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《芯片制造-半導(dǎo)體工藝設(shè)計(jì)教程》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫(kù)。
1、芯片制造-半導(dǎo)體工藝教程MicrochipFabrication????????----APracticalGuidetoSemicondutorProcessing??????????????????????????????????????????????目錄:第一章:半導(dǎo)體工業(yè)[1]??[2]??[3]第二章:半導(dǎo)體材料和工藝化學(xué)品[1]??[2]??[3]??[4]??[5]第三章:晶圓制備[1]??[2]??[3]第四章:芯片制造概述[1]??[2]??[3]第五章:污染控制[1]??[2]??[3]??[4]??[5]??[6]第六章:工藝良品率
2、[1]??[2]第七章:氧化第八章:基本光刻工藝流程-從表面準(zhǔn)備到曝光第九章:基本光刻工藝流程-從曝光到最終檢驗(yàn)第十章:高級(jí)光刻工藝第十一章:摻雜第十二章:淀積第十三章:金屬淀積第十四章:工藝和器件評(píng)估第十五章:晶圓加工中的商務(wù)因素第十六章:半導(dǎo)體器件和集成電路的形成第十七章:集成電路的類型第十八章:封裝附錄:術(shù)語(yǔ)表#1?第一章半導(dǎo)體工業(yè)--1芯片制造-半導(dǎo)體工藝教程點(diǎn)擊查看章節(jié)目錄byr53858概述本章通過(guò)歷史簡(jiǎn)介，在世界經(jīng)濟(jì)中的重要性以及縱覽重大技術(shù)的發(fā)展和其成為世界領(lǐng)導(dǎo)工業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)介紹半導(dǎo)體工業(yè)。并將按照產(chǎn)品類型介紹主要生產(chǎn)階段和解釋晶體管結(jié)構(gòu)
3、與集成度水平。目的完成本章后您將能夠：1.描述分立器件和集成電路的區(qū)別。2.說(shuō)明術(shù)語(yǔ)“固態(tài)，”“平面工藝”，““N””型和“P”型半導(dǎo)體材料。3.列舉出四個(gè)主要半導(dǎo)體工藝步驟。4.解釋集成度和不同集成水平電路的工藝的含義。5.列舉出半導(dǎo)體制造的主要工藝和器件發(fā)展趨勢(shì)。一個(gè)工業(yè)的誕生電信號(hào)處理工業(yè)始于由LeeDeforest在1906年發(fā)現(xiàn)的真空三極管。1真空三極管使得收音機(jī),電視和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品成為可能。它也是世界上第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)的大腦，這臺(tái)被稱為電子數(shù)字集成器和計(jì)算器（ENIAC）的計(jì)算機(jī)于1947年在賓西法尼亞的摩爾工程學(xué)院進(jìn)行首次演示。這臺(tái)電子計(jì)
4、算機(jī)和現(xiàn)代的計(jì)算機(jī)大相徑庭。它占據(jù)約1500平方英尺，重30噸，工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱，并需要一個(gè)小型發(fā)電站來(lái)供電，花費(fèi)了1940年時(shí)的400,000美元。ENIAC的制造用了19000個(gè)真空管和數(shù)千個(gè)電阻及電容器。真空管有三個(gè)元件，由一個(gè)柵極和兩個(gè)被其柵極分開(kāi)的電極在玻璃密封的空間中構(gòu)成(圖1.2)。密封空間內(nèi)部為真空，以防止元件燒毀并易于電子的====移動(dòng)。真空管有兩個(gè)重要的電子功能，開(kāi)關(guān)和放大。開(kāi)關(guān)是指電子器件可接通和切斷電流；放大則較為復(fù)雜，它是指電子器件可把接收到的信號(hào)放大，并保持信號(hào)原有特征的功能。真空管有一系列的缺點(diǎn)。體積大，連接處易于變松導(dǎo)致真
5、空泄漏、易碎、要求相對(duì)較多的電能來(lái)運(yùn)行，并且元件老化很快。ENIAC和其它基于真空管的計(jì)算機(jī)的主要缺點(diǎn)是由于真空管的燒毀而導(dǎo)致運(yùn)行時(shí)間有限。這些問(wèn)題成為許多實(shí)驗(yàn)室尋找真空管替代品的動(dòng)力，這個(gè)努力在1947年12月23曰得以實(shí)現(xiàn)。貝爾實(shí)驗(yàn)室的三位科學(xué)家演示了由半導(dǎo)體材料鍺制成的電子放大器。這種器件不但有真空管的功能，而且具有固態(tài)（無(wú)真空）、體積小、重量輕,、耗電低并且壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，起初命名為“傳輸電阻器”而后很快更名為晶體管（transistor）。JohnBarden,WalterBrattin和WilliamShockley,這三位科學(xué)家因他們的這一發(fā)明
6、而被授予1956年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。固態(tài)時(shí)代第一個(gè)晶體管和今天的高密度集成電路相去甚遠(yuǎn)，但它和它的許多著名的后裔賦予了固態(tài)電子時(shí)代的誕生。除晶體管之外,固態(tài)技術(shù)還用于制造二極管、電阻器和電容器。二極管為兩個(gè)元件的器件在電路中起到開(kāi)關(guān)的作用；電阻器是單元件的器件承擔(dān)限制電流的作用.；電容器為兩個(gè)元件的器件在電路中起存儲(chǔ)電荷的作用，在有些電路中應(yīng)用這種技術(shù)制造保險(xiǎn)絲。有關(guān)這些概念和器件工作原理的解釋請(qǐng)參見(jiàn)第14章。這些每個(gè)芯片中只含有一個(gè)器件的器件稱為分立器件（圖1.4）。大多數(shù)的分立器件在功能和制造上比集成電路有較少的要求。大體上，分立器件不被認(rèn)為是尖端產(chǎn)品，
7、然而它們卻用于最精密復(fù)雜的電子系統(tǒng)中。在1998年它們的銷(xiāo)售額占全部半導(dǎo)體器件銷(xiāo)售額的12%。2到20世紀(jì)50年代的早期半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)入了一個(gè)非?；钴S的時(shí)期，為晶體管收音機(jī)和晶體管計(jì)算機(jī)提供器件。集成電路分立器件的統(tǒng)治地位在1959年走到了盡頭。那一年，在得州儀器公司工作的新工程師JackyKilby在一塊鍺半導(dǎo)體材料上制成了一個(gè)完整的電路。他的發(fā)明由幾個(gè)晶體管、二極管、電容器和利用鍺芯片天然電阻的電阻器組成。這個(gè)發(fā)明就是集成電路（integratedcircuit），第一次成功地在一塊半導(dǎo)體基材上做出完整的電路。Kilby的電路并不是現(xiàn)今所普遍應(yīng)用的形式，
8、它是經(jīng)RobertNoyce，然后最終在FairchildCame
