led發(fā)光原理及特點(diǎn)

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1、LED發(fā)光原理及特點(diǎn)　　LED（Light?Emitting?Diode），即發(fā)光二極管。是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。它是利用固體半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料。當(dāng)兩端加上正向電壓，半導(dǎo)體中的少數(shù)截流子和多數(shù)截流子發(fā)生復(fù)合，放出過(guò)剩的能量而引起光子發(fā)射，直接發(fā)出紅、橙、黃、綠、青、藍(lán)、紫、白色的光。?　　??多變幻：LED光源可利用LED在電流瞬間通斷發(fā)光無(wú)余輝和紅、綠、藍(lán)三基色原理，并發(fā)揮我們多年對(duì)LED顯示屏控制技術(shù)的研究，采用LED顯示屏控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)色彩和圖案的多變化，是一種可隨意控制的"動(dòng)態(tài)光源"?！　??高節(jié)能：直

2、流驅(qū)動(dòng)，超低功耗（單管0.03-0.06瓦）電光功率達(dá)90%以上，同樣照明效果比傳統(tǒng)光源節(jié)能80%以上?！　??壽命長(zhǎng)：LED為固體冷光源，環(huán)氧樹脂封裝，因此無(wú)燈絲發(fā)光易燒、熱沉積等缺點(diǎn)。工作電壓低，使用壽命可達(dá)5萬(wàn)到10萬(wàn)小時(shí)，比傳統(tǒng)光源壽命長(zhǎng)5倍以上。　　??利環(huán)保：冷光源、眩光小，無(wú)輻射，不含汞元素，使用中不發(fā)出有害物質(zhì)?！　??高新尖：與傳統(tǒng)光源比，LED光源融合了計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)、嵌入式控制等高新技術(shù)，具有在線編程、無(wú)限升級(jí)、靈活多變的特點(diǎn)。?光源術(shù)語(yǔ)　　??光通量（lm）：光源每秒鐘發(fā)出可見(jiàn)光量之總和。例如

3、一個(gè)100瓦（w）的燈泡可產(chǎn)生1500流明（lm），一支40瓦（w）的日光燈可產(chǎn)生3500lm的光通量?！　??發(fā)光強(qiáng)度（cd）：光源在單位立體角度內(nèi)發(fā)出的光通量，也就是光源所發(fā)出的光通量在空間選定方向上分布的密度。光強(qiáng)的單位是坎特拉（cd），也稱燭光。如：一單位立體角度內(nèi)發(fā)出1流明（lm）的光稱為1坎特拉（cd）。　　??色溫（k）：以絕對(duì)溫度（k=℃+273.15）K來(lái)表示，即將一黑體加熱，溫度升到一定程度時(shí)，顏色逐漸由深紅-淺紅-橙紅-黃-黃白-白-藍(lán)白-藍(lán)變化。當(dāng)某光源與黑體的顏色相同時(shí)，我們將黑體當(dāng)時(shí)的絕

4、對(duì)溫度稱為該光源的色溫。如：當(dāng)黑體加熱呈現(xiàn)深紅時(shí)溫度約為550℃，即色溫為550℃?+?273?=?823K?！　??光效（lm/w）：光源發(fā)出的光通量除以所消耗的功率。它是衡量光源節(jié)能的重要指標(biāo)?！　??顯色性（ra）：光源對(duì)物體本身顏色呈現(xiàn)的程度稱為顯色性。也就是顏色的逼真程度。國(guó)際照明委員會(huì)CIE把太陽(yáng)的顯色指數(shù)?（ra）定為100。各類光源的顯色指數(shù)各不相同,如：白熾燈ra≥90，熒光燈ra=60～90?！　??平均壽命：光源在正常使用過(guò)程中，其中有50%的光源損壞時(shí)的時(shí)間。?發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，

5、如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性，即正向?qū)ǎ聪蚪刂?、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復(fù)合而發(fā)光。假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個(gè)中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近）捕獲，而

6、后再與空穴復(fù)合，每次釋放的能量不大，不能形成可見(jiàn)光。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。理論和實(shí)踐證明，光的峰值波長(zhǎng)λ與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度Eg有關(guān)，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光（波長(zhǎng)在380nm紫光～780nm紅光），半導(dǎo)體材料的Eg應(yīng)在3.26～1.63eV之間。比紅光波長(zhǎng)長(zhǎng)的光為紅外光。現(xiàn)在已有紅外、紅、黃、綠及藍(lán)光發(fā)光二極管，但其中藍(lán)光二極管成本

7、、價(jià)格很高，使用不普遍。LED芯片分類1.MB芯片定義與特點(diǎn)定義﹕????MB芯片﹕MetalBonding(金屬粘著）芯片﹔該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品特點(diǎn)﹕????1、采用高散熱系數(shù)的材料---Si??作為襯底﹐散熱容易.ThermalConductivityGaAs:46W/m-KGaP:77W/m-KSi:125～150W/m-KCupper:300~400W/m-kSiC:490W/m-K????2、通過(guò)金屬層來(lái)接合(waferbonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收.????3、導(dǎo)電的S

8、i襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4??倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。????4、底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱????5、尺寸可加大﹐應(yīng)用于Highpower領(lǐng)域﹐eg:42milMB2.GB芯片定義和特點(diǎn)定義﹕????GB芯片﹕GlueBonding(粘著結(jié)合）芯片﹔該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品特點(diǎn)﹕??????1﹕透明