rom、ram、flash memory的區(qū)別(表格版)

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1、存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)器特點(diǎn)RAMFlashMemoryROM中文名稱（RandomAccessMemory）的全名為隨機(jī)存取器FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存ROM（ReadOnlyMemory）的全名為只讀存儲(chǔ)器電源關(guān)閉數(shù)據(jù)是否保留否是是主要分類SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）NORFlash和NANDFlash型PROM、EPROM、E2PROM速度較快較慢ROM不同ROM特點(diǎn)MaskROMPROMEPROME2PROMFlashROM寫入次數(shù)一次性由廠家寫入數(shù)據(jù)，用戶無法修改出廠并未寫入數(shù)據(jù)，由用戶編程一次性寫

2、入數(shù)據(jù)通過紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重復(fù)寫入通過加電擦出原數(shù)據(jù)，通過高壓脈沖可以寫入數(shù)據(jù)。使用方便但價(jià)格較高，而且寫入時(shí)間較長(zhǎng)，寫入較慢結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制靈活、編程可靠、加電擦寫快捷的優(yōu)點(diǎn)、而且集成度可以做得很高，它綜合了：不會(huì)斷電丟失（NVRAM），快速讀取，點(diǎn)可擦寫編程（E2PROM）產(chǎn)品實(shí)例Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等U盤（NANDFlash）FlashROM存儲(chǔ)器特點(diǎn)NORFlashNANDFlash性能比較1、NORFlash的讀速度比NANDFlash

3、的讀速度；2、NANDFlash的寫入速度比NORFlash快很多；3、NANDFlash的4ms擦出速度遠(yuǎn)比NORFlash的5s快。大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。4、NANDFlash的隨機(jī)讀取能力差，適合大量數(shù)據(jù)的連續(xù)讀寫。接口差別1、NORFlash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NANDFlash地址、數(shù)據(jù)和命令共用8位總線(Samsung公司某些新的NANDFlash有16位總線)，每次讀寫都要使用復(fù)雜的I/O接口串行地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和資料

4、信息。2、NANDFlash讀和寫操作采用512B的塊，有點(diǎn)像硬盤管理操作。因此基于NANDFlash結(jié)構(gòu)可以取代硬盤或其他設(shè)備。容量和成本1、NANDFlash的單元尺寸幾乎是NORFlash的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡(jiǎn)單，NANDFlash結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也相應(yīng)地降低了價(jià)格。2、NORFlash容量一般較小，通常在1MB~8MB之間。而NANDFlash只是用在8MB以上的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明了NORFlash主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NANDFlash適用于資料存儲(chǔ)。NANDFlash在Comp

5、actFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)所占份額最大。可靠性和耐用性壽命(耐用性)NANDFlash中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NORFlash的讀寫次數(shù)是十萬次。典型的NANDFlash塊尺寸要比NOR型閃存小8倍。位交換NANDFlash發(fā)生的次數(shù)要比NORFlash多FlashMemory器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。塊壞處理NANDFlash中壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價(jià)太高，根本不劃算。NANDFlash需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)

6、現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率。易用性可以非常直接地使用NORFlash，可以像其他內(nèi)存那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口，NANDFlash要復(fù)雜得多。各種NAND的存儲(chǔ)方法因廠家而異。軟件支持不需要任何的軟件支持需要驅(qū)動(dòng)程序，也包括內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序（MTD）市場(chǎng)定位用于數(shù)據(jù)可靠性要求較高的代碼存儲(chǔ)、通信產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)處理等領(lǐng)域，NORFlash也被稱為代碼閃存（CodeFlash）。用于對(duì)存儲(chǔ)容量要求較高的MP3、存儲(chǔ)卡、U盤等領(lǐng)域。正

7、是如此，NANDFlash也被稱為數(shù)據(jù)閃存（DataFlash）。RAM不同SRAM特點(diǎn)SRAMDRAMDDRAM（基于SRAM）全稱StaticRAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DynamicRAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DoubleDataRateSDRAM，雙倍速率隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)速度較快較慢成本較高較低技術(shù)雙倍預(yù)取技術(shù)DDRAM技術(shù)采用差分方式，DDRAM比SDRAM多一倍的傳輸速率和內(nèi)存寬度。