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《電子信息工程專業(yè)導(dǎo)論論文》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）題目正弦波紋形貌金屬表面二次電子發(fā)射特性的數(shù)值仿真研究Sinecorrugatedmetalsurfacesecondaryelectronemissioncharacteristicofthenumericalsimulationresearch作者姓名李玉專業(yè)名稱電子信息工程學(xué)科門類理學(xué)指導(dǎo)老師柳鈺提交論文日期二〇一四年五月成績等級評定2摘要入射電子誘發(fā)的金屬二次電子發(fā)射現(xiàn)象在現(xiàn)代電子儀器、裝置與器件中起著重要的作用，而電子與粗糙金屬表面的復(fù)雜多次相互作用會影響二次電子發(fā)射特性，對此，目前仍缺乏準(zhǔn)確可靠的數(shù)值仿真分析，對粗糙金屬表面的二次電子發(fā)射過程及相關(guān)特性也缺
2、乏足夠的了解。本文建立了綜合考慮電子在金屬中的散射、二次電子的激發(fā)、電子向表面的遷移直至從表面逃逸、出射電子與粗糙表面多次相互作用等過程的數(shù)值計(jì)算模型，在此模型的基礎(chǔ)上，基于正弦波紋的粗糙表面，對金屬材料的二次電子發(fā)射產(chǎn)額、能譜和角度分布隨表面形貌參數(shù)變化的規(guī)律進(jìn)行了數(shù)值模擬分析。計(jì)算表明：正弦表面的二次電子發(fā)射產(chǎn)額隨半寬振幅比增大是先增大后減小，頂部入射時接近理想平面的產(chǎn)額。同時發(fā)現(xiàn)，復(fù)雜形貌表面對二次電子產(chǎn)額的影響可能產(chǎn)生抑制或者增大兩種截然相反的效果，則在表面加工過程中需要控制形貌結(jié)構(gòu)參數(shù)來達(dá)到對二次電子產(chǎn)額的增強(qiáng)或抑制要求，為其尋找增強(qiáng)或抑制二次電子發(fā)射方案提供了指導(dǎo)性判據(jù)。本文
3、的研究工作及其結(jié)果對于豐富復(fù)雜表面條件下的金屬二次電子發(fā)射理論，提高各種涉及金屬二次電子發(fā)射的表面成像與分析儀器、加速器、微波器件的性能，具有科學(xué)意義和應(yīng)用價值。關(guān)鍵詞：二次電子發(fā)射；金屬；正弦波紋形貌；數(shù)值仿真2AbstractThephenomenonofsecondaryelectronemission(SEE)frommetalunderelectronbombardmenthasimportantvalueintheapplicationofmanymodernelectronicdevices.SEEcharacteristicsareaffectedbytheinterac
4、tionbetweensecondaryelectrons(SEs)andsurfaceswithcomplextopography.However,therestilllacksanaccurateandreliablenumericalsimulationanalysisfortheSEEfromthecomplexsurfaces,aswellastheknowledgeoftherelatedmicroscopicmechanism.Thispaperestablishedacomprehensiveconsiderationinmetalelectronscattering,s
5、econdaryelectronexcitation,electronicmigrationtothesurfacetoescapefromthesurface,theinteractionbetweenelectronandroughsurfacemanytimessuchasnumericalcalculationmodelofprocess,onthebasisofthismodel,basedonsinecorrugatedroughsurface,thesecondaryelectronemissionyieldofmetalmaterial,energyandAngledis
6、tributionwiththeruleofsurfacetopographyparametersaresimulatedanalysis.Calculationshowedthatthesinusoidalsurfaceofsecondaryelectronemissionyieldincreaseswithhalfwideamplituderatioisincreasedafterthefirstdecreases,andthetopyieldclosetoidealplanefromtheentrance.Alsofoundthatthecomplexsurfacetopograp
7、hyinfluenceonsecondaryelectricquantumyieldincreasesthatmayinhibitortwooppositeeffects,theneedtocontrolintheprocessofmachiningsurfacemorphologystructureparameterstoachievethesecondaryelectricquantumyieldtoenhanceorinhib
