低阻czt薄膜的制備.docx

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1、密級(jí)公開學(xué)號(hào)101566畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）低阻CdZnTe薄膜的制備院（系、部）：材料科學(xué)與工程姓名：王浩生年級(jí)：材101專業(yè)：材料科學(xué)與工程指導(dǎo)教師：曾冬梅教師職稱：講師2014年06月06日·北京北京石油化工學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）任務(wù)書學(xué)院（系、部）材料科學(xué)與工程專業(yè)材料科學(xué)與工程班級(jí)材101學(xué)生姓名王浩生指導(dǎo)教師/職稱曾冬梅/講師1.畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）題目低阻CdZnTe薄膜的制備2.任務(wù)起止日期：2014年2月17日至2014年5月30日3.畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的主要內(nèi)容與要求（含課題簡(jiǎn)介、任務(wù)與要求、預(yù)期培養(yǎng)目標(biāo)、原始數(shù)據(jù)及應(yīng)提交

2、的成果）CdZnTe是一種光電性能優(yōu)異的II-VI族化合物半導(dǎo)體，具有吸收系數(shù)高，禁帶寬度與太陽光譜相匹配等優(yōu)點(diǎn)。因此，CdZnTe多晶薄膜被用來制備薄膜太陽能電池的被接觸層。而當(dāng)電子流過界面時(shí)，其電阻的高低決定著由此產(chǎn)生的功率損耗。因此，制備出具有低電阻的CdZnTe薄膜成為制備高轉(zhuǎn)化率太陽能電池的關(guān)鍵。本課題利用磁控濺射和離子濺射制備薄膜。采用Cd0.96Zn0.04Te晶體靶，以物理氣相沉積為理論，采用磁控濺射法在ITO玻璃上制備CdZnTe薄膜。研究濺射功率，濺射時(shí)間，工作氣壓及襯底溫度等工藝參數(shù)對(duì)薄膜性能的影響。利用XR

3、D、AFM、紫外分光光度計(jì)、吉時(shí)利半導(dǎo)體分析測(cè)試系統(tǒng)等測(cè)試對(duì)低阻CdZnTe薄膜的結(jié)構(gòu)及物理性能進(jìn)行分析。分析研究不同工藝參數(shù)隊(duì)薄膜電阻率之間的影響，確定磁控濺射技術(shù)制備低阻CdZnTe薄膜的最佳工藝參數(shù)。通過本課題的研究，培養(yǎng)學(xué)生查詢收集文獻(xiàn)資料和外文翻譯的能力，寫出一篇論文綜述，翻譯一定數(shù)量的外文資料（20000個(gè)英文字符）；查閱中英文文獻(xiàn)（20-40篇）。預(yù)期培養(yǎng)目標(biāo)：通過一學(xué)期完成畢業(yè)設(shè)計(jì)論文的過程，得到一篇有學(xué)術(shù)價(jià)值的論文，以便今后應(yīng)用于生產(chǎn)實(shí)際。最終提交材料：文獻(xiàn)綜述、外文資料的翻譯文稿（含原文）、畢業(yè)論文。4.主要參

4、考文獻(xiàn)[1]張育潛，查鋼強(qiáng)，傅莉，等.CdZnTe單晶表面原子結(jié)構(gòu)[J].人工晶體學(xué)報(bào)，2008,37（2）：289-292.[2]韋永林.碲鋅鎘探測(cè)器的制備及性能研究[D].成都：四川大學(xué)，2005.[3]MuraliKR.PropertiesofbrushplatedCdxZn1-xTethinfilms[J].SolarEnergy,2008,82:220-225.[4]SellinPJ.ThickfilmcompoundsemiconductorsforX-rayimagingapplications[J].Nuclear

5、InstrumentsandMethodsinPhysicsResearchA,2006,563:1-8.[5]查剛強(qiáng).CdZnTe晶體的加工與表面質(zhì)量控制[D].西安:西北工業(yè)大學(xué),2004.[6]郝正同，謝泉,楊子義.磁控濺射法中影響薄膜生長的因素及作用機(jī)理研究.貴州大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版），2010年2月，27卷（第1期）：62-64[7]余東海,王成勇,成曉玲,等.磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展.真空VACUUM，2009年3月第2期（46卷）：19-20[8]周昊，CdZnTe薄膜制備與性能表征西北工業(yè)大學(xué)2010[9]Molva

6、E,ChamonalJP,PautratJL.ShallowacceptorsinCadmiumTelluride[J].PhysicaStatusSolidi,1982,109:635-644[10]劉恩科，朱秉升，羅晉升，半導(dǎo)體物理學(xué)，電子工業(yè)出版社，北京，20035.進(jìn)度計(jì)劃及指導(dǎo)安排1)2014.2.17-2014.2.28理論基礎(chǔ)知識(shí)學(xué)習(xí)，準(zhǔn)備開題報(bào)告，確定模擬方案。2)2014.3.03-2014.3.14纂寫開題報(bào)告，進(jìn)行開題報(bào)告。3)2014.3.17-2014.3.28購買實(shí)驗(yàn)材料，加工處理靶材，確定實(shí)驗(yàn)參數(shù)4)

7、2014.4.01-2014.5.09研究不同工藝參數(shù)CdZnTe薄膜的性能影響5)2014.5.12-2014.5.30纂寫畢業(yè)論文。6)2014.5.30-2014.6.04準(zhǔn)備答辯。任務(wù)書審定日期2014年2月17日系（教研室）主任（簽字）任務(wù)書批準(zhǔn)日期2014年2月18日教學(xué)院（系、部）院長（簽字）任務(wù)書下達(dá)日期2014年2月19日指導(dǎo)教師（簽字）計(jì)劃完成任務(wù)日期2014年5月30日學(xué)生（簽字）低阻CdZnTe薄膜的制備摘要CdZnTe是一種光電性能優(yōu)異的II-VI族化合物半導(dǎo)體，具有吸收系數(shù)高，禁帶寬度與太陽光譜相匹配等

8、優(yōu)點(diǎn)。因此，CdZnTe多晶薄膜可以用來制備CdS/CdZnTe薄膜太陽能電池。本論文以Cd0.96Zn0.04Te晶體為濺射靶材采用磁控濺射法在ITO玻璃上沉積低阻CdZnTe薄膜。利用原子力顯微鏡、XRD、紫外分光光度計(jì)和吉時(shí)利半導(dǎo)體分析測(cè)試系