新一代寬帶無(wú)線移動(dòng)通信網(wǎng)指南

《新一代寬帶無(wú)線移動(dòng)通信網(wǎng)指南》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。

1、“新一代寬帶無(wú)線移動(dòng)通信網(wǎng)”國(guó)家科技重大專項(xiàng)2011年度課題申報(bào)指南　　二○一○年五月　　　“新一代寬帶無(wú)線移動(dòng)通信網(wǎng)”國(guó)家科技重大專項(xiàng)2011年度網(wǎng)上公示的申報(bào)課題分屬以下五個(gè)項(xiàng)目：　　項(xiàng)目1：LTE及LTE-Advanced研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化　　項(xiàng)目2：移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)及業(yè)務(wù)應(yīng)用研發(fā)　　項(xiàng)目3：新型無(wú)線技術(shù)　　項(xiàng)目4：寬帶無(wú)線接入與短距離互聯(lián)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化　　項(xiàng)目5：物聯(lián)網(wǎng)及泛在網(wǎng)　　項(xiàng)目1LTE及LTE-Advanced研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化　　項(xiàng)目目標(biāo)：　　本項(xiàng)目“十二五”期間的目標(biāo)是：實(shí)現(xiàn)LTE產(chǎn)業(yè)化及規(guī)模應(yīng)用；開(kāi)展LTE-Advanced關(guān)鍵技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)化及整體產(chǎn)業(yè)鏈

2、的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。具體包括：　　1）LTE研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化：完成TD-LTE的多頻多模芯片、終端、系統(tǒng)和儀表設(shè)備等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)化，解決產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用?！　?）LTE-Advanced標(biāo)準(zhǔn)化、研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化：積極參與3GPPLTE增強(qiáng)型技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化工作，擁有一定數(shù)量的基本專利，對(duì)關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，研制出具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。建立技術(shù)試驗(yàn)環(huán)境，建設(shè)2～3個(gè)規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)?！　?）TD-SCDMA及其增強(qiáng)型優(yōu)化和提升：支持一致性測(cè)試儀表開(kāi)發(fā)和完善、開(kāi)發(fā)新的業(yè)務(wù)應(yīng)用等?！　?011年本項(xiàng)目主要考慮安排基帶芯片、儀表等產(chǎn)業(yè)鏈

3、薄弱環(huán)節(jié)中還需支持的課題以及高鐵等特殊環(huán)境下的研發(fā)課題?！　≌n題1-1TD-LTE面向商用多模終端基帶芯片研發(fā)　　課題說(shuō)明：終端基帶芯片是TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈最重要的環(huán)節(jié)，也是我國(guó)比較薄弱的環(huán)節(jié)。由于難度大、國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)壓力大，時(shí)間緊迫，所以應(yīng)立即啟動(dòng)，并確保足夠投入?！　⊙芯磕繕?biāo)：開(kāi)發(fā)面向商用的支持TD-LTE和TD-SCDMA/GSM的多模終端基帶芯片,TD-LTE能夠滿足3GPPR8、R9和國(guó)內(nèi)相關(guān)規(guī)范的要求,TD-SCDMA支持3GPPR7版本?！　】己酥笜?biāo)：提供1000片面向商用的多模芯片給終端廠家，用于運(yùn)營(yíng)商牽頭的規(guī)模試驗(yàn)。完成面向商用芯片的研發(fā)。

4、所提供芯片應(yīng)能夠滿足3GPPR7、R8、R9和國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)主要指標(biāo)要求。向TD-LTE終端設(shè)備廠商提供面向商用的基帶芯片。主要技術(shù)指標(biāo)如下：　　–支持TD-LTE和TD-SCDMA/GSM多模；　　–下行支持2×2MIMO方式；　　–下行支持單/雙流波束賦形解調(diào)；　　–下行支持64QAM、16QAM、QPSK和BPSK調(diào)制方式；　　–支持可變速率帶寬，包括5MHz,10MHz,15MHz和20MHz；　　–支持非對(duì)稱時(shí)隙配置；　　–半導(dǎo)體工藝線寬：65nm及以下?！　⊥瓿尚酒瑑?yōu)化工作，重點(diǎn)是芯片的性能、穩(wěn)定性和功耗指標(biāo)能達(dá)到面向商用要求?！　∩陥?bào)單位須提供具

