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《led恒流驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)報(bào)告》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線(xiàn)閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、無(wú)錫華潤(rùn)矽科微電子有限公司W(wǎng)uxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02 Version：11I05電路設(shè)計(jì)報(bào)告產(chǎn)品型號(hào)：H005產(chǎn)品名稱(chēng)：大電流LED驅(qū)動(dòng)電路擬制：審核：批準(zhǔn)：無(wú)錫華潤(rùn)矽科微電子有限公司2014年06月06日無(wú)錫華潤(rùn)矽科微電子有限公司W(wǎng)uxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02 Version：11I051電路綜述41.1概述:41.2主要用途；41.3主要功能；41.4主要特征、特性；41.5電路集成度：P:；N:；RAM:
2、；ROM:；特殊器件：R:；C:；NPN：；PNP：；51.6電路設(shè)計(jì)的HSF特性要求；（明確本產(chǎn)品的HSF特性要求，說(shuō)明本產(chǎn)品設(shè)計(jì)是否符合公司HSF的要求）52線(xiàn)路設(shè)計(jì)62.1管腳功能描述62.2電性能參數(shù)212.2.1極限參數(shù)（√）212.2.2直流參數(shù)212.3功能框圖；252.4總體功能描述（含信息流描述）；252.5各主要模塊的工作原理（包括IO部分輸入/輸出具體線(xiàn)路的工作原理）；262.5.1BG電路262.6電路設(shè)計(jì)的基本思想方法：2192.6.1仿真用SPICEMODEL號(hào)；2192.6.2邏輯設(shè)計(jì)；2192.6.3電路設(shè)計(jì)；2192.6.
3、4時(shí)序問(wèn)題的考慮；2192.6.5設(shè)計(jì)結(jié)論；2192.6.6仿真覆蓋率評(píng)估；2193工藝設(shè)計(jì)2203.1有否采用特殊線(xiàn)路結(jié)構(gòu)、工藝結(jié)構(gòu)、特殊性能要求的器件結(jié)構(gòu)；2203.2元器件類(lèi)型清單；2203.3典型器件參數(shù)測(cè)試情況；2203.4典型縱向參數(shù)；2203.5非標(biāo)準(zhǔn)工藝須提供工藝流程；2203.6首次投片對(duì)工藝的要求；2203.7對(duì)驗(yàn)收PCM數(shù)據(jù)有無(wú)特殊要求；2203.8明確是否選擇的是技質(zhì)部認(rèn)可的符合公司HSF要求的合格工藝平臺(tái)；2204版圖設(shè)計(jì)2214.1電路采用工藝（具體到工藝代號(hào)、設(shè)計(jì)規(guī)則版本號(hào)）2214.2各I/O口：畫(huà)出I/O口線(xiàn)路圖含ESD保
4、護(hù)線(xiàn)路、標(biāo)明上下拉電阻尺寸大小或管子寬長(zhǎng)比；2214.3電源地線(xiàn)的考慮；2214.4芯片布局考慮；2214.5典型元器件清單包括器件類(lèi)型、器件數(shù)目、器件具體參數(shù)；2224.6可靠性設(shè)計(jì)(Latch-Up設(shè)計(jì)考慮、ESD設(shè)計(jì)考慮)、提供整個(gè)電路；222無(wú)錫華潤(rùn)矽科微電子有限公司W(wǎng)uxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02 Version：11I054.7PAD的結(jié)構(gòu)；2224.8制版層次；2224.9DRC、ERC、LVS驗(yàn)證覆蓋率評(píng)估；2225附件內(nèi)容2235.1應(yīng)用圖；（需要時(shí)附圖紙中元器件、方案
5、選擇的HSF要求）2235.2設(shè)計(jì)驗(yàn)證報(bào)告表；2235.3DRC驗(yàn)證結(jié)果（給定工作站路徑）2255.4LVS驗(yàn)證結(jié)果（帶ERC部分、帶寬長(zhǎng)比驗(yàn)證）；2255.5全芯片的主要邏輯線(xiàn)路圖（給定工作站路徑）；225無(wú)錫華潤(rùn)矽科微電子有限公司W(wǎng)uxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02 Version：11I051電路綜述1.1概述:H005是一顆具有高效率的電流模式控制驅(qū)動(dòng)芯片，主要應(yīng)用于平板LED光源驅(qū)動(dòng)，在BOOST和BUCK電路應(yīng)用中，具有更高的效率（大于90%）。H005使用外部的PWMI信號(hào)實(shí)現(xiàn)
6、高精度的LED調(diào)光，可以通過(guò)外部電阻來(lái)設(shè)置內(nèi)部OSC的頻率。該芯片具有寬的輸入電壓范圍，具有自動(dòng)重啟保護(hù)功能。H005支持多顆芯片同步工作。H005能提供較大的驅(qū)動(dòng)電流，在GATE端，能提供0.4A的source電流和0.8A的sink電流。H005采用BCD工藝，具有良好的抗噪能力。1.2主要用途；1.3主要功能；1.4主要特征、特性；（1）峰值電流模式控制（2）PWM模式調(diào)光（3）自動(dòng)重啟功能（4）過(guò)壓保護(hù)功能（5）LED短路電流保護(hù)（6）電源工作電壓為12V，最大可達(dá)20V（7）可控的LED電流（8）支持多顆芯片同步工作（9）可控的BOOST開(kāi)關(guān)模式
7、限流功能（10）封裝形式：SOP16無(wú)錫華潤(rùn)矽科微電子有限公司W(wǎng)uxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02 Version：11I051.1電路集成度：P:；N:；RAM:；ROM:；特殊器件：R:；C:；NPN：；PNP：；名稱(chēng)模型描述數(shù)目參數(shù)數(shù)據(jù)單位極小值典型值極大值MOSmnhiat高壓非對(duì)稱(chēng)隔離NMOS56Vth0.450.60.75VBvd3035Vmphat40V高壓非對(duì)稱(chēng)PMOS31Vth-0.75-0.6-0.45VBvd-50-40Vmpbn低壓5Vpmos317Vth-1.01-
8、0.86-0.71VBvd-9Vmnbn低壓5Vnmos435Vt
