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《平板探測(cè)器的原理及應(yīng)用》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、2012-02平板探測(cè)器的原理及應(yīng)用2012-02主要內(nèi)容平板探測(cè)器的概念非晶硅平板探測(cè)器非晶硒平板探測(cè)器CMOS平板探測(cè)器平板探測(cè)器的指標(biāo)與評(píng)價(jià)2012-02平板探測(cè)器通過(guò)面陣探測(cè)器，取代傳統(tǒng)膠片等材料。將X射線透照工件生成的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成易于存儲(chǔ)和處理，符合一定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字圖像。相對(duì)于線陣探測(cè)器提高圖像的讀出速度減少X線曝光時(shí)間線陣掃描探測(cè)器平板探測(cè)器2012-02平板探測(cè)器的應(yīng)用2012-02平板探測(cè)器的典型結(jié)構(gòu)2012-02典型的平板型DR組成X線高壓發(fā)生器產(chǎn)生高壓（高壓，燈絲，高壓整流，交換閘）X線球管產(chǎn)
2、生X射線準(zhǔn)直器減少散射線控制照射野平板探測(cè)器將X射線轉(zhuǎn)換成已處理的電信號(hào)圖像后處理系統(tǒng)A/D轉(zhuǎn)換，圖像預(yù)處理，圖像重建等2012-02非晶硒型成像原理向非晶硒層加正向偏置電壓（0-5kv），即預(yù)置初始狀態(tài)。X射線照射,非晶硒層產(chǎn)生電子、空穴對(duì)在外加電場(chǎng)下產(chǎn)生電流，并在TFT層存儲(chǔ)電荷。讀出TFT層存儲(chǔ)的電荷，放大并經(jīng)過(guò)A/D轉(zhuǎn)換后輸出到計(jì)算機(jī)。所有電荷信號(hào)被讀取后，消除殘余電荷，恢復(fù)到初始狀態(tài)。X射線2012-02非晶硒平板探測(cè)器的特點(diǎn)直接進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換沒(méi)有散射，清晰度要高物理性能穩(wěn)定介電常數(shù)低電阻率高暗電流小光電吸收
3、效率高光電導(dǎo)效率隨X射線強(qiáng)度增大而增大2012-02直接型-非晶態(tài)硒美國(guó)Hologic公司DirectRay產(chǎn)品指標(biāo)成像范圍35cmx43cm像素?cái)?shù)量3560x3072像素尺寸139μm空間分辨率3.6Lp/mm成像時(shí)間5-7s曝光周期30s像素深度14bitSonialvisionSnfire指標(biāo)成像范圍43cmx43cm像素?cái)?shù)量2880x2880像素尺寸150μm空間分辨率3.3Lp/mm快速R/F切換0.5s像素深度14bit日本島津公司2012-02間接型-非晶態(tài)硅①閃爍體或熒光體層+②非晶硅層（a-Si）（
4、具有光電二極管作用）+③TFT陣列2012-02間接型-非晶態(tài)硅基本工作過(guò)程原理：a：入射的X射線圖像經(jīng)碘化銫閃爍晶體轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光圖像，b：可見(jiàn)光圖像由下一層的非晶硅光電二極管陣列轉(zhuǎn)換為電荷圖像c：對(duì)電荷信號(hào)逐行取出，轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，再傳送至計(jì)算機(jī)，從而形成X射線數(shù)字圖像閃爍體層非晶硅陣列集成電路讀出板列驅(qū)動(dòng)板X射線2012-02閃爍體和熒光體能將在X線照射下激發(fā)出可見(jiàn)光的發(fā)光晶體物質(zhì)統(tǒng)稱閃爍體或熒光體，熒光是指在X線激發(fā)停止后持續(xù)（<10-8s）發(fā)光的過(guò)程閃爍是指單個(gè)高能粒子在閃爍體上瞬時(shí)激發(fā)的閃光脈沖2012-0
5、2間接型-閃爍體：硫氧化釓作用：將X射線光子轉(zhuǎn)化成可見(jiàn)光光子發(fā)射特點(diǎn)：成像速度快性能穩(wěn)定成本較低層狀排布（散射線造成的不清晰度較大）主要有日本佳能生產(chǎn)的CXDI系列也是唯一能實(shí)現(xiàn)移動(dòng)的X射線探測(cè)器2012-02間接型-閃爍體：碘化銫用碘化銫作為光電裝換的介質(zhì)碘化銫（CsI:T1閃爍體）連續(xù)排列、針狀直徑約為6-7μm厚度為500-600μm外圍用鉈包裹減少漫射2012-02非晶硒與碘化銫吸收系數(shù)隨著非晶硒厚度的提升（500μm到700μm）對(duì)X光的吸收率也隨之上升資料中介紹：碘化銫厚度的的增加，吸收系數(shù)上升，但圖像分
6、辨率下降。隨X射線能量增高，非晶硒和碘化銫的吸收系數(shù)都隨之下降。2012-02間接型-閃爍體硫氧化釓碘化銫非晶硅響應(yīng)2種閃爍體的光譜特性和非晶硅的響應(yīng)特性2012-02間接型-閃爍體①碘化銫和硫化釓發(fā)射光譜與a-Si光電二極管量子效率譜均以波長(zhǎng)550nm處出現(xiàn)峰值且具有很好的匹配關(guān)系。②使用CsI做涂層的探測(cè)器轉(zhuǎn)換效率比硫氧化釓?fù)繉痈摺？梢?jiàn)光2012-02CCD探測(cè)器反射式2012-02CCD探測(cè)器直射式光纖式CCD尺寸小，一般為3-5cm2閃爍體一般為碘化銫光學(xué)纖維CCD芯片閃爍體一般為碘化銫光學(xué)透鏡CCD芯片20
7、12-02CCD探測(cè)器工作原理①采用閃爍體將X線能量轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)熒光②采用反射/透鏡/光纖進(jìn)行縮小并傳入CCD③產(chǎn)生光生電子，電子數(shù)與光子數(shù)成正比。并以電荷形式存入存儲(chǔ)裝置④讀取電荷信號(hào)，經(jīng)放大、A/D等處理后生成數(shù)字信號(hào)2012-02CCD型和CMOS型CCDCMOS沒(méi)有電荷轉(zhuǎn)移功能，需要經(jīng)過(guò)X-Y選址電路。PD：產(chǎn)生蓄積電荷MOS-Fet：控制讀出2012-02平板探測(cè)器類型的選擇觀察和區(qū)分不同組織的密度，因此對(duì)密度分辨率的要求比較高。宜使用非晶硅平板探測(cè)器的DR，這樣DQE比較高，容易獲得較高對(duì)比度的圖像需要對(duì)細(xì)
8、節(jié)要有較高的顯像，對(duì)空間分辨率的要求很高，因此宜采用非晶硒平板探測(cè)器的DR，以獲得高空間分辨率的圖像。2012-02平板探測(cè)器的主要參數(shù)DQE---DetectiveQuantumEfficiency量子探測(cè)效率SR---SpatialResolution空間分辨率MTF---ModulationTransferFunction調(diào)制傳遞函數(shù)S/
