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《熱蒸發(fā)法制備znmgo、zno納米材料及其性能研究》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、------------------------------------------------------------------------------------------------熱蒸發(fā)法制備ZnMgO、ZnO納米材料及其性能研究浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文姓名：王剛申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料科學(xué)與工程指導(dǎo)教師：葉志鎮(zhèn)20070501浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文熱蒸發(fā)法制備ＺｎＭｇＯ，ＺｎＯ納來材料及其性能研究摘要低維納米結(jié)構(gòu)是當(dāng)前納米科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域一個(gè)重要的研究方向。納米ＺｎＯ材料由于其在電子學(xué)、光學(xué)和光子學(xué)等領(lǐng)域的優(yōu)異性能而倍受關(guān)注，通過Ｍｇ摻雜，可以實(shí)現(xiàn)對ＺｎＯ能帶調(diào)制作用
2、，從而獲得更加廣泛的應(yīng)用。ＺｎＯ納米棒陣列具有負(fù)電子親和力、高機(jī)械強(qiáng)度、化學(xué)穩(wěn)定性和相對高效的低電壓磷光等特性，在場發(fā)射領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文在綜述目前ＺｎＯ一維納米材料的制備方法及摻雜的基礎(chǔ)上，選擇用熱蒸發(fā)法，成功制備出兩種ＺｎＭｇＯ一維納米結(jié)構(gòu)，討論了其形成機(jī)理，并研究了其發(fā)光性能。通過熱蒸發(fā)法制備出三種具有尖端形貌的ＺｎＯ納米棒陣列，研究了其場發(fā)射性能。其中取得的——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------
3、------------------------------主要結(jié)果如下：ｌ、用熱蒸發(fā)法制備出ＺｎＭｇＯ納米棒陣列。ＺｎＭｇＯ納米棒沿Ｃ軸擇優(yōu)生長，直徑為１００ｎｍ～３００ｎｌｎ，長度約為ｌｐｍ，為單晶六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)，Ｍｇ的含量為１７ａｔ％。ＺｎＭｇＯ納米棒保持ＺｎＯ納米棒常見的六方形貌，但Ｍｇ的摻入使六方形貌呈現(xiàn)出一定的不規(guī)則性。Ｍｇ的摻入產(chǎn)生了２１０ｍｅＶ的近帶邊發(fā)射蜂的藍(lán)移（室溫），實(shí)現(xiàn)了對ＺｎＯ的禁帶寬度的調(diào)節(jié)。特別地，此方法制備ＺｎＭｇＯ納米棒陣列具有較好的可重復(fù)性。２、用熱蒸發(fā)法，通過低溫一升溫一高溫三個(gè)階段，首次制備出ＺｎＯ／六方ＺｎＭｇＯ／立方ＺｎＭｇＯ異質(zhì)結(jié)構(gòu)
4、納米寶塔陣列。納米寶塔底部直徑約６００ｎｎｌ，頂部約７０ｎｍ，呈四方形貌。樣品中Ｍｇ和ｚｎ的平均摩爾比５９：４１，且沿著向頂端的方向不斷增大，在頂端處達(dá)到９２：８。Ｍｇ的摻入使近帶邊發(fā)射峰產(chǎn)生了２６０ｍｅＶ的藍(lán)移（室溫）。納米寶塔的新穎的結(jié)構(gòu)和生長機(jī)理被系統(tǒng)地分析和討論。３、用熱蒸發(fā)法鋁４備了三種具有尖端形貌的ＺｎＯ納米棒陣列。三個(gè)樣品都具有沿ｃ軸擇優(yōu)取向的六方ＺｎＯ結(jié)構(gòu)。三個(gè)樣品的開啟場強(qiáng)都在０．５Ｖ／ｔｔｍ以下，性能較好的樣品的閾值場強(qiáng)分別約為４．５Ｖ／ｐｒｏ和７Ｗｐｍ。Ｆ－Ｎ擬和良好，確定其為場發(fā)射。具有較細(xì)尖端的樣品表現(xiàn)出較好的場發(fā)射性能。用ＰＬＤ方法預(yù)生長的ＺｎＯ層減
5、少了襯底上的Ｓｉ０２絕緣層，提高了場發(fā)射性能。浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文熱蒸發(fā)法制各ＺｎＭｇＯ，ＺｎＯ納米材——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------料及其性能研究關(guān)鍵詞：ＺｎＭｇＯ，ＺｎＯ，納米棒，納米寶塔，熱蒸發(fā)，能帶調(diào)節(jié)，場發(fā)射一ｌｌ—浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文熟蒸發(fā)法制備ＺｎＭｇＯ、ＺｎＯ納米材料及其性能研究Ａｂｓｔｒａｃｔｓｃｉｅｎｃｅ＆ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
6、．Ｎａｎｏ刪ＺｎＯＬｏｗ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｂａｎｄ－ｇａｐｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｒｅａｒｔｉｍｐｏｒｔａｎｔｒｅｓｅａｒｃｈｆｉｅｌｄｉｎｃｕｒｒｅｎｔｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓｈａｖｅｒｅｃｅｉｖｅｄｂｒｏａｄａｔｔｅｎｔｉｏｎｄｕｅｔｏｔｈｅｉｒｄｉｓｔｉｎｇｕｉｓｈｅｄｐｅｒｆｏｎｎａｎｃｅｉｎｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｏｐｔｉｃｓａｎｄｐｈｏｔｏｎｉｃｓ，ａｎｄｔｈｅＣａｎｂｅｍｏｄｕｌａｔｅｄｂｙｄｏｐｉｎｇｗｉｔｈＭｇｆｏｒｆｍ－ｔｈｏｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．ＡｌｉｇｎｅｄＺｎＯｎａｎｏｒｏｄｓｈａｖｅｉｍｐｏｒｔａｎｔｖａｌｕｅｉｎｆｉｌｅｄ－ｅｍ
7、ｉｓｓｉｏｎｆｉｅｌｄｄｕｅｔＯｔｈｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｎｅｇａｔｉｖｅｅｌｅｃｔｒｏｎａ任ｉｎｉｔｙ，ｈｉｇｈｍｅｃｈａｎｉｃａｌｓｔｒｅｎｇｔｈ，ｃｈｅｍｉｃａｌｓｔａｂｉｌｉｔｙａｎｄｒｅｌａｔｉｖｅｌｙｅｆｆｉｃｉｅｎｔｌｏｗｖｏｌｔａｇｅｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅｅｌ【ｃ．——————————————————————————————————————---------------------------------------------------------------
