資源描述：
《新型nand-flash存儲管理優(yōu)化設(shè)計》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文新型NAND-Flash存儲管理優(yōu)化設(shè)計摘要本文主要研究在新型工藝的NAND-FLASH下的存儲管理，對主要的幾個算法進(jìn)行優(yōu)化，并加入一些新算法，以適合新型工藝下的Flash特性，同時提高了性能。近年來，F(xiàn)LASH存儲器件正在以驚人的速度發(fā)展，越來越多的電子設(shè)備開始采用Flash作為其存儲介質(zhì)，而且容量越來越大，速度要求越來越高。由于NAND-Flash工藝的特殊性，必須設(shè)計專用的算法對Flash進(jìn)行管理，而且算法的好壞在很大程度上影響存儲功能。Flash存儲管理已成為研究Flash設(shè)備的重要課題。近兩年隨著Flash工藝
2、的改進(jìn)，不但原有的單層單元（SLC）的Flash在訪問控制上有了變化，還出現(xiàn)了使用多層單元（MLC）新型工藝的Flash，并且將很快替代單層單元（SLC）Flash。新型的Nand-Flash在訪問方式上和內(nèi)在特性上都與傳統(tǒng)的Flash有很大不同，傳統(tǒng)的Flash存儲管理算法在速度和穩(wěn)定性上都已不能適應(yīng)新型Flash。本文在SLC-Flash管理算法的基礎(chǔ)上，分析了MLC-NandFlash的特性，提出了3種適合不同應(yīng)用場合的Flash管理系統(tǒng)，其中使用II上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文了雙向標(biāo)簽、塊內(nèi)快速物理查找表，頁面緩存、一次寫入等幾個改進(jìn)關(guān)鍵模
3、塊的結(jié)構(gòu)和算法。經(jīng)過測試，本文優(yōu)化過的管理模塊在速度，穩(wěn)定性和抗衰老性上都有較大的提高。關(guān)鍵詞：Nand-Flash，多層單元，存儲管理，F(xiàn)lash轉(zhuǎn)換層III上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文NewNand-FlashMemoryManagementOptimalDesignAbstractThispaper’sresearchareafocusesonthemanagementofNand-Flashwithnewtechnology.Wemadealotofimprovementonthecurrentmanagementsystemandalsop
4、roposedsomenewmethodologytoadaptchangesofthenewNand-FlashTech,andimprovedtheperformanceatthesametime.Nand-Flashindustryisgrowingrapidlytheseyears,moreandmoree-consumedevicesareusingNand-Flashasitsmainstoragememory,thevolumeandspeeddemandisalsoincreasingdaybyday.Wemustadoptded
5、icatedsoftwaretomanageNand-Flashduetoitsspecialtechnology,soNand-FlashsoftwarehasbecomeoneofthemostimportantissueoftheNand-Flashindustry.Recentyears,theNandindustryintroducedsomenewtypeNand-FlashwhichusingaMulti-Level-Cell(MLC)technologythatcanstore2bitinasinglecell.TheseMLC-
6、FlasheswillrapidlytakeplaceoftheoldSLC-FlashinthemarketduetoLow-Costissue.ButtheseMLC-Flashhavemanylackoffs.Manyaccessmodelshavebeenchanged.SolegacyFlashsoftwareisnolongersuitforthenewflash.Thispaperproposed3IV上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文differentnewNand-Flashmanagementschemes,eachforadiffer
7、enttypeofapplication.ThesenewNand-FlashmanagementdesignusessomenewalgorithmssuchasTwo-waylabels,Fastlook-uptables,PagecacheandOne-timepagewrite.Aftertesting,thesenewNand-Flashmanagementdesignshavemanyimprovementsonperformance,stabilityandanti-aging.KEYWORDS:Nand-Flash,MemoryM
8、anagementSoftware,MLC,FTLV上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文縮略語SLC：SingleLayerCell單層單元MLC：
