多壁碳納米管minus;酞菁銅復合物的合成表征及光電性能(可編輯)

多壁碳納米管minus;酞菁銅復合物的合成表征及光電性能(可編輯)

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1、多壁碳納米管minus;酞菁銅復合物的合成表征及光電性能第26卷第8期無機材料學報Vol.26No.82011年8月JournalofInorganicMaterialsAug.,2011文章編號:1000-324X201108-0785-07DOI:10.3724/SP.J.1077.2011.00785多壁碳納米管?酞菁銅復合物的合成表征及光電性能12吳振奕,楊繩巖1.廈門大學化學系,廈門361005;2.巢湖學院化學與材料科學系,巢湖238000摘要:采用氯磺酸作為磺化試劑,在多壁碳納米管上接枝氯磺?;?之后通過乙二胺的胺解反應,制備出胺基修飾的多壁碳納米管MWCN

2、T-NH,并進一步與氯磺?;笺~反應制備出MWCNT-Pc復合物.產(chǎn)物采用紅外光譜,2紫外可見,拉曼光譜,X射線光電子能譜,循環(huán)伏安,熱重分析等進行了表征.結(jié)果表明,MWCNT-NH上磺酰胺基2接枝在MWCNT表面,而MWCNT-Pc上的酞菁基團是通過MWCNT-NH上的酰胺基團與Pc形成復合物,碳納米2管上約38個碳原子結(jié)合一個磺酸基酞菁分子;該MWCNT-Pc復合物的熱穩(wěn)定性較MWCNT-NH低;利用噴涂法2構(gòu)筑了ITO/MWCNT-Pc光電極,光電性能的研究結(jié)果表明在AM1.5光照條件下,光電壓及光電流分別為0.434V2和0.158mA/cm;在320nm處的I

3、PCE達19.8%,具有較優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)化性能.根據(jù)測得的MWCNT-Pc的能帶結(jié)構(gòu),推知MWCNT-Pc的光誘導電子轉(zhuǎn)移過程是Pc端基發(fā)生光激發(fā)電子躍遷,此后電子轉(zhuǎn)移到MWCNTs上并進一步傳遞到ITO,完成電荷分離關(guān)鍵詞:多壁碳納米管;酞菁銅;光電性能中圖分類號:O614文獻標識碼:ASynthesis,CharacterizationandPhotoelectricPropertiesoftheCopperPhthalocyanine-modiedMulti-walledCarbonNanotubes12WUZhen-Yi,YANGSheng-Yan1.College

4、ofChemistryandChemicalEngineering,XiamenUniversity,Xiamen361005,China;2.DepartmentofChemistryandMaterialScience,ChaohuCollege,Chaohu238000,ChinaAbstract:Multi-walledcarbonnanotubesMWCNTsweregraftedwithsulfonylchloridegroupsusingchlorosulfonicacidasasulfonationreagent,andthentheamino-modif

5、iedmulti-walledcarbonnanotubesofMWCNT-NHwaspreparedviatheaminolysisreaction.TheMWCNT-NHwasfurtherreactedwithcopper22phthalocyaninesulfonylchloridetopreparedthecomplexofMWCNT-Pc.Theproductswerefullycharacterizedbyvariousstandardanalyticaltechniques,includingscanningelectronmicroscope,trans

6、missionelectronmicroscope,infraredspectroscope,UV-Visabsorptionspectroscope,Ramanspectroscope,X-rayphotoelectronspectroscope,thermogravimetricanalysis,andcyclicvoltammetry.TheresultsindicatedthatthecomplexofMWCNT-PcwasfabricatedthroughcovalentassemblyofMWCNT-NHwithcopperphthalocyanine,wit

7、hacopperphthalocyanine2moleculeforevery38MWCNTcarbons.ThethermalstabilityofthecomplexofMWCNT-PcwaslowerthanthatofMWCNT-NH.ThephotoelectrodeofITO/MWCNT-Pcfabricatedbythemethodofthesprayshowedabetter22photoelectricperformancewiththephotovoltageandthephotocurrentwere0.

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