5、體說(shuō)明：與國(guó)際、國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的符合程度;芯片的主要功能及框架；芯片的制造工藝和競(jìng)爭(zhēng)力;申請(qǐng)發(fā)明專利數(shù)?！　?shí)施期限：2011年1月至2012年12月?！　〗?jīng)費(fèi)比例：中央財(cái)政投入與其他來(lái)源經(jīng)費(fèi)比例為1:3，其中地方財(cái)政投入資金應(yīng)不低于中央財(cái)政投入的100%。　　申報(bào)方式：企業(yè)牽頭，聯(lián)合高校和科研單位?！　≌n題1-2TD-LTE射頻一致性測(cè)試儀表　　課題說(shuō)明：本課題主要是針對(duì)TD-LTE基站和終端特點(diǎn)及相關(guān)新技術(shù)和實(shí)際測(cè)試需求，研究TD-LTE基站和終端的射頻測(cè)試方法。在此基礎(chǔ)上，開(kāi)發(fā)模塊化的TD-LTE基站和終端射頻測(cè)試系統(tǒng),填補(bǔ)目前TD-LTE射頻測(cè)試系

6、統(tǒng)的空白，推動(dòng)基站和終端性能進(jìn)一步提高?！　⊙芯磕繕?biāo)：開(kāi)發(fā)TD-LTE基站和終端射頻一致性測(cè)試儀表。研究TD-LTE基站和終端的無(wú)線收發(fā)技術(shù)特點(diǎn)；研究TD-LTE基站和終端的射頻特性；研究TD-LTE基站和終端的射頻測(cè)試方法；研究構(gòu)建TD-LTE、TD-SCDMA互操作系統(tǒng)和終端的射頻要求及測(cè)試方法；構(gòu)建TD-LTE射頻測(cè)試方案，開(kāi)發(fā)TD-LTE基站和終端射頻測(cè)試系統(tǒng)。　　考核指標(biāo)：自主開(kāi)發(fā)TD-LTE基站和終端射頻測(cè)試系統(tǒng)；自主開(kāi)發(fā)射頻開(kāi)關(guān)箱和完整測(cè)試軟件，實(shí)現(xiàn)TD-LTE與TD-SCDMA互操作條件下的射頻測(cè)試功能。滿足3GPPR10發(fā)布的版本所列射

7、頻測(cè)試用例實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的測(cè)試用例；測(cè)試系統(tǒng)模塊化，根據(jù)實(shí)際測(cè)試需求可靈活配置，能夠完成相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中要求的90%以上TD-LTE基站和終端的射頻指標(biāo)測(cè)試；發(fā)表論文5篇，申請(qǐng)發(fā)明專利2項(xiàng)?！　?shí)施期限：2011年1月至2013年12月。　　經(jīng)費(fèi)比例：中央財(cái)政投入與其他來(lái)源經(jīng)費(fèi)比例為4:1。　　申報(bào)方式：鼓勵(lì)有射頻開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)室及儀表廠家牽頭申報(bào)?！　≌n題1-3LTE網(wǎng)絡(luò)接口（S1/X2接口）一致性協(xié)議分析儀　　課題說(shuō)明：本課題主要是針對(duì)LTES1/X2接口進(jìn)行協(xié)議一致性測(cè)試的需求，研究更方便、更簡(jiǎn)潔的測(cè)試工具對(duì)LTE的核心網(wǎng)設(shè)備和無(wú)線網(wǎng)設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。有針對(duì)性地

8、解決LTE設(shè)備在接口一致性方面進(jìn)行功能性驗(yàn)證的難題，推動(dòng)設(shè)備的接口實(shí)現(xiàn)一致性?！?/p>