新型高效晶硅電池技術(shù)

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1、本文由我愛兔寶貝2010貢獻(xiàn)ppt文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機(jī)查看。HITSolarCellTechnologysevenstar三洋HIT電池的發(fā)展至2008年世界HIT電池的研究現(xiàn)狀三洋雙面HIT電池結(jié)構(gòu)圖晶硅/非晶硅異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)增加開路電壓，提高轉(zhuǎn)換效率HIT電池工藝制程1.硅片清洗制絨2.正面用PECVD制備本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜3.背面用PECVD制備本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜5.絲網(wǎng)印刷制備電極4.在兩面用濺射法沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜三洋HIT電池為雙面電池R&RHJT工藝給出的為單面電池，沒有突破雙面電池的技術(shù)HI

2、T電池的優(yōu)點(diǎn)1.2.3.4.HIT電池具有較高的開路電壓VOC，三洋規(guī)?；a(chǎn)效率可超過20%。良好的溫度特性。室外使用溫度經(jīng)常會(huì)達(dá)到70-80度，在同樣的高溫下，HIT電池比晶硅太陽電池性能衰減更少。HIT電池工藝均在200度以下，對(duì)于襯底硅材料的要求較低。熱能投入少，同時(shí)對(duì)環(huán)境潔凈程度要求較低。全部在線式設(shè)備，易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化效率可以做到19%，與17%的常規(guī)電池效率相比，相當(dāng)于節(jié)省9%的成本溫度特性0.3%/Kvs.0.43%/K，增加4%的能量輸出，節(jié)省4%的成本。R&RHJT電池的優(yōu)點(diǎn)工藝對(duì)比常規(guī)工藝清洗制絨擴(kuò)散周邊刻蝕PECVD絲網(wǎng)印刷R&R工藝清洗制絨正面PECVD背面

3、PECVD正面PVD背面PVD絲網(wǎng)印刷周邊刻蝕三洋產(chǎn)能增長緩慢近年三洋的電池產(chǎn)能排名不斷降低，到2009年已經(jīng)跌出前十。相似的壟斷技術(shù)企業(yè)FirstSolar和SunPower一直保持強(qiáng)勁的增長。HIT技術(shù)難點(diǎn)1.2.3.4.非晶硅太陽電池的研究，現(xiàn)在主要著重于改善非晶硅膜本身性質(zhì)，以減少缺陷密度。嚴(yán)格控制a-Si/c-Si界面質(zhì)量，不斷降低缺陷態(tài)密度。優(yōu)化光陷，降低反射率。提高透明導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率，透射率。降低金屬柵線的接觸電阻。PECVD技術(shù)難點(diǎn)一等離子體的不穩(wěn)定性。等離子體的穩(wěn)定性是一個(gè)復(fù)雜的問題。等離子體本身是由電子、離子等帶電電荷組成的準(zhǔn)中性氣體,因此,它的狀態(tài)容易受到外界

4、條件的影響而發(fā)生變化。襯底表面的帶電狀態(tài)、反應(yīng)器壁的薄膜附著、電源的波動(dòng)、氣體的流速等都會(huì)改變等離子體的狀態(tài),改變其中活性粒子的種類及數(shù)量,從而改變所沉積薄膜的性質(zhì);另外在大規(guī)模生產(chǎn)中,在較大的面積上保持等離子體的均勻性也是一件困難的事。這種差異的原因往往是隱性的,解決這一問題需要精通等離子體的專業(yè)知識(shí)。PECVD技術(shù)難點(diǎn)二等離子體中電子及離子輻照對(duì)沉積薄膜結(jié)構(gòu)及電子學(xué)特性損傷。等離子體加工過程中另一方面的問題是等離子體損傷,主要指離子轟擊及光子輻照,除了會(huì)降低沉積膜的質(zhì)量外,還對(duì)晶體Si襯底帶來損傷。光譜響應(yīng)的研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)利用等離子體技術(shù)制備的HIT電池,在藍(lán)光區(qū),光譜響應(yīng)提高,

5、而在紅光區(qū),光譜響應(yīng)降低,這一方面表明本征層的鈍化作用提高了藍(lán)光區(qū)的光量子效率,另一方面表明等離子體對(duì)器件的損傷深入到器件內(nèi)部,造成主要在Si體內(nèi)被吸收的紅光區(qū)的量子效率下降。為降低等離子體損傷,需要嚴(yán)格控制等離子體的放電功率,將其降低至最小,以能維持放電為準(zhǔn),這實(shí)際上降低了等離子體的穩(wěn)定性,增加了工藝參數(shù)控制的難度。PECVD技術(shù)難點(diǎn)三硼和磷的摻雜濃度難以提高。沉積P型和N型非晶硅的過程中，要同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)硅的摻雜。所用的反應(yīng)物為硼烷和磷烷。目前用這兩種氣體進(jìn)行摻雜，無論如何增加反應(yīng)氣體的濃度，沉積的非晶硅膜很難得到高于1019次方的摻雜濃度。而常規(guī)晶體硅擴(kuò)散工藝得到的摻雜濃度一般為

6、1021。1本文由我愛兔寶貝2010貢獻(xiàn)ppt文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機(jī)查看。HITSolarCellTechnologysevenstar三洋HIT電池的發(fā)展至2008年世界HIT電池的研究現(xiàn)狀三洋雙面HIT電池結(jié)構(gòu)圖晶硅/非晶硅異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)增加開路電壓，提高轉(zhuǎn)換效率HIT電池工藝制程1.硅片清洗制絨2.正面用PECVD制備本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜3.背面用PECVD制備本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜5.絲網(wǎng)印刷制備電極4.在兩面用濺射法沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜三洋HIT電池為雙面電池R&RHJT工藝給出的為單面電池，沒有突破雙面電

7、池的技術(shù)HIT電池的優(yōu)點(diǎn)1.2.3.4.HIT電池具有較高的開路電壓VOC，三洋規(guī)模化生產(chǎn)效率可超過20%。良好的溫度特性。室外使用溫度經(jīng)常會(huì)達(dá)到70-80度，在同樣的高溫下，HIT電池比晶硅太陽電池性能衰減更少。HIT電池工藝均在200度以下，對(duì)于襯底硅材料的要求較低。熱能投入少，同時(shí)對(duì)環(huán)境潔凈程度要求較低。全部在線式設(shè)備，易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化效率可以做到19%，與17%的常規(guī)電池效率相比，相當(dāng)于節(jié)省9%的成本溫度特性0.3%/Kvs.0.43%/K，增加4%的能量輸出，