期末復(fù)習(xí)資料匯總

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1、第三章雙極結(jié)型晶體管填空題1、晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指（基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子）電流與（發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子?）電流之比。由于少子在渡越基區(qū)的過程中會發(fā)生（?擴(kuò)散??），從而使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)（??變大???）。為了提高基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度（?小于????）基區(qū)少子擴(kuò)散長度。2、晶體管中的少子在渡越（???）的過程中會發(fā)生（???），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（?）。3、晶體管的注入效率是指（???????????????????????）電流與（?????????）電流之

2、比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（???）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（???）區(qū)摻雜濃度。4、晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)α是指發(fā)射結(jié)（正?）偏、集電結(jié)（?零）偏時的（?集電結(jié)????）電流與（???發(fā)射結(jié)??）電流之比。5、晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)β是指（?發(fā)射??）結(jié)正偏、（?集電??）結(jié)零偏時的（?集電結(jié)????）電流與（?基區(qū)）電流之比。6、在設(shè)計與制造晶體管時，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（???）基區(qū)寬度，（???）基區(qū)摻雜濃度。7、某長方形薄層材料的方塊電阻為100Ω，長度和

3、寬度分別為300μm和60μm，若要獲得1kΩ的電阻，則該材料的長度應(yīng)改變?yōu)椋??600μm???）。8、在緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)中會產(chǎn)生一個（???????），它對少子在基區(qū)中的運(yùn)動起到（???）的作用，使少子的基區(qū)渡越時間（???）。9、小電流時α?xí)???）。這是由于小電流時，發(fā)射極電流中（?????????????????????）的比例增大，使注入效率下降。10、發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)是指當(dāng)發(fā)射區(qū)摻雜濃度太高時，不但不能提高（???????），反而會使其（???）。造成發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)的原因是（

4、???????）和（???????????）。11、在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中，發(fā)射區(qū)的禁帶寬度（?）于基區(qū)的禁帶寬度，從而使異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的（?????????）大于同質(zhì)結(jié)雙極晶體管的。12、當(dāng)晶體管處于放大區(qū)時，理想情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏的增加而（???）。但實(shí)際情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏增加而（???），這稱為（???????????）效應(yīng)。13、當(dāng)集電結(jié)反偏增加時，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會（???），使基區(qū)寬度（???），從而使集電極電流（???），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（即厄爾利效應(yīng)）。1

5、4、IES是指（集電?）結(jié)短路、（?發(fā)射）結(jié)反偏時的（發(fā)射）極電流。15、ICS是指（發(fā)射?）結(jié)短路、（集電?）結(jié)反偏時的（集電）極電流。16、ICBO是指（?發(fā)射）極開路、（集電?）結(jié)反偏時的（共基極反向截止）極電流。17、ICEO是指（?基??）極開路、（集電結(jié)）結(jié)反偏時的（共發(fā)射極反向截止???）極電流。18、IEBO是指（?集電??）極開路、（?發(fā)射??）結(jié)反偏時的（共基???）極電流。19、BVCBO是指（?發(fā)射??）極開路、（???）結(jié)反偏，當(dāng)（??I‘cbo??）→∞時的VCB。20

6、、BVCEO是指（?基??）極開路、（???）結(jié)反偏，當(dāng)（?I‘ceo??）→∞時的VCE。21、BVEBO是指（集電???）極開路、（???）結(jié)反偏，當(dāng)（??I‘ebo?）→∞時的VEB。22、基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增加到使耗盡區(qū)將（???）全部占據(jù)時，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（???）基區(qū)寬度、（???）基區(qū)摻雜濃度。23、比較各擊穿電壓的大小時可知，BVCBO（?大于??）BVCEO，BVCBO（?遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于??）BVEBO。24、隨著信號頻率的提高，晶體管的αω,

7、βω的幅度會（?減小??），相角會（?滯后??）。25、在高頻下，基區(qū)渡越時間τb對晶體管有三個作用，它們是：（?????????????????）、（???????????????????）和（???????????????????????）。26、基區(qū)渡越時間τb是指（???????????????????????????）。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時，基區(qū)渡越時間增大到原來的（?）倍。27、晶體管的共基極電流放大系數(shù)

8、αω

9、隨頻率的（?減小??）而下降。當(dāng)晶體管的

10、αω

11、下降到（??α0???）時的頻

12、率，稱為α的截止頻率，記為（?fa）。28、晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)

13、βω

14、隨頻率的（???）而下降。當(dāng)晶體管的

15、βω

16、下降到β0時的頻率，稱為β的（???????），記為（?）。29、當(dāng)f>>fβ時，頻率每加倍，晶體管的

17、βω

18、降到原來的（???）；最大功率增益Kpmax降到原來的（???）。30、當(dāng)（???）降到1時的頻率稱為特征頻率fT。當(dāng)（?Kp??）降到1時的頻率稱為最高振蕩頻率fM。31、當(dāng)

19、βω

20、降到（1?）時的頻率稱為特征頻率fT。當(dāng)Kpmax降到（1?）時的頻