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《新型nand-flash存儲管理優(yōu)化設(shè)計》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文新型NAND-Flash存儲管理優(yōu)化設(shè)計摘要本文主要研究在新型工藝的NAND-FLASH下的存儲管理,對主要的幾個算法進(jìn)行優(yōu)化,并加入一些新算法,以適合新型工藝下的Flash特性,同時提高了性能。近年來,F(xiàn)LASH存儲器件正在以驚人的速度發(fā)展,越來越多的電子設(shè)備開始采用Flash作為其存儲介質(zhì),而且容量越來越大,速度要求越來越高。由于NAND-Flash工藝的特殊性,必須設(shè)計專用的算法對Flash進(jìn)行管理,而且算法的好壞在很大程度上影響存儲功能。Flash存儲管理已成為研究Flash設(shè)備的重要課題。近兩年隨著Flash工藝
2、的改進(jìn),不但原有的單層單元(SLC)的Flash在訪問控制上有了變化,還出現(xiàn)了使用多層單元(MLC)新型工藝的Flash,并且將很快替代單層單元(SLC)Flash。新型的Nand-Flash在訪問方式上和內(nèi)在特性上都與傳統(tǒng)的Flash有很大不同,傳統(tǒng)的Flash存儲管理算法在速度和穩(wěn)定性上都已不能適應(yīng)新型Flash。本文在SLC-Flash管理算法的基礎(chǔ)上,分析了MLC-NandFlash的特性,提出了3種適合不同應(yīng)用場合的Flash管理系統(tǒng),其中使用II上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文了雙向標(biāo)簽、塊內(nèi)快速物理查找表,頁面緩存、一次寫入等幾個改進(jìn)關(guān)鍵模
3、塊的結(jié)構(gòu)和算法。經(jīng)過測試,本文優(yōu)化過的管理模塊在速度,穩(wěn)定性和抗衰老性上都有較大的提高。關(guān)鍵詞:Nand-Flash,多層單元,存儲管理,F(xiàn)lash轉(zhuǎn)換層III上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文NewNand-FlashMemoryManagementOptimalDesignAbstractThispaper’sresearchareafocusesonthemanagementofNand-Flashwithnewtechnology.Wemadealotofimprovementonthecurrentmanagementsystemandalsop
4、roposedsomenewmethodologytoadaptchangesofthenewNand-FlashTech,andimprovedtheperformanceatthesametime.Nand-Flashindustryisgrowingrapidlytheseyears,moreandmoree-consumedevicesareusingNand-Flashasitsmainstoragememory,thevolumeandspeeddemandisalsoincreasingdaybyday.Wemustadoptded
5、icatedsoftwaretomanageNand-Flashduetoitsspecialtechnology,soNand-FlashsoftwarehasbecomeoneofthemostimportantissueoftheNand-Flashindustry.Recentyears,theNandindustryintroducedsomenewtypeNand-FlashwhichusingaMulti-Level-Cell(MLC)technologythatcanstore2bitinasinglecell.TheseMLC-
6、FlasheswillrapidlytakeplaceoftheoldSLC-FlashinthemarketduetoLow-Costissue.ButtheseMLC-Flashhavemanylackoffs.Manyaccessmodelshavebeenchanged.SolegacyFlashsoftwareisnolongersuitforthenewflash.Thispaperproposed3IV上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文differentnewNand-Flashmanagementschemes,eachforadiffer
7、enttypeofapplication.ThesenewNand-FlashmanagementdesignusessomenewalgorithmssuchasTwo-waylabels,Fastlook-uptables,PagecacheandOne-timepagewrite.Aftertesting,thesenewNand-Flashmanagementdesignshavemanyimprovementsonperformance,stabilityandanti-aging.KEYWORDS:Nand-Flash,MemoryM
8、anagementSoftware,MLC,FTLV上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文縮略語SLC:SingleLayerCell單層單元MLC: