飛秒激光燒蝕si的瞬態(tài)演化特性仿真

飛秒激光燒蝕si的瞬態(tài)演化特性仿真

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1、飛秒激光燒蝕Si的瞬態(tài)演化特性仿真*收稿日期:2018-01-12基金項(xiàng)目:脈沖功率激光技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任基金資助項(xiàng)目(SKL2014ZR04)作者簡(jiǎn)介:豆賢安(1983-),男,安徽六安人,助理研究員,博士,E-mail:ankolkol@sina.com豆賢安,孫曉泉,徐海萍(國(guó)防科技大學(xué)脈沖功率激光技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,安徽合肥230037)摘要:為深入揭示飛秒激光燒蝕硅的瞬態(tài)演化特性,建立了飛秒激光燒蝕Si材料理論模型,并進(jìn)行了仿真研究。研究表明,飛秒激光可在脈寬時(shí)間內(nèi)激發(fā)大量的電子,使其濃度超過(guò)損傷閾值,

2、而此時(shí)晶格仍保持在較“冷”狀態(tài),直到1ns量級(jí)才達(dá)到熔點(diǎn)溫度。電子溫度也會(huì)在脈寬時(shí)間內(nèi)急劇拉升至104K量級(jí),隨后將能量緩慢地釋放給晶格,直到10ns量級(jí)才與晶格達(dá)到熱平衡。電子存在兩次急劇升溫的過(guò)程。第一次起于自由電子吸收,止于電子與晶格的能量耦合,第二次起于單光子和雙光子吸收,止于脈沖結(jié)束。脈沖能量越大,電子濃度和溫度越高;脈寬越短,電子溫度越高。關(guān)鍵詞:飛秒激光;激光燒蝕;冷破壞;硅;半導(dǎo)體中圖分類(lèi)號(hào):TN249文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A文章編號(hào):Simulationoftransientevolutioncharacte

3、risticsofsiliconablatedbyfemtosecondlaserDOUXian-an,SUNXiaoquan,XUHaiping(StateKeyLaboratoryofPulsedPowerLaserTechnology,NationalUniversityofDefenseTechnology,Hefei230037,China)Abstract:Inordertofurtherrevealthetransientevolutioncharacteristicsofsiliconablatedb

4、yfemtosecondlaser,thetheoreticalmodelwasestablished,andthenumericalsimulationwascarriedout.Theresultsshowsthatfemtosecondlasercanexcitealargeamountofelectronsandmakeitsdensityexceedthedamagethresholdinthepulseduringtime.Atthattime,thelatticeremainsina"cold"stat

5、euntilitreachesthemeltingpointtemperatureaslongas1ns.Thetemperatureofelectronswoulddramaticallyincreaseto104Klevelinthelaserpulseirradiationmoment.Andthentheenergyisreleasedslowlytolatticeandthethermalequilibriumwouldbereacheduntil10ns.Theelectronhastworapidwar

6、mingprocesses.Thefirstonestartsfromthefree-carrierabsorption,andstopsattheelectron-latticeenergycoupling;thesecondonestartsfromthesinglephotonandtwophotonabsorption,endingattheendofthepulse.Thetemperatureanddensityofelectronwouldbehigherwiththebiggerpulseenergy

7、andtheshorterpulseduration.Keywords:femtosecondlaser;laserablation;colddamage;silicon;semiconductor81引言由于飛秒激光燒蝕材料不受目標(biāo)材料初始狀態(tài)的限制,燒蝕過(guò)程具有確定性和可控性,因此,飛秒激光在材料的精密加工、軍事的反傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用具有諸多優(yōu)勢(shì)[1]。飛秒激光具有高峰值功率、極短的作用時(shí)間以及非線性吸收等特點(diǎn),使得飛秒激光脈沖可以通過(guò)電子激發(fā),造成材料結(jié)構(gòu)的非熱力學(xué)改變[2-7]。根據(jù)非熱等離子體模型,大量電子

8、的激發(fā)可以直接造成晶格的擾動(dòng),同時(shí)仍使晶格的振動(dòng)模式保持在較冷的狀態(tài)[8,9]。當(dāng)價(jià)帶有大約10%的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶時(shí),就會(huì)導(dǎo)致晶格共價(jià)鍵的不穩(wěn),從而在極短的時(shí)間內(nèi)引發(fā)晶格結(jié)構(gòu)的永久性改變[10-12]。因此,飛秒激光可以直接增強(qiáng)原子的活動(dòng)性而不增加其熱能。非熱等離子體模型認(rèn)為,所激發(fā)的電子系統(tǒng)的聲子輻射速率要慢于飛秒激光脈沖。所以飛秒激光,可

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