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1、碩士研究生學位論文題目：標題姓名：學號：院系：專業(yè)：研究方向：導師姓名：二〇一年月版權聲明任何收存和保管本論文各種版本的單位和個人，未經(jīng)本論文作者同意，不得將本論文轉(zhuǎn)借他人，亦不得隨意復制、抄錄、拍照或以任何方式傳播。否則，引起有礙作者著作權之問題，將可能承擔法律責任。致謝摘要某某問題是…….本文本研究得到某某基金（編號：XXX）資助。采用了……研究表明…….關鍵詞：關鍵詞1，關鍵詞2，關鍵詞3……III致謝ENGLISHTITLEAuthorName(Major)DirectedbyyourSupervisorABSTRA
2、CTInenvironmentaleconomics,environmentalresourcesincludingenvironmentalqualityarecategorizedasamenityresources.Duetoitsimportancetohumanwelfare,theamenityresourcestheoreticalstudyandvaluationisanongoingissueattheacademicfrontierintheenvironmentaleconomicsarea.KEYWO
3、RDS:Keyword1,Keyword2,Keyword3,……III致謝目錄摘要IABSTRACTII目錄III第一章引言11.1Ⅲ族氮化物（GaN基半導體）材料的基本性質(zhì)11.1.1Ⅲ族氮化物半導體的晶體結(jié)構(gòu)1第二章研究進展22.1環(huán)境中黑炭的主要來源2第四章圖表示例4第五章結(jié)論及展望5參考文獻6附錄A附錄示例8致謝9北京大學學位論文原創(chuàng)性聲明和使用授權說明10注：目錄從第1章開始，前邊因頁眉需要設置了標題，實際使用時更新后去掉前邊部分。使用時請刪除本注釋。如本示例，更新目錄后刪除前邊三項（摘要、ABSTRACT、目錄
4、）即可。III致謝第一章引言第1章用了“順序編碼制索引文獻”樣式，采用后全文都只能采用這種方式。自20世紀50年代后期集成電路問世以來，固體電子器件的小型化和集成度便在高速、低能耗、和高存儲密度的要求下持續(xù)迅速地提高。半導體集成電路經(jīng)過近幾十年來的發(fā)展，在Moore定律“大約每18個月芯片的集成度增加一倍”的預言推動下，硅基微電子芯片的特征線寬已經(jīng)從Intel第一代處理器的10μm縮小到了2011年應用于第三代Core處理器的22nm[1,2]，目前正在向14nm工藝發(fā)展。隨著器件的縮小，尺寸限制所帶來的量子效應也趨于明顯。
5、當器件尺寸達到與電子的費米波長相比擬的長度時，離散能級以及干涉、隧穿等量子效應就會對器件中的電子輸運產(chǎn)生決定性的影響。這些小尺度下的新現(xiàn)象和新效應既是對傳統(tǒng)半導體器件的挑戰(zhàn)，也為開發(fā)新型器件提供了機遇。如何突破傳統(tǒng)器件的設計思路，利用這些量子效應來實現(xiàn)更高效、低能耗的計算，成為了物理學中的一個研究熱點[3-5]?！?1.1Ⅲ族氮化物（GaN基半導體）材料的基本性質(zhì)Ⅲ族氮化物是一類具有寬帶隙、強極化和鐵電性的半導體材料。常見的Ⅲ族氮化物如AlN、GaN和InN都是直接帶隙半導體……………….………….1.1.1Ⅲ族氮化物半
6、導體的晶體結(jié)構(gòu)………….9致謝第一章引言第1章用了“順序編碼制索引文獻”樣式，采用后全文都只能采用這種方式。自20世紀50年代后期集成電路問世以來，固體電子器件的小型化和集成度便在高速、低能耗、和高存儲密度的要求下持續(xù)迅速地提高。半導體集成電路經(jīng)過近幾十年來的發(fā)展，在Moore定律“大約每18個月芯片的集成度增加一倍”的預言推動下，硅基微電子芯片的特征線寬已經(jīng)從Intel第一代處理器的10μm縮小到了2011年應用于第三代Core處理器的22nm[1,2]，目前正在向14nm工藝發(fā)展。隨著器件的縮小，尺寸限制所帶來的量子效應
7、也趨于明顯。當器件尺寸達到與電子的費米波長相比擬的長度時，離散能級以及干涉、隧穿等量子效應就會對器件中的電子輸運產(chǎn)生決定性的影響。這些小尺度下的新現(xiàn)象和新效應既是對傳統(tǒng)半導體器件的挑戰(zhàn)，也為開發(fā)新型器件提供了機遇。如何突破傳統(tǒng)器件的設計思路，利用這些量子效應來實現(xiàn)更高效、低能耗的計算，成為了物理學中的一個研究熱點[3-5]?！?1.1Ⅲ族氮化物（GaN基半導體）材料的基本性質(zhì)Ⅲ族氮化物是一類具有寬帶隙、強極化和鐵電性的半導體材料。常見的Ⅲ族氮化物如AlN、GaN和InN都是直接帶隙半導體……………….………….1.1.1
8、Ⅲ族氮化物半導體的晶體結(jié)構(gòu)………….9致謝第二章研究進展本章為“著者-出版年制”索引文獻示例，實際寫作時只能選擇本章和第1章索引文獻方法之一，不得混用。2.1環(huán)境中黑炭的主要來源環(huán)境中黑炭(blackcarbon)氣溶膠的主要來源包括各種化石燃料和生物質(zhì)燃料的不完全燃燒過程(Pennere
