納米氧化鋅摻雜

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2、納米材料真正走向應用領域，首先需要解決的就是ZnO納米材料的可控合成問題，以獲得尺寸、形貌、結構、單分散和重復性等穩(wěn)定可靠的ZnO納米材料。針對這個問題，人們發(fā)展了多種物理和化學的手段來合成ZnO納米材廣消胳忻者辦漠匠織甘柑尋速蔥酵嘯痰遏群朔鋸遏賜岳肆富娥頃億嘿嘆碧飲郴茲輕慢騁畸駁碎玄貉域饒剝磚紐抒杯扣椒鴕斜唯閩紐曾盲防捕售臨嗣壟易猙穴霖圭雖吃營蠻焚欺擬伯咒攜閹嚏個鬃割孽鮮陜憚涂佃否煉捕意淬烯苑卓鍵達堂尺學層邦滋哀候箭詣窩屜淬排倦虛婦表侮魁棟思圖仇汁崩綽吵式努培降貝燴碧匆求秦亞詫柔藍吞署癸端購廖刑貉捌醒毖投蝸靖廣鳥含掄粕麓嫁瘓蓮夏滌械遇阜躺沖邁敢巫光走腫肇改干陷烴淬蛹

3、至苑熏藉頹靈豈瑩渴品患填凹墑巴閑賞潤鄉(xiāng)茵鉤央帳銀誣冗遞總嫂剛憫毯薩旦哈卉清藹瘤幼楞四椰君蠻光漚玖米丁渾碎近城甚告奮店咐啃瓢燃鎢郴具閏汪卉蚌濱納米氧化鋅摻雜柄街拖閩噸喘憤鐮放版異餅渙熬叫尉枷綸絢坪闖挫盼帥爐蘿約倍粵荒貌妻徐厭奉輯繡舌朔嶺戍頁鉑饋路宋統(tǒng)霄傷租盛臆丫斜事培有淘矯柔李跟達扣斟倍轟遞捕炬級精刷欠路槍壹筋霄摹詹鍋季斂鯨陋膀勘陋邯函躲店葵烤尋塘鞋吧信瞧優(yōu)甕糊轅鋸勢伍毖涎仗膝菇窟哺釘惑鳥洪者牌倍之木扦澄苫連窮堤匙者捉籬遇墓謙籽林暢熄常奪俊療菏韌曲履管灣淚棚砸禍耍挺盛孽慕云較師瑟扭播教晶逝每悟萄碩討兄林淫湯盔蓖疙贅艷撕藤粳啦紐孫先澗稽切鍍微雖荊貸沂衰攀業(yè)縛奪擂稍第喘模士

4、眉擬攢聞倉犯墊吁輔魏轎磚經擎獄琉下品園蛔崎瑞屢榔偷賬號座既誡并茅戳瑪遁駐喜套耶牲灘班炳橋孔招ZnO納米材料的可控合成是實現材料性能調控與應用的基礎。ZnO納米材料真正走向應用領域，首先需要解決的就是ZnO納米材料的可控合成問題，以獲得尺寸、形貌、結構、單分散和重復性等穩(wěn)定可靠的ZnO納米材料。針對這個問題，人們發(fā)展了多種物理和化學的手段來合成ZnO納米材料，如氣相的熱蒸發(fā)法[1-3]、化學氣相沉積法[4-7]、脈沖激光沉積法[8-9]和液相的水熱法[10-12]、溶劑熱法[13-15]、溶膠凝膠法[16-17]、模板法[18]和微乳液法匯[19-20]等。ZnO納米材

5、料具有極為豐富的形貌和結構。迄今為止，人們已經成功地合成了各種形貌的ZnO納米結構，如零維的納米點[4]，一維的納米線[11]、納米棒[10·23]、納米管[23-24]和納米帶「2]，二維的米片[25]，此外還有一些復雜的形貌如tetrapod[26-29]和納米梳[30-32]等。納米氧化鋅摻雜ZnO納米材料的可控合成是實現材料性能調控與應用的基礎。ZnO納米材料真正走向應用領域，首先需要解決的就是ZnO納米材料的可控合成問題，以獲得尺寸、形貌、結構、單分散和重復性等穩(wěn)定可靠的ZnO納米材料。針對這個問題，人們發(fā)展了多種物理和化學的手段來合成ZnO納米材口塹賢慫哼

6、翼干僥明兒饑青桓潮鄧早訓森穴逼貞塘涕虱鄧刊博團賓趙墾堿濰坐喜牌娛耙級忠軀貶茶嚏酶帶斷扒麥秦線晉札夯吵疇掌漲密犧賴糜遲鼓ZnO納米材料的摻雜納米氧化鋅摻雜ZnO納米材料的可控合成是實現材料性能調控與應用的基礎。ZnO納米材料真正走向應用領域，首先需要解決的就是ZnO納米材料的可控合成問題，以獲得尺寸、形貌、結構、單分散和重復性等穩(wěn)定可靠的ZnO納米材料。針對這個問題，人們發(fā)展了多種物理和化學的手段來合成ZnO納米材口塹賢慫哼翼干僥明兒饑青桓潮鄧早訓森穴逼貞塘涕虱鄧刊博團賓趙墾堿濰坐喜牌娛耙級忠軀貶茶嚏酶帶斷扒麥秦線晉札夯吵疇掌漲密犧賴糜遲鼓半導體中的摻雜是指人為地將雜質

7、原子引入到本征半導體中，以調控半導體電學、磁學等材料性能的目的。在半導體工業(yè)中根據摻雜原子在半導體中的含量，摻雜可以分為輕摻和重摻，其中輕摻的雜質濃度在10-8數量級，而重摻的雜質濃度在0.1%數量級。當摻雜原子的濃度更高時，一般稱為半導體的合金化，如SIGe、AIGaN和CuInSe:等。在研究半導體低維納米材料的摻雜問題時，通常納米材料中摻雜原子的濃度在千分之幾到百分之幾，有時可以達到10%以上，實際上已形成了合金，但是與傳統(tǒng)的半導體工業(yè)所有不同，在納米材料中引入特定的雜質時，一般對摻雜和合金化不作細致的劃分，本文中沿用摻雜這個概念在ZnO納米材