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1、設(shè)計文件名稱EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter工藝操作規(guī)程T-IS-026產(chǎn)品型號名稱156×156多晶絨面電池共6頁第1頁1、工藝目的：通過化學反應(yīng)，將硅片上下表面的PN結(jié)刻斷，以達到正面與背面絕緣的目的；另外經(jīng)過化學反應(yīng)，刻蝕掉未被蠟覆蓋的硅片表面的一定深度，做選擇性發(fā)射極；最后用BDG去除inkjet工序中的噴涂的層蠟，用KOH藥液去除硅片表面的多孔硅；同時用HF去除表面的磷硅玻璃層。2、設(shè)備及工具：EdgeIsolation&PSGSelectiveEmi
2、tter、電子天平、PVC手套、口罩、防護服、防護眼罩、防護套袖、橡膠手套、防酸堿膠鞋、GPSolar電阻測試儀（邊緣電阻）、濃度分析儀等。3、適用范圍本工藝適用于EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter。4、職責本工藝操作規(guī)程由工藝工程師負責調(diào)試、修改、解釋。5、材料：合格的多晶硅片（INKJET后）、HF（49%,電子級，工作壓力3-5bar，KOH（49%,電子級，工作壓力3-5bar）、HNO3（65%，電子級，工作壓力3-5bar），DI水（工作壓力3-5ba
3、r）、壓縮空氣（工作壓力6-7bar，除油，除水，除粉塵），Butyldiglycol（2一（2一丁氧乙氧基）乙醇）（BDG）（100%，電子級，工作壓力3-5bar），冷卻水（入水：工作壓力3-4bar，最大入水溫度25°C，出水工作壓力：最大2bar），新鮮空氣（Freshair用于旋轉(zhuǎn)器腔室）（工作壓力100Pa），乙二醇（制冷機）。6、工藝描述：6.1、工藝條件：環(huán)境溫度：+22°Cto+24°C；環(huán)境濕度:45to65%RHat2024°C；設(shè)計文件名稱EdgeIsolation&PS
4、GSelectiveEmitter工藝操作規(guī)程T-IS-026共6頁第2頁206.2、工藝原理： EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter工藝主要包括三部分：HNO3+HF(周邊刻蝕)-----HNO3+HF（刻蝕掉一定深度的未被蠟層覆蓋的PN結(jié)）-----KOH+BDG+Antifoam（中和掉多余的酸以及去除硅片表面的的多孔硅和inkjet工序中噴涂的層蠟）-----HF(去除硅片表面的磷硅玻璃)。本工藝過程中，首先用滾輪將硝酸帶出將滾輪與硅片接觸的背面氧化，形成
5、氧化硅后，然后氫氟酸與氧化硅反應(yīng)生成絡(luò)合物六氟硅酸（H2SiF6），刻斷PN結(jié)，從而使正面與背面絕緣。然后硅片經(jīng)過噴淋HNO3+HF的混合藥液，將未被inkjet層蠟覆蓋的深PN結(jié)刻蝕掉一定深度，變成工藝要求的深度；選擇性刻蝕之后經(jīng)過KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，同時用BDG去除掉inkjet工序中噴涂的層蠟；最后利用HF酸將硅片正面的磷硅玻璃層去除；用DI水洗，壓縮空氣烘干硅片表面即可。主要反應(yīng)方程式如下：M2和M4槽：Si+4HNO3=SiO2+4NO2↑+2H2OSiO2+4HF=SiF
6、4↑+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6M６槽：暫無：6.3、工藝要求：1、刻蝕槽的刻蝕深度要控制在１.５±０.２um，絕緣電阻大于1KΩ。超出此（小于１.１）范圍要通知當班技術(shù)員進行調(diào)節(jié)，傳送系統(tǒng)的速度范圍控制在0.2-6.0m/min，正常工作狀態(tài)下的工作速度為1.58m/min，為保證設(shè)備碎片率較穩(wěn)定，應(yīng)盡量使各段傳輸速度一致。當工藝穩(wěn)定后每隔兩個小時（有待確定）測量一次刻蝕深度和絕緣電阻。2、當刻蝕深度偏離規(guī)定時應(yīng)當調(diào)節(jié)溫度或帶速，不允許手動添加化學試劑。當調(diào)節(jié)傳輸速度不能解決問題時
7、，由技術(shù)人員進行手動補液并做相應(yīng)的記錄，包括：時間、原因、補充量、簽字。3、刻邊槽（EdgeIsolation-Etch:x）的溫度要控制在１３0C以下，選擇性刻蝕槽（Emitter-Etch）的溫度要控制在4-100C，堿槽（Strip/Post-StripProcess）溫度要控制在250C以下，HF酸槽（PSG-Process）溫度要控制在２０℃內(nèi)。204、刻蝕完畢后，目測背面的刻痕寬度及正面陰影寬度（1次/小時），是否滿足工藝要求，當發(fā)現(xiàn)有連續(xù)超出要求時，應(yīng)通知當班技術(shù)員進行調(diào)節(jié)。5、刻
8、蝕槽內(nèi)的氣流直接影響刻蝕效果，因此通過調(diào)節(jié)排風量來保證刻蝕槽內(nèi)的氣流均勻穩(wěn)定，并且在正常生產(chǎn)時要保證所有工位的上蓋是關(guān)閉的。6.4、工藝控制點：1、主要質(zhì)量控制點：刻蝕深度控制在１.５±０.２之間，單位ｕｍ絕緣電阻≥1k歐姆。以上二個參數(shù)在正常生產(chǎn)時至少每隔兩個小時測量一次。當更換藥液和停產(chǎn)一段時間再生產(chǎn)時及參數(shù)不正常時，要求增加測量次數(shù)，確保工藝的正常運行，避免造成大量的不合格。1、刻蝕槽的刻蝕速率會隨著硅片清洗量的增加而改變，新?lián)Q的藥液反應(yīng)速度可能較慢，刻蝕量小，若出現(xiàn)此種情況，需要降低帶速
