反激式rcd吸收回路

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1、反激式開(kāi)關(guān)電源RCD吸收電路的設(shè)計(jì)對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話(huà)題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。┰谟懻撉拔覀兿茸鰩讉€(gè)假設(shè)，①開(kāi)關(guān)電源的工作頻率范圍:20~200KHZ；②RCD中的二極管正向?qū)〞r(shí)間很短（一般為幾十納秒）；③在調(diào)整RCD回路前主變壓器和MOS管，輸出線(xiàn)路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。有了以上幾個(gè)假設(shè)我們就可以先進(jìn)行計(jì)算：一﹑首先對(duì)MOS管的VD進(jìn)行分段：ⅰ，輸入的直流電壓VDC；ⅱ，次級(jí)反射初級(jí)的VOR；ⅲ，主MOS管

2、VD余量VDS；ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。二﹑對(duì)于以上主MOS管VD的幾部分進(jìn)行計(jì)算：ⅰ，輸入的直流電壓VDC。在計(jì)算VDC時(shí)，是依最高輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V，即DC375V。　　　VDC＝VAC*√2ⅱ，次級(jí)反射初級(jí)的VOR。VOR是依在次級(jí)輸出最高電壓,整流二極管壓降最大時(shí)計(jì)算的，如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo=5.25V計(jì)算），二極管VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）．VOR＝(VF　+Vo)*Np/Nsⅲ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%為最小值

3、．如KA05H0165R的VD=650應(yīng)選擇DC65V．VDC＝VD*10%ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD減去ⅰ，ⅲ三項(xiàng)就剩下VRCD的最大值。實(shí)際選取的VRCD應(yīng)為最大值的90%（這里主要是考慮到開(kāi)關(guān)電源各個(gè)元件的分散性，溫度漂移和時(shí)間飄移等因素的影響）。VRCD＝(VD-VDC-VDS)*90%注意：①VRCD是計(jì)算出理論值，再通過(guò)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行調(diào)整，使得實(shí)際值與理論值相吻合．②VRCD必須大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）③MOS管VD應(yīng)當(dāng)小于VDC的2倍．（如果大于2倍，則主MOS管的VD值就過(guò)大

4、了）④如果VRCD的實(shí)測(cè)值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影響電源效率。⑤VRCD是由VRCD1和VOR組成的ⅴ，RC時(shí)間常數(shù)τ確定．τ是依開(kāi)關(guān)電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個(gè)開(kāi)關(guān)電源周期。三﹑試驗(yàn)調(diào)整VRCD值首先假設(shè)一個(gè)RC參數(shù)，R=100K/RJ15,C=10nF/1KV。再上市電，應(yīng)遵循先低壓后高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗(yàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)嚴(yán)密注視RC元件上的電壓值，務(wù)必使VRCD小于計(jì)算值。如發(fā)現(xiàn)到達(dá)計(jì)算值，就應(yīng)當(dāng)立即斷電，待將R值減小后，重復(fù)以上試驗(yàn)。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容“＋”極的

5、RC一點(diǎn)上，測(cè)試點(diǎn)接到RC另一點(diǎn)上）一個(gè)合適的RC值應(yīng)當(dāng)在最高輸入電壓，最重的電源負(fù)載下，VRCD的試驗(yàn)值等于理論計(jì)算值。四﹑試驗(yàn)中值得注意的現(xiàn)象輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高，負(fù)載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓，重負(fù)載時(shí)VRCD的試驗(yàn)值如果大于以上理論計(jì)算的VRCD值，是否和（三）的內(nèi)容相矛盾哪？一點(diǎn)都不矛盾，理論值是在最高輸入電壓時(shí)的計(jì)算結(jié)果，而現(xiàn)在是低輸入電壓。重負(fù)載是指開(kāi)關(guān)電源可能達(dá)到的最大負(fù)載。主要是通過(guò)試驗(yàn)測(cè)得開(kāi)關(guān)電源的極限功率。五﹑RCD吸收電路中R值的功率選擇R的功率選擇是依實(shí)測(cè)VRCD的最大值，計(jì)算而得。實(shí)際選擇的功率應(yīng)大

6、于計(jì)算功率的兩倍。編后語(yǔ)：RCD吸收電路中的R值如果過(guò)小，就會(huì)降低開(kāi)關(guān)電源的效率。然而，如果R值如果過(guò)大，MOS管就存在著被擊穿的危險(xiǎn)。一、引言反激式變換器具有低成本，體積小，易于實(shí)現(xiàn)多路輸出等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于中小功率(≤100w)的電源中。但是，由于變壓器漏感的存在及其它分布參數(shù)的影響，反激式變換器在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷瞬間會(huì)產(chǎn)生很大的尖峰電壓，這個(gè)尖峰電壓嚴(yán)重危脅著開(kāi)關(guān)管的正常工作，必須采取措施對(duì)其進(jìn)行抑制，目前，有很多種方法可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的，其中的RCD箝位法以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉的特點(diǎn)而得以廣泛應(yīng)用，但是，由于RCD箝位電路的箝位電壓會(huì)隨著負(fù)載

7、的變化而變化，如果參數(shù)設(shè)計(jì)不合理，該電路或者會(huì)降低系統(tǒng)的效率，或者會(huì)達(dá)不到箝位要求而使開(kāi)關(guān)管損壞，本文介紹了反激式變換器中的RCD箝位電路的基本原理，給出了一套較為實(shí)用的設(shè)計(jì)方法。二、反激式變換器中RCD箝位電路的工作原理圖為RCD箝位電路在反激式變換器中的應(yīng)用。圖中：Vclamp:箝位電容兩端間的電壓Vin:輸入電壓VD:開(kāi)關(guān)管漏極電壓Lp:初級(jí)繞組的電感量Llk:初級(jí)繞組的漏感量該圖中RCD箝位電路的工作原理是：當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，能量存儲(chǔ)在Lp和Llk中，當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)閉時(shí)，Lp中的能量將轉(zhuǎn)移到副邊輸出,但漏感Llk中的能量將不會(huì)傳遞到副邊。如果沒(méi)有

8、RCD箝位電路，Llk中的能量將會(huì)在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷瞬間轉(zhuǎn)移到開(kāi)關(guān)管的漏源極間電容和電路中的其它雜散電容中，此時(shí)開(kāi)關(guān)管的漏極將會(huì)