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《2006年博士招生專業(yè)目錄參考書》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所2006年博士招生專業(yè)目錄參考書中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成立于1960年，是集半導(dǎo)體物理、材料、器件、電路及其應(yīng)用研究的綜合性研究所。為我國“兩彈一星”的研制和半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展作出了重要貢獻。本所現(xiàn)有研究員69人，包括9位中國科學(xué)院院士和中國工程院院士。他們都是各自領(lǐng)域里的學(xué)科帶頭人，并組成了本所實力雄厚的研究隊伍和研究生導(dǎo)師隊伍。本所是國務(wù)院首批批準(zhǔn)的博士和碩士學(xué)位授予權(quán)的單位和博士后流動站建站單位，現(xiàn)有4個博士學(xué)位授權(quán)點，5個碩士學(xué)位授權(quán)點，3個博士后流動站，博士生導(dǎo)師65名，碩士生導(dǎo)師
2、72名。半導(dǎo)體所從事的研究工作都屬于國家和中科院優(yōu)先發(fā)展的學(xué)科領(lǐng)域。研究所建有6個國家級重點實驗室、中心。研究所擁有大批先進的儀器設(shè)備和設(shè)施，承擔(dān)著國家基礎(chǔ)性研究重大關(guān)鍵項目（973項目）；國家基金委基礎(chǔ)研究重大、重點項目和單項基金項目；國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃項目；國家攻關(guān)項目；中科院重大項目等國家科研項目和一批企業(yè)委托項目。網(wǎng)址：http://www.semi.ac.cn單位代碼:80136地址:北京市海淀區(qū)清華東路甲35號郵政編碼:100083聯(lián)系部門:人事教育處電話:010-82304321聯(lián)系人:陳東軍
3、、楊曉麗學(xué)科、專業(yè)名稱(代碼)指導(dǎo)教師招生考試科目及參考書目備注研究方向?所有專業(yè)課④均為口試，其它專業(yè)課均為閉卷考試。070205凝聚態(tài)物理01新型半導(dǎo)體微腔器件鄭厚植82304888；hzzheng@red.semi.ac.cn人數(shù)共招85人①英語②固體物理③高等量子力學(xué)④半導(dǎo)體（器件）物理（注：②③④中任選兩門筆試，另一門則為口試）參考書目：黃昆、韓汝琦《固體物理學(xué)》；曾謹(jǐn)言《量子力學(xué)》；葉良修《半導(dǎo)體物理學(xué)》02半導(dǎo)體自旋電子器件物理及應(yīng)用鄭厚植03半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì)研究李國華82304247；ghli@r
4、ed.semi.ac.cn04半導(dǎo)體納米體系的物理理論夏建白82304304；jbxia@red.semi.ac.cn05固態(tài)量子信息基礎(chǔ)研究封松林李樹深82304291；sslee@red.semi.ac.cn李新奇82304552;xqli@red.semi.ac.cn06低維半導(dǎo)體理論封松林李樹深07低維半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)中自旋輸運和光學(xué)性質(zhì)常凱82304438;kcnang@red.semi.ac.cn08量子點光放大器物理及應(yīng)用鄭厚植09半導(dǎo)體自旋電子學(xué)吳曉光82304291;xgwu@red.semi.
5、ac.cn常凱趙建華82304254;jhzhao@red.semi.ac.cn姬揚82304189;jiyang@red.semi.ac.cn10半導(dǎo)體光學(xué)和輸運研究孫寶權(quán)82304870;bqsun@red.semi.ac.cn080501材料物理與化學(xué)01磁性半導(dǎo)體材料制備及性質(zhì)研究陳諾夫82304566;nfchen@red.semi.ac.cn?①英語②固體物理（含半導(dǎo)體物理）③半導(dǎo)體測試分析技術(shù)④綜合考試參考書目：方俊鑫、陸棟《固體物理（上、下冊）》，上?？茖W(xué)技術(shù)出版社；葉良修《半導(dǎo)體物理（上、下冊
6、）》，高等教育出版社；《材料科學(xué)技術(shù)百科全書（上、下冊）》中有關(guān)電學(xué)、光學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)性能測試部分內(nèi)容。中國大百科全書出版社，1995年8月；或者半導(dǎo)體所理化室編《半導(dǎo)體檢測與分析》，科學(xué)出版社（1984）。02半導(dǎo)體傳感器制備與性質(zhì)研究陳諾夫張興旺82304417;xwzhang@red.semi.ac.cn03半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)材料生長、性質(zhì)和量子器件王占國82304250;zgwang@red.semi.ac.cn陳涌海82304227;yhchen@red.semi.ac.cn04氮化鎵材料和器件劉祥林823
7、04968;xlliu@red.semi.ac.cn05微重力環(huán)境半導(dǎo)體材料制備及性質(zhì)研究陳諾夫06新型III-V族化合物半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料及器件應(yīng)用析及應(yīng)用研究王占國07寬帶隙半導(dǎo)體材料梁駿吾82304230;jwliang@red.semi.ac.cn①英語②固體物理（含半導(dǎo)體物理）③半導(dǎo)體測試分析技術(shù)④半導(dǎo)體材料08新型氮化物光電子器件李晉閩82304958;jmli@red.semi.ac.cn①英語②固體物理③半導(dǎo)體物理④半導(dǎo)體器件物理與工藝參考書目：葉良修《半導(dǎo)體物理》；方俊鑫、陸棟《固體物理（上、下
8、冊）》，上?？茖W(xué)技術(shù)出版社；王華馥，《固體物理實驗方法》09GaN基微電子材料和器件;??新型高效太陽能電池王曉亮82304842;xlwang@red.semi.ac.cn10寬禁帶半導(dǎo)體薄膜外延材料及器件的研究曾一平82304266;ypzeng@red.semi.ac.cn張興旺①英語②固體物理（含半導(dǎo)體物理）③半導(dǎo)體測試分析技術(shù)④綜合考試參考書目：同王占國11GaN電場調(diào)制吸收
