容性負(fù)載接觸不良放電試驗(yàn)研究.pdf

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1、22《電氣開關(guān)》(2015．No．4)文章編號(hào)：1004—289X(2015)o4—0022一O5容性負(fù)載接觸不良放電試驗(yàn)研究陳典麗，劉強(qiáng)，張琦(1．國(guó)網(wǎng)湖北省電力公司檢修公司，湖北武漢430000；2．三峽大學(xué)電氣與新能源學(xué)院，湖北宜昌443002)摘要：電容器連接件接觸不良時(shí)有發(fā)生，為探尋其接頭接觸不良放電的一般規(guī)律，系統(tǒng)地進(jìn)行了低壓容性負(fù)載接觸不良放電的模擬試驗(yàn)。在進(jìn)行大量試驗(yàn)的基礎(chǔ)上，建立了接觸不良放電的試驗(yàn)?zāi)Ｐ停姆烹婋妷翰ㄐ?、相位特征譜圖方面，比較了負(fù)載類型(cos)不同對(duì)接觸不良放電的

2、影響。研究結(jié)果表明，在相同電壓和電路的條件下，相對(duì)于阻性負(fù)載和阻容性負(fù)載，容性負(fù)載更容易放電。并且容性負(fù)載的放電電壓波形變化更劇烈，放電相位分布更廣，平均放電量更多。關(guān)鍵詞：容性負(fù)載；接觸不良；放電；試驗(yàn)中圖分類號(hào)：TM93文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：BTheExperimentalStudyonCapacitiveLoadLooseContactDischargeCHENDian—li，LIUQng，ZHANGQi(1．HubeiElectricPowerCompany，Wuhan430000，China；2．El

3、ectricalEngineeringandRenewableEnergy，ChinaThreeGorgesUniversity，Yiehang443002，China)Abstract：Thelow—voltagecapacitiveloaddischargetestingofloosecontactsystematicallysimulatedinordertoinquirethegeneraldischargelawofloosecontactbecausetheloosenconnection

4、ofthecapacitorsoccasionallyoccurred．Basedonextensivetests，thepoorcontactdischargemodelisestablished，andwecomparedtheefectsofdifferentloadtype(eos~)tothedischargevoltagefromtheaspectdischargevoltagewaveformandphasecharacteristicspectrum．There-suitisshowt

5、hatthecapacitiveloadeasilytakeplacethedischargeoftheconnectioncomparedtoresistance—capacitiveloadandresistanceloadatthesamecircumstanceofthecircuitandvoltage．Andcapacitiveloaddischargewaveformchangesmoredrastic，widelydistributeddischargephaseandaveraged

6、ischargevolume．Keywords：capacitiveload；poorcontact；discharge；experiment研究在低電壓情況下容性電路接觸不良放電的特征及1引言規(guī)律，以及放電所產(chǎn)生的損壞情況，為電容器及連接組電容器普遍存在連接組件過熱的情況，影響電容件過熱的研究提供依據(jù)。器組的安全運(yùn)行，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒損電容器，影響電網(wǎng)無功2電氣設(shè)備接觸不良平衡及穩(wěn)定運(yùn)行。此問題一直是國(guó)內(nèi)外學(xué)者軾待解決的問題，國(guó)外相關(guān)學(xué)者對(duì)電容器組討論如何優(yōu)化散熱2．1接觸不良的影響因素問題居多¨j。國(guó)內(nèi)

7、相關(guān)學(xué)者主要從材料接觸表面存導(dǎo)致電氣設(shè)備接觸不良的原因錯(cuò)綜復(fù)雜，主要包在電化學(xué)反應(yīng)、物理效應(yīng)HJ。觸頭接觸表面面積不括長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行、電氣設(shè)備日常維護(hù)不良、設(shè)備制造不當(dāng)夠、接觸表面壓力不足Hl6’。電容器組及與其相串聯(lián)和元件質(zhì)量等問題，其中運(yùn)行過程中造成的接觸不良的設(shè)備發(fā)熱嚴(yán)重J。對(duì)于可能引起過熱的另一個(gè)原占絕大多數(shù)J。因接觸不良放電的研究卻很少。在運(yùn)行過程中，外界環(huán)境的因素有氧化、腐蝕、積本文主要針對(duì)容性電路，比較阻性及阻容性電路，塵和震動(dòng)，這類因素對(duì)電氣設(shè)備的影響是一個(gè)緩慢過<電氣開關(guān)>(2015．N

8、o．4)(3)在電壓150V，電流3．82A條件下，銅柱面接100。、260。、300。相位區(qū)域，且平均放電量都介于觸在阻性、阻容性、m容性∞負(fù)如載∞下產(chǎn)∞生如火花∞放如電的相0位特6m0p∞C～∞32∞0pC?！奁淙缙郊泳绶偶与妋量0的峰值大于∞容性∞負(fù)加載∞，如∞性譜圖。且總的放電量也較多。由圖4(c)可以看出容性負(fù)載產(chǎn)生火花放電時(shí)，各：：：個(gè)相位均存在明顯放電，主要放電量集中在o。一30。、：?。。，‘‘}--：：：糞巋70。、130。～140。