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1、------------------------------------------------------------------------------------------------Al和Mn摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)實(shí) 驗(yàn) 技 術(shù) 與 管 理第３ＩＳＳＮ１００２４９５６３卷 第６期 ２０１６年６月 ?。茫危保保玻埃常矗裕牛澹颍椋恚澹睿簦幔欤裕澹悖瑁睿铮欤铮幔睿洌停幔睿幔澹恚澹睿簟 。穑纾纾郑铮欤常场。危铮丁。剩酰睿玻埃保丁。海模希桑保埃保叮罚梗保悖睿耄椋螅玻埃保叮埃叮埃保病。辏辏纾粒旌停停?/p>
2、摻雜ＺｎＯ薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)黃衛(wèi)華１，賈歷程２（）１．廣西機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院，廣西南寧?。担常埃埃埃?；２．廣西大學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備處，廣西南寧?。担常埃埃埃?、摘 要：采用磁控濺射方法在硅襯底上制備了純ＺｎＯ薄膜和ＡｌＭｎ摻雜的ＺｎＯ薄膜。用Ｘ衍射和原子力顯微鏡分析了薄膜的晶化行為和顯微結(jié)構(gòu)，利用Ｋ摻ｅｉｔｈｌｅ２４００高阻計(jì)分析了薄膜的電學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明，ｙ?。┤耄劣泻芎玫谋砻娼Y(jié)構(gòu)，顯示強(qiáng)烈的（擇優(yōu)取向，呈現(xiàn)低的電阻率，可用作太ｌ的ＺｎＯ薄膜有良好的晶化，００２陽(yáng)能電池的電極材料。關(guān)鍵詞：ＺｎＯ薄膜；薄膜結(jié)構(gòu)；電學(xué)特性（）中圖分類號(hào)：ＴＢ
3、３８３ 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：Ａ 文章編號(hào)：１００２４９５６２０１６６００４２０４－－－——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------，ｒｏｅｒｔｉｅｓＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃｏｆＡｌＭｎｄｏｅｄＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓ ?。穑穑穑保?，ＨｕａｎＷｅｉｈｕａＪｉａＬｉｃｈｅｎ?。纭。纾?，；１．
4、ＧｕａｎｘｉＴｅｃｈｎｏｌｏｉｃａｌＣｏｌｌｅｅｏｆＭａｃｈｉｎｅｒａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃｉｔＮａｎｎｉｎ５３０００７，Ｃｈｉｎａ ｇｇｇｙｙｇ ，，Ｎ）２．ＤｅａｒｔｍｅｎｔｏｆＬａｂｏｒａｔｏｒａｎｄＥｕｉｍｅｎｔＭａｎａｅｍｅｎｔＧｕａｎｘｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔａｎｎｉｎ５３０００４，Ｃｈｉｎａ ｐｙｑｐｇｇｙｇ ?。海ǎ粒猓螅簦颍幔悖簦裕瑁澹酰颍澹幔睿洌粒欤停睿洌铮澹洌冢睿希簦瑁椋睿妫椋欤恚螅鳎澹颍澹颍澹幔颍澹洌铮睿樱椋保埃埃螅酰猓螅簦颍幔簦澹螅猓颍妫恚幔睿澹簦颍铮睿。。穑穑穑穑穑纭。颍铮澹颍簦椋澹螅螅酰?/p>
5、ｔｅｒｉｎａｔｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅ．ＴｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆＡｌａｎｄＭｎｄｏｉｎｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｏｆＺｎＯ——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------ ｐｐｐｇｐｐｇ ?。妫椋欤恚螅幔颍澹洌椋螅悖酰螅螅澹洌铮睿簦瑁椋螅鳎铮颍耄 。?；ＫｅｗｏｒｄｓＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌ
6、ｍ；ｔｈｉｎｆｉｌｍ?。恚椋悖颍铮螅簦颍酰悖簦酰颍澹澹欤澹悖簦颍椋悖颍铮澹颍簟。穑穑∈且环N寬禁帶（ＺｎＯ）３ｅＶ） 氧化鋅（～３．Ⅱ～Ⅳ族。Ｚ半導(dǎo)體，具有六方晶體結(jié)構(gòu)（纖鋅礦型）ｎＯ薄膜是一種ｎ型半導(dǎo)體，具有低的電阻率，在可見光區(qū)域具有高的透明度，可用于太陽(yáng)能電池和平板顯示器的透明激光器的半導(dǎo)體材料，電極。ＺｎＯ薄膜是紫外（ＵＶ）［］在室溫下具有６０ｍｅＶ１的激子束縛能及低的閾值。５］，可以作為鐵電材料和光電開關(guān)［而摻雜Ｍｇ可以作［］６］，為量子井以及相關(guān)器件的材料［摻雜Ｐｔ和Ｐｄ４可以作為催化燃燒傳感器。如濺ＺｎＯ薄膜可以
7、由各種不同的沉積技術(shù)制備，］７８９］１０］－、、溶膠－凝膠法［脈沖激光［沉積、分子束外延射［［１１］——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------（和有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（等。ＭＢＥ）ＭＯＣＶＤ）其晶格高度匹配，ＺｎＯ與ＧａＮ具有相同的晶體結(jié)構(gòu)，［］因此ＺｎＯ薄膜可以用作沉積高質(zhì)量的ＧａＮ薄膜２的其中，射頻磁控濺
8、射具有許多優(yōu)點(diǎn)，如襯底溫度要求不高，在襯底上可以沉積大面積的薄膜，并有良好的粘附性等。本文采用磁控濺射方法，在磚襯底上制備出純、研究了微量摻ＺｎＯ薄膜和ＡｌＭｎ摻雜的ＺｎＯ薄膜，雜對(duì)Ｚ進(jìn)一步研ｎＯ薄膜的微結(jié)構(gòu)及電學(xué)性質(zhì)的影響，究了摻雜ＺｎＯ材料在太
