mosfet開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

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1、OFweek電源網(wǎng)–中國(guó)電源行業(yè)門戶MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。MOSFET開關(guān)損耗1開通過(guò)程中MOSFET開關(guān)損耗???????功率MOSFET的柵極電荷特性如圖1所示。值得注意的是：下面的開通過(guò)程對(duì)應(yīng)著BUCK變換器上管的開通狀態(tài)，對(duì)于下管是0電壓開通，因此開關(guān)損耗很小，可以忽略不計(jì)。圖1MOSFET開關(guān)過(guò)程中柵極電荷特性?開通過(guò)程中，從t0時(shí)刻起，柵源極間電容開始充電，

2、柵電壓開始上升，柵極電壓為????????其中：，VGS為PWM柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出電壓，Ron為PWM柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部串聯(lián)導(dǎo)通電阻，Ciss為MOSFET輸入電容，Rg為MOSFET的柵極電阻。?VGS電壓從0增加到開啟閾值電壓VTH前，漏極沒(méi)有電流流過(guò)，時(shí)間t1為VGS電壓從VTH增加到米勒平臺(tái)電壓VGP的時(shí)間t2為OFweek電源網(wǎng)–中國(guó)電源行業(yè)門戶VGS處于米勒平臺(tái)的時(shí)間t3為t3也可以用下面公式計(jì)算：????????注意到了米勒平臺(tái)后，漏極電流達(dá)到系統(tǒng)最大電流ID，就保持在電路決定的恒定最大值ID，漏極電壓開始下降，MOSFET

3、固有的轉(zhuǎn)移特性使柵極電壓和漏極電流保持比例的關(guān)系，漏極電流恒定，因此柵極電壓也保持恒定，這樣?xùn)艠O電壓不變，柵源極間的電容不再流過(guò)電流，驅(qū)動(dòng)的電流全部流過(guò)米勒電容。過(guò)了米勒平臺(tái)后，MOSFET完全導(dǎo)通，柵極電壓和漏極電流不再受轉(zhuǎn)移特性的約束，就繼續(xù)地增大，直到等于驅(qū)動(dòng)電路的電源的電壓。??MOSFET開通損耗主要發(fā)生在t2和t3時(shí)間段。下面以一個(gè)具體的實(shí)例計(jì)算。輸入電壓12V，輸出電壓3.3V/6A，開關(guān)頻率350kHz，PWM柵極驅(qū)動(dòng)器電壓為5V，導(dǎo)通電阻1.5Ω，關(guān)斷的下拉電阻為0.5Ω，所用的MOSFET為AO4468，具體參數(shù)

4、為Ciss=955pF，Coss=145pF，Crss=112pF，Rg=0.5Ω；當(dāng)VGS=4.5V，Qg=9nC；當(dāng)VGS=10V，Qg=17nC，Qgd=4.7nC，Qgs=3.4nC；當(dāng)VGS=5V且ID=11.6A，跨導(dǎo)gFS=19S；當(dāng)VDS=VGS且ID=250μA，VTH=2V；當(dāng)VGS=4.5V且ID=10A，RDS(ON)=17.4mΩ。開通時(shí)米勒平臺(tái)電壓VGP：計(jì)算可以得到電感L=4.7μH.，滿載時(shí)電感的峰峰電流為1.454A，電感的谷點(diǎn)電流為5.273A，峰值電流為6.727A，所以，開通時(shí)米勒平臺(tái)電壓VG

5、P=2+5.273/19=2.278V，可以計(jì)算得到：?OFweek電源網(wǎng)–中國(guó)電源行業(yè)門戶開通過(guò)程中產(chǎn)生開關(guān)損耗為???????開通過(guò)程中，Crss和米勒平臺(tái)時(shí)間t3成正比，計(jì)算可以得出米勒平臺(tái)所占開通損耗比例為84%，因此米勒電容Crss及所對(duì)應(yīng)的Qgd在MOSFET的開關(guān)損耗中起主導(dǎo)作用。Ciss=Crss+Cgs，Ciss所對(duì)應(yīng)電荷為Qg。對(duì)于兩個(gè)不同的MOSFET，兩個(gè)不同的開關(guān)管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時(shí)，A管的開關(guān)損耗就有可能大于B管。因此在實(shí)際選取MOSFET時(shí)，需要優(yōu)

6、先考慮米勒電容Crss的值。???????減小驅(qū)動(dòng)電阻可以同時(shí)降低t3和t2，從而降低開關(guān)損耗，但是過(guò)高的開關(guān)速度會(huì)引起EMI的問(wèn)題。提高柵驅(qū)動(dòng)電壓也可以降低t3時(shí)間。降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓，提高跨導(dǎo)，也可以降低t3時(shí)間從而降低開關(guān)損耗。但過(guò)低的閾值開啟會(huì)使MOSFET容易受到干擾誤導(dǎo)通，增大跨導(dǎo)將增加工藝復(fù)雜程度和成本。2關(guān)斷過(guò)程中MOSFET開關(guān)損耗????????關(guān)斷的過(guò)程如圖1所示，分析和上面的過(guò)程相同，需注意的就是此時(shí)要用PWM驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的下拉電阻0.5Ω和Rg串聯(lián)計(jì)算，同時(shí)電流要用最大電流即峰值電流6.72

7、7A來(lái)計(jì)算關(guān)斷的米勒平臺(tái)電壓及相關(guān)的時(shí)間值：VGP=2+6.727/19=2.354V。關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生開關(guān)損耗為：Crss一定時(shí)，Ciss越大，除了對(duì)開關(guān)損耗有一定的影響，還會(huì)影響開通和關(guān)斷的延時(shí)時(shí)間，開通延時(shí)為圖1中的t1和t2，圖2中的t8和t9。OFweek電源網(wǎng)–中國(guó)電源行業(yè)門戶圖2斷續(xù)模式工作波形Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過(guò)程的影響1Coss產(chǎn)生的開關(guān)損耗???????通常，在MOSFET關(guān)斷的過(guò)程中，Coss充電，能量將儲(chǔ)存在其中。Coss同時(shí)也影響MOSFET關(guān)斷過(guò)程中的電壓的上升率dVDS/dt，Coss越大，dV

8、DS/dt就越小，這樣引起的EMI就越小。反之，Coss越小，dVDS/dt就越大，就越容易產(chǎn)生EMI的問(wèn)題。但是，在硬開關(guān)的過(guò)程中，Coss又不能太大，因?yàn)镃oss儲(chǔ)存的能量將在MOSFET開通的過(guò)程中，放電釋放能量，將產(chǎn)生更多的功