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1、畢設(shè)開題報(bào)告 某某大學(xué)某某學(xué)院 本科生畢業(yè)論文(設(shè)計(jì))開題報(bào)告 (2011屆) 課題名稱: 學(xué)生姓名:學(xué)號: 指導(dǎo)教師: 報(bào)告日期: 2.本課題需要重點(diǎn)研究的關(guān)鍵問題、解決的思路及實(shí)現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)的可行性分析 ?關(guān)鍵問題 1)如何提高TFET的開態(tài)電流; 2)如何降低TFET亞閾值斜率; 3)如何提高TFET的開態(tài)電流同時(shí)降低TFET的亞閾值斜率。 ?解決思路 通過前期查閱相關(guān)書籍及論文,深入理解量子遂道效應(yīng),從而進(jìn)一步了解TFET的原理。利用現(xiàn)有的量子力學(xué)和半導(dǎo)體物理的知
2、識(shí),繼續(xù)理解TFET的結(jié)構(gòu)特性,探究如何才能通過改變結(jié)構(gòu)增強(qiáng)其性能。了解國內(nèi)外對TFET器件的研究現(xiàn)狀,獲得啟發(fā),然后進(jìn)行進(jìn)一步研究?! ?可行性分析 1)理論方面:雖然對TFET器件的研究還在逐步進(jìn)行,但由于傳統(tǒng)MOSFET的性能受 到諸多因素的影響,TFET這種新的器件已經(jīng)被人們接受認(rèn)可,對其認(rèn)識(shí)也越來越深入,因此,這方面的資料也非常充足。 2)計(jì)算方面:現(xiàn)在通過模擬和仿真,已經(jīng)可以得到TFET器件的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性, 這對TFET的性能進(jìn)一步增強(qiáng)有著很大的幫助?! ?)國內(nèi)外研究成果:
3、20xx年9月,歐洲“高能效隧道場效應(yīng)晶體管開關(guān)和電路” ?。‥2SWITCH)項(xiàng)目立項(xiàng)啟動(dòng),該項(xiàng)目目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)新型超低能耗電子系統(tǒng),包括大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)和公司在內(nèi)的9所機(jī)構(gòu)將共同努力使“明天的電路”更節(jié)能。E2SWITCH項(xiàng)目任務(wù)是研發(fā)基于硅襯底隧道場效應(yīng)晶體管(TFET)異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的超低功率電子系統(tǒng),并利用量子力學(xué)效應(yīng)使新晶體管的工作電壓僅是現(xiàn)在標(biāo)準(zhǔn)手機(jī)電路工作電壓的1/5。這是一個(gè)真正的挑戰(zhàn),特別是在未來便攜式器件中獨(dú)立功能將出現(xiàn)爆炸式增長的情況下。英特爾也是看中了TFET的潛力的企業(yè)之一。作為以低
4、電壓工作的新一代晶體管技術(shù),該公司以前就在大力開發(fā)TFET?! ∮⑻貭栐赟SDM2014上就TFET發(fā)表特邀演講,演講題目為“Tunnel-FETTransistorsfor13nmGate-LengthandBeyond”,由此可見,英特爾已將TFET作為10nm以后工藝的技術(shù)候補(bǔ)?! |芝已經(jīng)開發(fā)出了可利用CMOS工藝制造,而且與以往的硅材料TFET相比在導(dǎo)通電流和工藝偏差方面更有利的TFET。此次開發(fā)的TFET有3種類型,分別根據(jù)設(shè)想應(yīng)用的電路塊對特性進(jìn)行了優(yōu)化。這三種TFET分別是(1)用于邏
5、輯部分、關(guān)態(tài)漏電流小、導(dǎo)通電流和工藝偏差取得平衡的TFET;(2)用于邏輯部分、關(guān)態(tài)漏電流小、導(dǎo)通電流大的TFET;(3)用于SRAM、工藝偏差小的TFET。后兩種是東芝和日本產(chǎn)綜研的共同開發(fā)成果。 20xx年復(fù)旦大學(xué)的科研人員們把一個(gè)隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)和浮柵器件結(jié)合起來,構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)的器件,被稱為“半浮柵晶體管”。把TFET和浮柵相結(jié)合,半浮柵晶體管的“數(shù)據(jù)”擦寫便更加容易與迅速?! 〉诙寒厴I(yè)設(shè)計(jì)開題報(bào)告700字 畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)開題報(bào)告 設(shè)計(jì)(論文
6、)題目:文本圖像特征提取技術(shù)研究學(xué)生姓名:劉秀學(xué)號:1021415018專業(yè):電子信息工程所在學(xué)院:龍?bào)磳W(xué)院指導(dǎo)教師:吳杰職稱:講師 20xx年12月18日 開題報(bào)告填寫要求 1.開題報(bào)告(含“文獻(xiàn)綜述”)作為畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)答辯委員會(huì)對學(xué)生答辯資格審查的依據(jù)材料之一。此報(bào)告應(yīng)在指導(dǎo)教師指導(dǎo)下,由學(xué)生在畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)工作前期內(nèi)完成,經(jīng)指導(dǎo)教師簽署意見及所在專業(yè)審查后生效; 2.開題報(bào)告內(nèi)容必須用黑墨水筆工整書寫或按教務(wù)處統(tǒng)一設(shè)計(jì)的電子文檔標(biāo)準(zhǔn)格式打印,禁止打印在其它紙上后剪貼,完成后應(yīng)及時(shí)交
7、給指導(dǎo)教師簽署意見; 3.“文獻(xiàn)綜述”應(yīng)按論文的框架成文,并直接書寫(或打印)在本開題報(bào)告第一欄目內(nèi),學(xué)生寫文獻(xiàn)綜述的參考文獻(xiàn)應(yīng)不少于15篇(不包括辭典、手冊); 4.有關(guān)年月日等日期的填寫,應(yīng)當(dāng)按照國標(biāo)GB/T7408—94《數(shù)據(jù)元和交換格式、信息交換、日期和時(shí)間表示法》規(guī)定的要求,一律用阿拉伯?dāng)?shù)字書寫。如“20xx年4月26日”或“2004-04-26”?! ?.開題報(bào)告(文獻(xiàn)綜述)字體請按宋體、小四號書寫,行間距倍?! ‘厴I(yè)設(shè)計(jì)(論文)開題報(bào)告 畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)開題報(bào)告
8、 畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)開題報(bào)告