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1、ZAO薄膜論文：射頻反應(yīng)磁控濺射制備ZAO薄膜及其光電性質(zhì)研究【中文摘要】本文采用RF反應(yīng)磁控濺射技術(shù)在不同制備條件下生長(zhǎng)了A1摻雜ZnO薄膜(ZAO)。研究了不同ZAO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、電學(xué)以及光學(xué)性質(zhì),為開發(fā)ZAO薄膜在TCO材料領(lǐng)域的應(yīng)用提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)和理論指導(dǎo)。原子力顯微鏡(AFM)測(cè)試結(jié)果表明,Al摻雜使薄膜平均粒徑明顯減小,尺寸分布均勻、致密,表面粗糙度降低；X射線衍射(XRD)結(jié)果顯示,薄膜沿(002)晶面擇優(yōu)取向生長(zhǎng)。當(dāng)Ar/q流量比為1：1時(shí),薄膜具有相對(duì)最好的結(jié)晶取向性,并顯示沿薄膜
2、表面的壓應(yīng)力及沿C軸張應(yīng)力。光電性質(zhì)研究結(jié)果表明,薄膜電阻主要由晶界電阻決定,并且導(dǎo)電性隨Ar/O2比中O2含量增加而減小。薄膜具有強(qiáng)烈的紫外吸收特性,帶隙大多超過3.3eV,可見光區(qū)的透明性大于80%,并且透過率和Eg隨Ar/O2比中為O2含量的增加而增加,薄膜在紫光區(qū)域具有較強(qiáng)的光致發(fā)光特性,摻鋁使光發(fā)射峰增強(qiáng)并藍(lán)移?！居⑽恼縄ndifferentcondition,thepreparation,structureandopticalpropertiesofZAOfilmspreparedbyRF-m
3、agnetronsputteringwerestudied.Thestructuralcharacteristics,applicationdevelopmentofZAOfilmbyRF-magnetronsputteringandtheprincipleandcharacteristicsofMagnetronsputteringwereintroduced.Inourexperiments,weobservethepropertiesoftheZAOfilmsthroughchangingtheproc
4、essparametersoftheexperiments.Itisfoundedthattheorientationandthecrystallizationaremoreoutstandingwhentheparametersare200℃,90W,argonoxygenratio1:3.WhenZnOwasdopedbyaluminum,grainsizeofthefilmsbecomesmall,theconductivityofZAOfilmismorebetterthanthefilmswhich
5、isnotdopedbyAl.WemainlydiscussedtheopticalelectricalpropertiesoftheZAOfilms.Theinfluenceofargonoxygenratio,substratetemperature,sputteringtimeforZAOfilmwerediscussed.ThroughalotofexperimentsoftestingthenatureofZAOfilms,theexcellentpreparationparameterswered
6、etermined,andwegotbetterpropertiesfilms,andtheseprovidedthetheorybasisandthereferencevaluefortheapplicationofZAOfilmsinthematerialfieldofTCOfilms.【關(guān)鍵詞】ZAO薄膜磁控濺射結(jié)構(gòu)光電性質(zhì)【英文關(guān)鍵詞】ZAOfilmmagnetronsputteringopticalandelectricalpropertiesstructure【備注】索購(gòu)全文請(qǐng)搜“中國(guó)學(xué)術(shù)發(fā)表網(wǎng)”
7、同時(shí)提供論文輔導(dǎo)寫作和學(xué)術(shù)期刊論文發(fā)表服務(wù)?！灸夸洝可漕l反應(yīng)磁控濺射制備ZAO薄膜及其光電性質(zhì)研究摘要5-6Abstract6第1章引言9-151.1綜述9-101.2ZAO薄膜的結(jié)構(gòu)特性10-121.3ZAO薄膜的應(yīng)用研究進(jìn)展12-141.3.1太陽(yáng)能電池121.3.2節(jié)能視窗和熱鏡12-131.3.3低輻射玻璃131.3.4平板顯示器131.3.5傳感器131.3.6抗靜電涂料131.3.7其他應(yīng)用13-141.4本課題的研究?jī)?nèi)容及其意義14-15第2章射頻反應(yīng)磁控濺射法制備ZAO薄膜及其表征15-322
8、.1ZAO薄膜的制備方法綜述15-212.1.1噴霧熱解法15-172.1.2脈沖激光沉積17-182.1.3金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積18-192.1.4分子束外延法19-202.1.5溶膠—凝膠法(Sol-gel)20-212.2磁控濺射技術(shù)沉積ZAO薄膜的基本原理和特點(diǎn)21-232.2.1磁控濺射鍍膜原理21-222.2.2磁控濺射鍍膜特點(diǎn)22-232.3ZAO薄膜的制備23-242.4不同薄膜的表
