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1、氣壓對VHF-PECVD制備的μc-Si：H薄膜特性影響的研究本文由wujinfeng05貢獻(xiàn)pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機(jī)查看。維普資訊http://www.cqvip.com第３卷第３期?。常玻希希茨辏对隆∪斯ぁ【w 學(xué) 報(bào)?。郑保场。危铮常埃常。剩遥巍。啊。蟆。赀螅希眨粒蹋疲保颍桑薄。茫伲樱粒樱茫遥裕獭。剩睿玻铩。酰澹埃礆鈮簩Γ郑牛郑龋疲校茫闹苽涞摹。椋龋樱骸”∧ぬ匦杂绊懙难芯俊垥缘ぃ鞆埖吕?， 鋒，穎，國付，趙侯魏長春，建，孫 任慧志，薛俊明，耿新華，熊紹珍?。祥_大學(xué)光電子所，天津３０７）００１
2、 摘要：文主要研究了用ＶＦＰＣＤ方法制備的不同工作氣壓的微晶硅薄膜樣品。結(jié)果表明：積速率隨反應(yīng)氣 本Ｈ－ＥＶ沉壓的增大而逐漸增大；光敏性（電導(dǎo)／電導(dǎo)）光暗和激活能測試結(jié)果給出了相同的變化規(guī)律；傅立葉紅外測試、ｘ射 線衍射和室溫微區(qū)喇曼譜的結(jié)果都表明了樣品的晶化特性；通過工藝的具體優(yōu)化得出了器件級的微晶硅材料?！￡P(guān)鍵詞：甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；微晶硅薄膜；葉變換紅外光譜；氫化傅立ｘ射線衍射；區(qū)喇曼光譜 微中圖分類號：Ｋ１Ｔ５ 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：?。廖恼戮幪枺海埃福兀玻埃常矗矗啊。保埃担ǎ埃矗埃保埃梗埃担痢。簦洹。睿簦澹桑妫酰睿澹铩。穑螅簦睿校澹螅颉。睿簦澹?/p>
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7、就是光致衰退效應(yīng)（Ｗ）ＳＥ。由于此效應(yīng)的存在，使得非晶硅的穩(wěn) 收稿日期：０３１－ ２０．１５０基金項(xiàng)目：國家“７”９３研究項(xiàng)目（０Ｇ００２２２Ｇ００２２３；Ｎ．２００８０￣２０ｏ８０）教育部重點(diǎn)項(xiàng)目（ｏ０１）“６”目（０２０３３６），Ｎ．６和８３項(xiàng)２７Ⅳ．２０２１資助?。白髡吆喗椋簭垥缘ぃǎ梗常┡?，１７．，吉林省人，博士。Ｅｍｉｘｚ０＠ｅｕⅢ?。幔玻埃欤洌埃锞S普資訊http://www.cqvip.com第３期 張曉丹等：氣壓對ＶＦＰＣＤ制備的ｐ．ｉＨ－ＥＶ．ＳＨ薄膜特性影響的研究ｃ：４５１ 定性成為人們一直在研究的課題，但直到現(xiàn)在，還沒有很好的方法能夠
8、解決這個(gè)難
