劉忠立科技網(wǎng)材料

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1、劉忠立，1940年生，武漢市人，1964年畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線電電子學(xué)系半導(dǎo)體材料及器件專(zhuān)業(yè)。歷任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微電子研究及發(fā)展中心主任、研究員、博士生導(dǎo)師、博士后合作導(dǎo)師、所學(xué)術(shù)委員會(huì)副主任、學(xué)位委員會(huì)委員、國(guó)家傳感技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，創(chuàng)新重大項(xiàng)目“特種半導(dǎo)體器件及電路”負(fù)責(zé)人等。現(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院微電子研究所特聘研究員，傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、北京市傳感技術(shù)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、中國(guó)電子學(xué)會(huì)核輻射電磁脈沖專(zhuān)委會(huì)委員、中國(guó)國(guó)際工程咨詢(xún)公司項(xiàng)目評(píng)估專(zhuān)家等職，微電子學(xué)雜志編委會(huì)委員，科學(xué)出版社“半導(dǎo)體科

2、學(xué)與技術(shù)叢書(shū)”編委會(huì)委員。已在國(guó)內(nèi)外重要刊物上發(fā)表論文120余篇，撰寫(xiě)專(zhuān)著4本，譯著2本，擁有國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利8項(xiàng)，指導(dǎo)已畢業(yè)的博士生12名，博士后1名，指導(dǎo)已畢業(yè)的碩士生12名。工作經(jīng)歷：1964年畢業(yè)于清華大學(xué)半導(dǎo)材料及器件專(zhuān)業(yè)。1964-2010年在中科院半導(dǎo)體研究所工作，2011年起被中科院微電子研究所聘為教授繼續(xù)工作。1980-1982年作為訪問(wèn)學(xué)者在聯(lián)邦德國(guó)多特蒙德大學(xué)從事新CMOS器件研究。1990-1991年在聯(lián)邦德國(guó)HMI研究任客座教授所事MOS器件輻射加固物理研究。學(xué)術(shù)兼職：1、傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)

3、術(shù)委員會(huì)顧問(wèn)。2、北京市傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員。3、中國(guó)電子學(xué)會(huì)核輻射電磁脈沖專(zhuān)委會(huì)專(zhuān)家委員。4、中科院軍工項(xiàng)目監(jiān)理部監(jiān)理。5、“微電子學(xué)”雜志編委會(huì)委員。6、科學(xué)出版社半導(dǎo)體技術(shù)書(shū)籍編委會(huì)委員。7、中電集團(tuán)SOICMOS技術(shù)研發(fā)中心專(zhuān)家委員會(huì)專(zhuān)家。研究方向：主要從事從事半導(dǎo)體器件、電路、微傳感器的設(shè)計(jì)、制造及輻射加固研究，近年來(lái)重點(diǎn)研究抗輻射SOICMOSSRAM、抗輻射SOICMOSFPGA及寬帶隙半導(dǎo)體SiC功率器件。承擔(dān)的科研項(xiàng)目情況：長(zhǎng)期從事輻射加固集成電路、微傳感器及半導(dǎo)體功率器件研究，是我國(guó)

4、最早研制成功MOSFET及JFET器件的主要研究人員之一。20世紀(jì)60年代后期至70年代中期，在高質(zhì)量SiO2生長(zhǎng)、檢測(cè)以及MOS器件穩(wěn)定性和可靠性方面，做出了很多有意義的開(kāi)拓性研究成果，1974年負(fù)責(zé)研制成功CMOS指針式電子手表電路，榮獲北京市科技二等獎(jiǎng)。1980－1982年，作為訪問(wèn)學(xué)者在德國(guó)多特蒙德大學(xué)電子系從事新CMOS器件研究，首創(chuàng)性地提出并負(fù)責(zé)研制成功離子注入氮形成隱埋Si3N4的CMOS/SOI器件，得到國(guó)際同行的認(rèn)可。1990-1991年，在德國(guó)HMI核研究所任客座教授從事MOS器件輻射物理研究，取得

5、有意義的成果。1982年-1989年，負(fù)責(zé)研制成功“抗輻射CMOS/SOS集成電路”及“長(zhǎng)壽命衛(wèi)星抗輻射集成電路”，電路的抗輻射指標(biāo)達(dá)到國(guó)際上相應(yīng)電路的最好水平，分別獲1987年及1991年中科院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)；1992年獲國(guó)防科工委光華基金二等獎(jiǎng)；1993年獲國(guó)家政府特殊津貼及中科院優(yōu)秀教師稱(chēng)號(hào)；1995負(fù)責(zé)研制成功重點(diǎn)工程CMOS/SOS抗輻射CMOS/SOS集成電路，獲中科院科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。“八五”、“九五”及“十五”期間，負(fù)責(zé)多項(xiàng)國(guó)家重大研究課題，均已通過(guò)驗(yàn)收，其中同中科院微電子所合作完成的”64K抗輻射CMO

6、S/SOISRAM”院重點(diǎn)創(chuàng)新項(xiàng)目，同中電集團(tuán)58所合作完成的十五預(yù)研項(xiàng)目”128K抗輻射CMOS/SOISRAM”,開(kāi)拓了我國(guó)抗輻射CMOS/SOI輻射加固集成電路的研究領(lǐng)域。此外，“九五”至“十五”期間還負(fù)責(zé)研制成功高反壓SiC二極管、SiC肖特基二極管、SiCMOS管等國(guó)內(nèi)一流的研究成果，十一五責(zé)研制成功5萬(wàn)門(mén)抗輻射CMOS/SOIFPGA電路已通過(guò)驗(yàn)收，輻射指標(biāo)達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平?？蒲谐晒?、1974年負(fù)責(zé)研制成功我國(guó)第一個(gè)CMOS指針式電子手表電路，獲北京市科技二等獎(jiǎng)。2、1980年提出并研制成功的離子注入氮形

7、成隱埋的Si3N4層不用處延硅的CMOS/SOI器件是國(guó)際上開(kāi)創(chuàng)性的工作。3、負(fù)責(zé)的“抗輻射CMOS/SOS集成電路”及“長(zhǎng)壽命衛(wèi)星用抗輻射集成電路”研究項(xiàng)目分別獲1987年及1991年中科院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。4、負(fù)責(zé)的國(guó)防重點(diǎn)工程抗輻射加固CMOS/SOS集成電路1995年獲中科院科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。發(fā)明專(zhuān)利：1、集成電路的保護(hù)結(jié)構(gòu)，劉忠立，劉榮環(huán)，和致經(jīng)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，1990-01-31。2、一種功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，高峰，李春寄，劉忠立，于芳，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，2007-10-17。3、一種幅度調(diào)

8、制隔離反饋控制電路，高峰，李春寄，劉忠立，于芳，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，2007-10-17。4、一種可重構(gòu)的乘法器，余洪敏，陳陵都，劉忠立，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，2010-01-13。5、針對(duì)多模式邏輯單元可編程門(mén)陣列的工藝映射方法，張琨，周華兵，陳陵都，劉忠立，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，2010-02-24。6、全集成高線性三