電磁爐原理圖和工作原理(越好電磁爐)

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1、越好電磁爐供應(yīng)以下資料：目錄一、簡介1.1?電磁加熱原理1.2?458系列簡介二、原理分析2.1?特殊零件簡介2.1.1?LM339集成電路2.1.2?IGBT2.2?電路方框圖2.3?主回路原理分析2.4?振蕩電路2.5?IGBT激勵電路2.6?PWM脈寬調(diào)控電路2.7?同步電路2.8?加熱開關(guān)控制2.9?VAC檢測電路2.10?電流檢測電路2.11?VCE檢測電路2.12?浪涌電壓監(jiān)測電路2.13?過零檢測2.14?鍋底溫度監(jiān)測電路2.15?IGBT溫度監(jiān)測電路2.16?散熱系統(tǒng)2.17?主電源2.18輔助電源2.19?報(bào)警電路三、故障維修3.1?故障代碼表3.2主板檢測標(biāo)準(zhǔn)3.2.1主

2、板檢測表3.2.2主板測試不合格對策3.3?故障案例3.3.1故障現(xiàn)象1一、簡介1.1?電磁加熱原理電磁灶是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的廚房電器。在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將50/60Hz的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過控制電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為20-40KHz的高頻電壓，高速變化的電流流過線圈會產(chǎn)生高速變化的磁場，當(dāng)磁場內(nèi)的磁力線通過金屬器皿(導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料)底部金屬體內(nèi)產(chǎn)生無數(shù)的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。1.2?458系列簡介458系列是由建安電子技術(shù)開發(fā)制造廠設(shè)計(jì)開發(fā)的新一代電磁爐,界面有LED發(fā)光二極管顯示模式、LED數(shù)碼顯示模式、LCD液晶顯

3、示模式、VFD瑩光顯示模式機(jī)種。操作功能有加熱火力調(diào)節(jié)、自動恒溫設(shè)定、定時(shí)關(guān)機(jī)、預(yù)約開/關(guān)機(jī)、預(yù)置操作模式、自動泡茶、自動煮飯、自動煲粥、自動煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機(jī)種。額定加熱功率有700~3000W的不同機(jī)種,功率調(diào)節(jié)范圍為額定功率的85%,并且在全電壓范圍內(nèi)功率自動恒定。200~240V機(jī)種電壓使用范圍為160~260V,100~120V機(jī)種電壓使用范圍為90~135V。全系列機(jī)種均適用于50、60Hz的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為-23℃~45℃。電控功能有鍋具超溫保護(hù)、鍋具干燒保護(hù)、鍋具傳感器開/短路保護(hù)、2小時(shí)不按鍵(忘記關(guān)機(jī))保護(hù)、IGBT溫度限制、IGBT溫度過高保護(hù)、

4、低溫環(huán)境工作模式、IGBT測溫傳感器開/短路保護(hù)、高低電壓保護(hù)、浪涌電壓保護(hù)、VCE抑制、VCE過高保護(hù)、過零檢測、小物檢測、鍋具材質(zhì)檢測。458系列雖然機(jī)種較多,且功能復(fù)雜,但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣,區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及CPU程序不同而己。電路的各項(xiàng)測控主要由一塊8位4K內(nèi)存的單片機(jī)組成,外圍線路簡單且零件極少,并設(shè)有故障報(bào)警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時(shí)根據(jù)故障報(bào)警指示,對應(yīng)檢修相關(guān)單元電路,大部分均可輕易解決。二、原理分析2.1?特殊零件簡介2.1.1?LM339集成電路?LM339內(nèi)置四個(gè)翻轉(zhuǎn)電壓為6mV的電壓比較器,當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時(shí)(+輸入端電壓高于-

5、入輸端電壓),置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管截止,此時(shí)輸出端相當(dāng)于開路;當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí)(-輸入端電壓高于+輸入端電壓),置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通,將比較器外部接入輸出端的電壓拉低,此時(shí)輸出端為0V。2.1.2?IGBT絕緣柵雙極晶體管(IusulatedGateBipolarTransistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。目前有用不同材料及工藝制作的IGBT,但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT有三個(gè)電極(見上圖),分別稱為柵極G

6、(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)。???從IGBT的下述特點(diǎn)中可看出,它克服了功率MOSFET的一個(gè)致命缺陷,就是于高壓大電流工作時(shí),導(dǎo)通電阻大,器件發(fā)熱嚴(yán)重,輸出效率下降。IGBT的特點(diǎn):1.電流密度大,是MOSFET的數(shù)十倍。2.輸入阻抗高,柵驅(qū)動功率極小,驅(qū)動電路簡單。3.低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo下,其導(dǎo)通電阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.擊穿電壓高,安全工作區(qū)大,在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會受損壞。5.開關(guān)速度快,關(guān)斷時(shí)間短,耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us,約為GTR的10%,接近于

7、功率MOSFET,開關(guān)頻率直達(dá)100KHz,開關(guān)損耗僅為GTR的30%。????IGBT將場控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體,是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。目前458系列因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的IGBT,它們的參數(shù)如下:(1)?SGW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時(shí)須配套6A/1200V以上的快