mic基礎知識簡介

《mic基礎知識簡介》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應用文檔-天天文庫。

1、傳聲器基礎知識簡介：一，傳聲器的定義：：傳聲器是一個聲-電轉(zhuǎn)換器件（也可以稱為換能器或傳感器），是和喇叭正好相反的一個器件（電→聲）。是聲音設備的兩個終端，傳聲器是輸入，喇叭是輸出。傳聲器又名麥克風，話筒，咪頭，咪膽等.二，傳聲器的分類：1，從工作原理上分：炭精粒式電磁式電容式駐極體電容式（以下介紹以駐極體式為主）壓電晶體式，壓電陶瓷式二氧化硅式等2，從尺寸大小分,駐極體式又可分為若干種.Φ9.7系列產(chǎn)品Φ8系列產(chǎn)品Φ6系列產(chǎn)品Φ4.5系列產(chǎn)品Φ4系列產(chǎn)品Φ3系列產(chǎn)品每個系列中又有不同的高度3，從傳聲器的方向性，可分為全向，單向

2、，雙向（又稱為消噪式）4，從極化方式上分，振膜式,背極式,前極式從結(jié)構(gòu)上分又可以分為柵極點焊式,柵極壓接式,極環(huán)連接式等5，從對外連接方式分普通焊點式：L型帶PIN腳式：P型同心圓式：S型三，駐極體傳聲器的結(jié)構(gòu)以全向MIC,振膜式極環(huán)連接式為例1，防塵網(wǎng)：保護傳聲器，防止灰塵落到振膜上，防止外部物體刺破振膜，還有短時間的防水作用。2，外殼：整個傳聲器的支撐件，其它件封裝在外殼之中，是傳聲器的接地點，還可以起到電磁屏蔽的作用。111，振膜：是一個聲-電轉(zhuǎn)換的主要零件，是一個繃緊的特氟窿塑料薄膜粘在一個金屬薄圓環(huán)上,薄膜與金屬環(huán)接觸

3、的一面鍍有一層很薄的金屬層,薄膜可以充有電荷，也是組成一個可變電容的一個電極板，而且是可以振動的極板。4:墊片：支撐電容兩極板之間的距離，留有間隙，為振膜振動提供一個空間，從而改變電容量。5:極板：電容的另一個電極，并且連接到了FET的G極上。6:極環(huán)：連接極板與FET的G極，并且起到支撐作用。7:腔體：固定極板和極環(huán)，從而防止極板和極環(huán)對外殼短路（FET的S，G極短路）。8:PCB組件：裝有FET，電容等器件，同時也起到固定其它件的作用。9:PIN：有的傳聲器在PCB上帶有PIN，可以通過PIN與其他PCB焊接在一起,起連接另

4、外前極式,,背極式在結(jié)構(gòu)上也略有不同.二，、傳聲器的電原理圖：FETDRLVSGSCOOUTPUTCCIC2MICGFET(場效應管)MIC的主要器件,起到阻抗變換或放大的作用,C;是一個可以通過膜片震動而改變電容量的電容,聲電轉(zhuǎn)換的主要部件.C1,C2是為了防止射頻干擾而設置的,可以分別對兩個射頻頻段的干擾起到抑制作用.RL:負載電阻,它的大小決定靈敏度的高低.VS:工作電壓,MIC提供工作電壓:CO:隔直電容,信號輸出端.三，駐極體傳聲器的工作原理：由靜電學可知，對于平行板電容器，有如下的關(guān)系式：11C=ε·S/L……①即電

5、容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)成正比，與兩個極板的面積成正比，與兩個極板之間的距離成反比。另外，當一個電容器充有Q量的電荷，那麼電容器兩個極板要形成一定的電壓，有如下關(guān)系式；C=Q/V……②對于一個駐極體傳聲器，內(nèi)部存在一個由振膜，墊片和極板組成的電容器，因為膜片上充有電荷，并且是一個塑料膜，因此當膜片受到聲壓強的作用，膜片要產(chǎn)生振動，從而改變了膜片與極板之間的距離，從而改變了電容器兩個極板之間的距離，產(chǎn)生了一個Δd的變化，因此由公式①可知，必然要產(chǎn)生一個ΔC的變化，由公式②又知，由于ΔC的變化，充電電荷又是固定不變的，因此必然產(chǎn)生一

6、個ΔV的變化。這樣初步完成了一個由聲信號到電信號的轉(zhuǎn)換。由于這個信號非常微弱，內(nèi)阻非常高，不能直接使用，因此還要進行阻抗變換和放大。FET場效應管是一個電壓控制元件，漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控制。由于電容器的兩個極是接到FET的S極和G極的，因此相當于FET的S極與G極之間加了一個Δv的變化量，F(xiàn)ET的漏極電流I就產(chǎn)生一個ΔID的變化量，因此這個電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一個ΔVD的變化量，這個電壓的變化量就可以通過電容C0輸出，這個電壓的變化量是由聲壓引起的，因此整個傳聲器就完成了一個聲電的轉(zhuǎn)換過程。一，傳聲器的主

7、要技術(shù)指標：傳聲器的測試條件;MIC的使用應規(guī)定其工作電壓和負載電阻,不同的使用條件,其靈敏度的大小有很大的影響電壓電阻1，消耗電流：即傳聲器的工作電流主要是FET在VSG=0時的電流，根據(jù)FET的分檔，可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對于工作電壓低、負載電阻大的情況下,對于工作電流就有嚴格的要求,由電原理圖可知VS=VSD+ID×RLID=(VS-VSD)/RL式中IDFET在VSG等于零時的電流RL為負載電阻VSD,即FET的S與D之間的電壓降VS為標準工作電壓總的要求100μA〈IDS〈500μA2，靈敏度：單位聲壓強下

8、所能產(chǎn)生電壓大小的能力。單位：V/Pa或dBV/Pa有的公司使用是dBV/μBar-40dBV/Pa=-60dBV/μBar0dBV/Pa=1V/Pa聲壓強Pa=1N/m23，輸出阻抗：基本相當于負載電阻RL(1-70%)之間。4，方向性及頻響特性曲線：11a，