碩士研究生學位論文

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1、碩士研究生學位論文題目:標題姓名:學號:院系:專業(yè):研究方向:導師姓名:二〇一年月版權聲明任何收存和保管本論文各種版本的單位和個人,未經(jīng)本論文作者同意,不得將本論文轉借他人,亦不得隨意復制、抄錄、拍照或以任何方式傳播。否則,引起有礙作者著作權之問題,將可能承擔法律責任。致謝摘要某某問題是…….本文本研究得到某某基金(編號:XXX)資助。采用了……研究表明…….關鍵詞:關鍵詞1,關鍵詞2,關鍵詞3……III致謝ENGLISHTITLEAuthorName(Major)DirectedbyyourSupervisorABSTRACTInenvi

2、ronmentaleconomics,environmentalresourcesincludingenvironmentalqualityarecategorizedasamenityresources.Duetoitsimportancetohumanwelfare,theamenityresourcestheoreticalstudyandvaluationisanongoingissueattheacademicfrontierintheenvironmentaleconomicsarea.KEYWORDS:Keyword1,Key

3、word2,Keyword3,……III致謝目錄摘要IABSTRACTII目錄III第一章引言11.1Ⅲ族氮化物(GaN基半導體)材料的基本性質11.1.1Ⅲ族氮化物半導體的晶體結構1第二章研究進展22.1環(huán)境中黑炭的主要來源2第四章圖表示例4第五章結論及展望5參考文獻6附錄A附錄示例8致謝9北京大學學位論文原創(chuàng)性聲明和使用授權說明10注:目錄從第1章開始,前邊因頁眉需要設置了標題,實際使用時更新后去掉前邊部分。使用時請刪除本注釋。如本示例,更新目錄后刪除前邊三項(摘要、ABSTRACT、目錄)即可。III致謝第一章引言第1章用了“順序編碼

4、制索引文獻”樣式,采用后全文都只能采用這種方式。自20世紀50年代后期集成電路問世以來,固體電子器件的小型化和集成度便在高速、低能耗、和高存儲密度的要求下持續(xù)迅速地提高。半導體集成電路經(jīng)過近幾十年來的發(fā)展,在Moore定律“大約每18個月芯片的集成度增加一倍”的預言推動下,硅基微電子芯片的特征線寬已經(jīng)從Intel第一代處理器的10μm縮小到了2011年應用于第三代Core處理器的22nm[1,2],目前正在向14nm工藝發(fā)展。隨著器件的縮小,尺寸限制所帶來的量子效應也趨于明顯。當器件尺寸達到與電子的費米波長相比擬的長度時,離散能級以及干涉、

5、隧穿等量子效應就會對器件中的電子輸運產(chǎn)生決定性的影響。這些小尺度下的新現(xiàn)象和新效應既是對傳統(tǒng)半導體器件的挑戰(zhàn),也為開發(fā)新型器件提供了機遇。如何突破傳統(tǒng)器件的設計思路,利用這些量子效應來實現(xiàn)更高效、低能耗的計算,成為了物理學中的一個研究熱點[3-5]?!?1.1Ⅲ族氮化物(GaN基半導體)材料的基本性質Ⅲ族氮化物是一類具有寬帶隙、強極化和鐵電性的半導體材料。常見的Ⅲ族氮化物如AlN、GaN和InN都是直接帶隙半導體……………….………….1.1.1Ⅲ族氮化物半導體的晶體結構………….9致謝第一章引言第1章用了“順序編碼制索引文獻”樣式,采

6、用后全文都只能采用這種方式。自20世紀50年代后期集成電路問世以來,固體電子器件的小型化和集成度便在高速、低能耗、和高存儲密度的要求下持續(xù)迅速地提高。半導體集成電路經(jīng)過近幾十年來的發(fā)展,在Moore定律“大約每18個月芯片的集成度增加一倍”的預言推動下,硅基微電子芯片的特征線寬已經(jīng)從Intel第一代處理器的10μm縮小到了2011年應用于第三代Core處理器的22nm[1,2],目前正在向14nm工藝發(fā)展。隨著器件的縮小,尺寸限制所帶來的量子效應也趨于明顯。當器件尺寸達到與電子的費米波長相比擬的長度時,離散能級以及干涉、隧穿等量子效應就會對

7、器件中的電子輸運產(chǎn)生決定性的影響。這些小尺度下的新現(xiàn)象和新效應既是對傳統(tǒng)半導體器件的挑戰(zhàn),也為開發(fā)新型器件提供了機遇。如何突破傳統(tǒng)器件的設計思路,利用這些量子效應來實現(xiàn)更高效、低能耗的計算,成為了物理學中的一個研究熱點[3-5]?!?1.1Ⅲ族氮化物(GaN基半導體)材料的基本性質Ⅲ族氮化物是一類具有寬帶隙、強極化和鐵電性的半導體材料。常見的Ⅲ族氮化物如AlN、GaN和InN都是直接帶隙半導體……………….………….1.1.1Ⅲ族氮化物半導體的晶體結構………….9致謝第二章研究進展本章為“著者-出版年制”索引文獻示例,實際寫作時只能選擇

8、本章和第1章索引文獻方法之一,不得混用。2.1環(huán)境中黑炭的主要來源環(huán)境中黑炭(blackcarbon)氣溶膠的主要來源包括各種化石燃料和生物質燃料的不完全燃燒過程(Pennere

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