畢設(shè)開題報(bào)告

《畢設(shè)開題報(bào)告》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。

1、畢設(shè)開題報(bào)告　　某某大學(xué)某某學(xué)院　　本科生畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）開題報(bào)告　　（2011屆）　　課題名稱：　　學(xué)生姓名：學(xué)號：　　指導(dǎo)教師：　　報(bào)告日期：　　　　2．本課題需要重點(diǎn)研究的關(guān)鍵問題、解決的思路及實(shí)現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)的可行性分析　　?關(guān)鍵問題　　1)如何提高TFET的開態(tài)電流；　　2)如何降低TFET亞閾值斜率；　　3)如何提高TFET的開態(tài)電流同時(shí)降低TFET的亞閾值斜率。　　?解決思路　　通過前期查閱相關(guān)書籍及論文，深入理解量子遂道效應(yīng)，從而進(jìn)一步了解TFET的原理。利用現(xiàn)有的量子力學(xué)和半導(dǎo)體物理的知

2、識(shí)，繼續(xù)理解TFET的結(jié)構(gòu)特性，探究如何才能通過改變結(jié)構(gòu)增強(qiáng)其性能。了解國內(nèi)外對TFET器件的研究現(xiàn)狀，獲得啟發(fā)，然后進(jìn)行進(jìn)一步研究?！　?可行性分析　　1)理論方面：雖然對TFET器件的研究還在逐步進(jìn)行，但由于傳統(tǒng)MOSFET的性能受　　到諸多因素的影響，TFET這種新的器件已經(jīng)被人們接受認(rèn)可，對其認(rèn)識(shí)也越來越深入，因此，這方面的資料也非常充足。　　2)計(jì)算方面：現(xiàn)在通過模擬和仿真，已經(jīng)可以得到TFET器件的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性，　　這對TFET的性能進(jìn)一步增強(qiáng)有著很大的幫助?！　?)國內(nèi)外研究成果：

3、20xx年9月，歐洲“高能效隧道場效應(yīng)晶體管開關(guān)和電路”　?。‥2SWITCH）項(xiàng)目立項(xiàng)啟動(dòng)，該項(xiàng)目目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)新型超低能耗電子系統(tǒng)，包括大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)和公司在內(nèi)的9所機(jī)構(gòu)將共同努力使“明天的電路”更節(jié)能。E2SWITCH項(xiàng)目任務(wù)是研發(fā)基于硅襯底隧道場效應(yīng)晶體管（TFET）異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的超低功率電子系統(tǒng)，并利用量子力學(xué)效應(yīng)使新晶體管的工作電壓僅是現(xiàn)在標(biāo)準(zhǔn)手機(jī)電路工作電壓的1/5。這是一個(gè)真正的挑戰(zhàn)，特別是在未來便攜式器件中獨(dú)立功能將出現(xiàn)爆炸式增長的情況下。英特爾也是看中了TFET的潛力的企業(yè)之一。作為以低

4、電壓工作的新一代晶體管技術(shù)，該公司以前就在大力開發(fā)TFET?！　∮⑻貭栐赟SDM2014上就TFET發(fā)表特邀演講，演講題目為“Tunnel-FETTransistorsfor13nmGate-LengthandBeyond”，由此可見，英特爾已將TFET作為10nm以后工藝的技術(shù)候補(bǔ)?！　|芝已經(jīng)開發(fā)出了可利用CMOS工藝制造，而且與以往的硅材料TFET相比在導(dǎo)通電流和工藝偏差方面更有利的TFET。此次開發(fā)的TFET有3種類型，分別根據(jù)設(shè)想應(yīng)用的電路塊對特性進(jìn)行了優(yōu)化。這三種TFET分別是（1）用于邏

5、輯部分、關(guān)態(tài)漏電流小、導(dǎo)通電流和工藝偏差取得平衡的TFET；（2）用于邏輯部分、關(guān)態(tài)漏電流小、導(dǎo)通電流大的TFET；（3）用于SRAM、工藝偏差小的TFET。后兩種是東芝和日本產(chǎn)綜研的共同開發(fā)成果。　　20xx年復(fù)旦大學(xué)的科研人員們把一個(gè)隧穿場效應(yīng)晶體管（TFET）和浮柵器件結(jié)合起來，構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)的器件，被稱為“半浮柵晶體管”。把TFET和浮柵相結(jié)合，半浮柵晶體管的“數(shù)據(jù)”擦寫便更加容易與迅速?！　　　〉诙寒厴I(yè)設(shè)計(jì)開題報(bào)告700字　　　　畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開題報(bào)告　　　　設(shè)計(jì)(論文

6、)題目：文本圖像特征提取技術(shù)研究學(xué)生姓名：劉秀學(xué)號：1021415018專業(yè)：電子信息工程所在學(xué)院：龍?bào)磳W(xué)院指導(dǎo)教師：吳杰職稱：講師　　20xx年12月18日　　開題報(bào)告填寫要求　　1．開題報(bào)告（含“文獻(xiàn)綜述”）作為畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）答辯委員會(huì)對學(xué)生答辯資格審查的依據(jù)材料之一。此報(bào)告應(yīng)在指導(dǎo)教師指導(dǎo)下，由學(xué)生在畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）工作前期內(nèi)完成，經(jīng)指導(dǎo)教師簽署意見及所在專業(yè)審查后生效；　　2．開題報(bào)告內(nèi)容必須用黑墨水筆工整書寫或按教務(wù)處統(tǒng)一設(shè)計(jì)的電子文檔標(biāo)準(zhǔn)格式打印，禁止打印在其它紙上后剪貼，完成后應(yīng)及時(shí)交

7、給指導(dǎo)教師簽署意見；　　3．“文獻(xiàn)綜述”應(yīng)按論文的框架成文，并直接書寫（或打印）在本開題報(bào)告第一欄目內(nèi)，學(xué)生寫文獻(xiàn)綜述的參考文獻(xiàn)應(yīng)不少于15篇（不包括辭典、手冊）；　　4．有關(guān)年月日等日期的填寫，應(yīng)當(dāng)按照國標(biāo)GB/T7408—94《數(shù)據(jù)元和交換格式、信息交換、日期和時(shí)間表示法》規(guī)定的要求，一律用阿拉伯?dāng)?shù)字書寫。如“20xx年4月26日”或“2004-04-26”?！　?.開題報(bào)告（文獻(xiàn)綜述）字體請按宋體、小四號書寫，行間距倍?！　‘厴I(yè)設(shè)計(jì)（論文）開題報(bào)告　　　　　　　　畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開題報(bào)告　　　　

8、　　畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開題報(bào)告