工藝申請(qǐng)單范例-2010版

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1、納米加工平臺(tái)工藝申請(qǐng)表（2010版）批號(hào):申請(qǐng)人申請(qǐng)人電話申請(qǐng)人郵箱申請(qǐng)人簽字付費(fèi)人課題編號(hào)付費(fèi)人郵箱付費(fèi)人簽字申請(qǐng)日期所屬單位試驗(yàn)?zāi)康募罢f(shuō)明樣品材料樣品尺寸樣品數(shù)量與編號(hào)序號(hào)工藝名稱工藝要求及說(shuō)明日期工藝記錄和檢測(cè)結(jié)果工藝員計(jì)價(jià)和確認(rèn)備注勻膠KS-L150ST22＋KW-4A加工數(shù)量：3片；襯底：材料：硅片，尺寸：4英寸、6英寸；光刻膠類型：AZ1500；厚度：1.2±0.4微米HDMS預(yù)處理：需要；使用勻膠機(jī)類型：SSE、國(guó)產(chǎn)小勻膠機(jī)、Track勻膠機(jī)類型：開始時(shí)間：完成時(shí)間：襯底尺寸：勻膠次數(shù)：檢測(cè)結(jié)

2、果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：光刻MA6/BA6URE-2000/35加工數(shù)量：3片；襯底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；光刻膠類型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；光刻最小線寬：2微米；套刻要求：正反面對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)精度：±5微米；使用光刻機(jī)類型：SussMA6/BA6,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)光刻機(jī)類型：開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：步進(jìn)式光刻機(jī)NSR1755i7B加工數(shù)量：3片；襯底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525

3、微米；光刻膠類型/厚度：EPL/1-1.6微米；光刻最小線寬：2微米；套刻精度：±1微米；開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：電子束光刻JBX-5500ZA加工數(shù)量：1片；襯底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；光刻膠類型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；光刻最小線寬：30nm；套刻要求：套刻誤差小于40nm；拼接要求：誤差小于40nm開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：顯影OPTIs

4、pinST22加工數(shù)量：3片；襯底：材料：硅片，尺寸：4英寸；顯影液類型：標(biāo)配TMAH；使用顯影機(jī)類型：SSE,Track顯影機(jī)類型：開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：干法去膠M4L加工數(shù)量：3片；批次：1批材料：硅片，尺寸：4英寸或碎片；需去除光刻膠類型：AZ1500需去除膠厚：50nm；去膠功率：300W開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：噴膠ST20i加工數(shù)量：3片；襯底材料：硅片，尺寸：

5、4英寸；開始時(shí)間：完成時(shí)間：本步工藝計(jì)價(jià)：￥光刻膠類型：AZ4620；目標(biāo)膠厚：30微米圖形深寬比：1：2本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：晶片鍵合CB6L加工數(shù)量：3對(duì)；材料：硅片和玻璃尺寸：4英寸；鍵合類型：陽(yáng)極鍵合；是否需要套刻：是（套刻精度：5微米）鍵合對(duì)數(shù)：?jiǎn)未捂I合用時(shí)：開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：磁控濺射LAB18加工數(shù)量：3片；批次：1批襯底材料：硅片，尺寸：2英寸膜層材料/厚度：Ti/Al/Ti/Au,50

6、nm/200nm/50nm/100nm厚度均勻性要求：±5%襯底加熱溫度：200℃工藝氣體：Ar或N2濺射批數(shù)：開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：濺射各層材料/厚度：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：電子束蒸發(fā)ei-5zEBE-09加工數(shù)量：3片；批次：1批襯底材料：硅片，尺寸：6英寸膜層材料和厚度：Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm厚度均勻性要求：±5%襯底溫度：200℃蒸發(fā)臺(tái)類型：ei-5z,EBE-09使用蒸發(fā)臺(tái)：蒸鍍批數(shù)：開始時(shí)間：完成時(shí)間：本

7、工藝總用時(shí)：蒸鍍各層材料/厚度：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：熱蒸發(fā)EVA-09-2加工數(shù)量：1片；批次：1批襯底材料：硅片，尺寸：2英寸蒸鍍次數(shù)：開始時(shí)間：本步工藝計(jì)價(jià)：￥膜層材料和厚度：AG/Au,500nm/200nm厚度均勻性要求：±5%襯底溫度：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：蒸鍍材料/厚度：檢測(cè)結(jié)果：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：PECVDOXFORD100加工數(shù)量：3片；批次：3批襯底材料：硅片，尺寸：6英寸膜層材料和用途：SiO2、絕緣層厚度：1000nm折射率:1.4

8、6厚度均勻性要求：±5%襯底溫度：300℃開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：光學(xué)薄膜蒸發(fā)OTFC-900加工數(shù)量：3片；批次：1批襯底材料：硅片，尺寸：4英寸膜層材料和厚度：SiO2/ITO,50nm/200nm厚度均勻性要求：±2%襯底溫度：200℃蒸鍍次數(shù)：開始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)：蒸鍍各層材料/厚度：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：￥工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：