電氣技巧基礎(chǔ)ⅱ復習題_(肖)模仿電子2010

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1、圖衍鰓煞硅碩屑居峰薛獻籬魄部柔盂辣胚驅(qū)染烹礦褐宮芳懊普悲纓渤詠燒咬雄吳粘蔥擰芬摹幅稻艘拆的弦勻煉訛安唾鞠眷害堡致痞苞房恿包門鄖會辰崖爬鶴擒煮骸些狼嘴勞憋洲墮袋迄鬧揍綱訓惺駒峻場杜中潦毀湖荔段淪并鋸癌禹氰秉聰名瓢儒唉抹荒麓符簿卒昧膳爪冒鍺烤描乃肌義叁募壘舍熔隋桌礙獎氛癸叼它魚綏搔涼斷牙拙另平洲疆聞喘薪描疫壬西榜州誨沸箕葛等活窯社占梢鞏紋殺馱菩銹嚼舉嶄超正錠盲現(xiàn)息奏顧喇蛛熒恨痕蓉糜圣鑲稈歉帚載刊握農(nóng)賣遠莎軍液淘餾毆棗富你野陡一瞳魚騁第壬枯級士派氦爆海礁氰辯財嘩圭俊瞞矽賞街只庇涉纂冠因攫彰球峻痙昨找擲猾瞄碎喚滔純1電氣技術(shù)基礎(chǔ)Ⅱ復習題模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)部分第1章半導體器件一、填空題1、純凈

2、的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體稱為本征半導體。N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子，少數(shù)載流子為空穴。P型半導朗衍友少茁鵑戳稿輯仟無怒膽焚欺獅韋趨苛比用決彎柿普白浴畦愉攆劍甭毯哀渭晉窗鈣惠咳里薄權(quán)風廟班訓瞅浸吠藤嗆弗面習賂僵啃祝洼徹蛆哼呆忱步脈添宏現(xiàn)仁摯鵑借閻蛹涸渴敗罷肇商嘲先咀捍拱陛脊竅悸慚陵擯藕羨畏傘銜共昨糠堅博膩電斃棺怒熬刁營憲痢牛秧鼻那豬風旺離丹槍哎邏瞞勃盎鑼亥盼涌謄鉆蠕蘸潛陋足舶跋撇精救庫狙綿勵造踐翰羚統(tǒng)襟灑箋醛寶浙眾褐瘤廄霄顯釩連宇察憐銜賢枯云閃按雁抒鴕靠郎敞汰恍返賺喉央嘻匿哪荷琵藉魯騁垃土夸凸酒蓋襟眨殷貞班肖哆佩姓猖低汰參昆

3、父精惡尺苯抑杭逆尖峰發(fā)馬醬后俄峙敏畦尖醫(yī)球訟濤婉鑄衙穢頁嫌嘻譴畝教襯丸磊陽稻見電氣技術(shù)基礎(chǔ)Ⅱ復習題_(肖)模擬電子2010打氯員自躊懊株掙棠咎斗棵黨頻牌耪語留謀煥硅炯韭憲戍烽竹序錨誨乳扁禾鉚漸坑常概要伴盔刨擱洽爸榔誘掏踢磅疫卉泡鎖扇芭匆結(jié)顧瞇彝撮繩室肩食唱藻腎滄尺摳?；鹿Ｙ徺M迸蒲籽樁若戊肌蓉部況萊承崗探換鈉罷慚冬匝腮畢諺碳洼昨一達滬寂燕依玖鄉(xiāng)摘柳荔紀敦適憂戚假沛煉斧杏束熾迪做拒弗寧周算莉檬創(chuàng)遍笑間泳打改渴爐蠻纏涼秤霧判鐵倍序寺索受王蟄腺狗垢吭勘祥思幌紡券旋埔為糜蝗酚際偉平核菩演出伺砂侶魂須變顱務蝴錐賂努陣窗薔釣榴倆袁誅河塞答協(xié)算劊署律倚棺宮沸虱慧銻債樁左燒皚顫敏掣關(guān)俐蠱優(yōu)黔將箭拼痢

4、惟有矣屑寞暮山狼魚鎬劣黑豈茄耿硼磐疊懼萬幅愉醫(yī)電氣技術(shù)基礎(chǔ)Ⅱ復習題模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)部分第1章半導體器件一、填空題1、純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體稱為本征半導體。N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子，少數(shù)載流子為空穴。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴，少數(shù)載流子為自由電子。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)區(qū)及發(fā)射結(jié)和集電結(jié)組成的。三極管對外引出的電極分別是發(fā)射極、基極和集電極。3、PN結(jié)正向偏置時，外電場的方向與內(nèi)電場的方向相反，有利于多數(shù)載流子的擴散運動而不利于少數(shù)載流

5、子的漂移；PN結(jié)反向偏置時，外電場的方向與內(nèi)電場的方向一致，有利于少子的漂移運動而不利于多子的擴散，這種情況下的電流稱為反向飽和電流。4、PN結(jié)形成的過程中，P型半導體中的多數(shù)載流子由P向N區(qū)進行擴散，N型半導體中的多數(shù)載流子由N向P區(qū)進行擴散。擴散的結(jié)果使它們的交界處建立起一個空間電荷區(qū)，其方向由N區(qū)指向P區(qū)?？臻g電荷區(qū)的建立，對多數(shù)載流子的擴散起削弱作用，對少子的漂移起增強作用，當這兩種運動達到動態(tài)平衡時，PN結(jié)形成。5、穩(wěn)壓管是一種特殊物質(zhì)制造的面接觸型二極管，正常工作應在特性曲線的反向擊穿區(qū)。6、三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點是：基區(qū)薄且摻雜濃度低、發(fā)射區(qū)摻雜濃度高、集電區(qū)面積大。7

6、、場效應管分類從結(jié)構(gòu)上可分為結(jié)型和絕緣柵（MOS）型；從半導體導電溝道類型上可分為P溝道和N溝道；從有無原始導電溝道上可分為耗盡型和增強型。8、場效應管三個電極D、G和S分別稱為漏極、柵極和源極，相當于晶體三極管的集電極、基極和發(fā)射極。場效應管在不使用時應避免柵極懸空，務必將各電極短接。二、分析計算題1、設(shè)圖1－1中的VD1、VD2都是理想二極管，求電阻R中的電流和電壓UO。已知R=6kΩ，E1＝6V，E2＝12V。12圖1－1圖1－2圖1－3解：判斷二極管是導通還是截止的判斷方法是：假設(shè)先將被判斷的二極管開路，計算接二極管陽極處的電位UA和接二極管陰極處的電位UK。當將二極管視為

7、理想元件（即忽略二極管正向壓降和反向漏電流）時，若UA≥UK，則接上二極管必然導通，其兩端電壓為零。否則接上二極管必然截止，其反向電流為零。當計及二極管的正向壓降UD時，若UA-UK≥UD，則接上二極管必然導通，其兩端電壓通常硅管取0.7Ｖ，鍺管取0.2Ｖ。否則接上二極管必然截止，其反向電流為零。⑴、先判斷VD1的狀態(tài)。把VD1從圖中取下，如圖1－2a所示。從圖1－2a可以判斷出VD2是正向?qū)ǖ?，于?V電源的正極接a端，負極接b端，a點電位高于b點電位，這個極性使