比來滿足該需求。關(guān)鍵詞：薄膜太陽電池CdSCBD緩沖層iAbstractAbstractCdSthinfilmiswidelyusedinsolarcell.ItisusedasbufferlayerinCIGSandCZTSso
6、larcells.CdSisusedasann-typesemiconductorinCdTesolarcell,aswellasitisusedinCIGSsolarcellasbufferlayer,thefunctionistomodifybandgapgradientbetweentheCIGSandZnO.InordertoprepareproperCdSthinfilmwithhightransmittanceandhighresistance,someprocesseshasbeenused,likech
7、emicalvapordeposition,electroplating,ratiofrequencymagnetronsputteringandchemicalbathdeposition.OtherwiseCBDmethodisusuallyusedinpreparingCdSbufferlayer,andtheCBDmethodischeapandcouldpreparedCdSthinfilmwithlesslatticemismatch.IntheprocessoftheCBDitcouldbeclassif
8、iedbythequantityuseofammonia,thereishighammoniamethodandlessammoniamethodandno-ammoniamethod.WemodifiedprocesstopreparelagerscaleCdSthinfilms(10×10cm)inordertoreducet
