單晶片化學(xué)機械單面拋光機的的設(shè)計

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1、畢業(yè)論文（設(shè)計）立題表立題題目單晶片拋光機的設(shè)計題目來源□來源于生產(chǎn)實際□來源于科研項目□其他題目性質(zhì)□基礎(chǔ)研究□應(yīng)用研究□應(yīng)用基礎(chǔ)研究□其他題目完成形式□畢業(yè)論文□畢業(yè)設(shè)計申請立題教師杜宏偉職稱講師從事專業(yè)機械工程立題說明：CMP技術(shù)是超大規(guī)模集成電路制造過程中的關(guān)鍵技術(shù)之一,CMP設(shè)備作為技術(shù)的載體，是集機械和化學(xué)拋光技術(shù)優(yōu)勢于一體的先進(jìn)拋光設(shè)備，是原始硅片、氧化物、鎢、層間介質(zhì)、淺溝道隔離、多晶硅等膜片拋光的優(yōu)選設(shè)備，是銅互連技術(shù)中必不可少的先進(jìn)制造設(shè)備。它已成為設(shè)備制造行業(yè)進(jìn)入下一代工藝設(shè)備市場的新挑戰(zhàn)，只有迎接挑戰(zhàn)，開發(fā)工藝及設(shè)備，以保障工業(yè)持續(xù)發(fā)展和綜

2、合技術(shù)逐步提高。CMP設(shè)備的研究開發(fā)工作過去主要集中在以美國為主的聯(lián)合體SEMATECH，現(xiàn)在己發(fā)展到全球，如歐洲聯(lián)合體JESSI、法國研究公司LETI和CNET等，日本在CMP方面發(fā)展很快，并且還從事硅片CMP設(shè)備供應(yīng)。我國臺灣和韓國也在CMP方面研究較多，但我國國內(nèi)在CMP設(shè)備方面的研究者甚少。國內(nèi)硅片制造水平與國外相比有較大差距，仍以直徑100~150mm的硅片為主流產(chǎn)品，直徑為200mm的硅片才開始規(guī)模生產(chǎn)，生產(chǎn)設(shè)備，幾乎都要從國外引進(jìn)。因此，我們必須依靠自己的力量研究具有自主知識產(chǎn)權(quán)的大直徑硅片的超精密加工技術(shù)與設(shè)備。本課題設(shè)計一臺晶片雙面化學(xué)機械拋光實

3、驗機，提高加工效率和精度。其工件為浮動狀態(tài)，上下拋光盤同時對工件進(jìn)行拋光加工。機床主要用于拋光硅片、鉭酸鋰和鈮酸鋰等單晶薄片材料。教研室意見教研室主任簽名：年月日畢業(yè)論文（設(shè)計）領(lǐng)導(dǎo)工作小組意見：教學(xué)院長簽名：年月日青島農(nóng)業(yè)大學(xué)畢業(yè)論文（設(shè)計）任務(wù)書論文（設(shè)計）題目單晶片拋光機的設(shè)計要求完成時間2014.6論文（設(shè)計）內(nèi)容（需明確列出研究的問題）：1、首先進(jìn)行機床總體方案設(shè)計，比較機床方案實現(xiàn)的難易程度，并綜合考慮機床的加工精度要求，進(jìn)行方案確定。其次，進(jìn)行拋光機床的總體設(shè)計和相關(guān)主要零部件的結(jié)構(gòu)設(shè)計，及相關(guān)部件的選型計算；最后，繪制機床的裝配圖和各非標(biāo)準(zhǔn)件零件圖

4、。有關(guān)規(guī)格及技術(shù)參數(shù)：最大工作轉(zhuǎn)速：拋光盤：5~100r/min，可實現(xiàn)無級調(diào)速。拋光頭0~95r/min；最大工作壓力：0.7MPa，拋光壓力連續(xù)可調(diào)。最大工件加工直徑:300mm（拋光盤直徑：860mm）。拋光盤回轉(zhuǎn)精度：<8mm；拋光盤端面跳度：<8mm。2、撰寫設(shè)計說明書；資料、數(shù)據(jù)、技術(shù)水平等方面的要求查閱文獻(xiàn)13篇以上，閱讀與課題有關(guān)的外文資料2篇以上（研究性論文），要求到圖書館閱覽室閱讀大量中文和外文書籍，查找與本設(shè)計相關(guān)的有用資料，仔細(xì)研究，同時做好記錄。根據(jù)調(diào)查研究的結(jié)果，以事實為依據(jù)撰寫論文，論文規(guī)范合理，論據(jù)充分，字?jǐn)?shù)不少于8000字。指導(dǎo)教

5、師簽名：年月日