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《微波低噪聲晶體管設(shè)計(jì)》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、畢業(yè)設(shè)計(jì)論文微波低噪聲晶體管設(shè)計(jì)教學(xué)單位:電子信息學(xué)院專業(yè)名稱:電子科學(xué)與技術(shù)（IC設(shè)計(jì)）學(xué)號(hào):學(xué)生姓名:指導(dǎo)教師:指導(dǎo)單位:微電子技術(shù)系完成時(shí)間:2011年5月10日電子科技大學(xué)中山學(xué)院教務(wù)處制發(fā)‘29電子科技大學(xué)中山學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）任務(wù)書題目名稱微波低噪聲晶體管設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)（撰寫）內(nèi)容本次畢業(yè)設(shè)計(jì)的內(nèi)容和要求：1、通過閱讀文獻(xiàn)資料，掌握微波低噪聲晶體管的工作原理、基本結(jié)構(gòu)、制造工藝和性能特點(diǎn)。2、掌握微波低噪聲晶體管的設(shè)計(jì)方法和設(shè)計(jì)工具。3、完成性能達(dá)到規(guī)定指標(biāo)的微波低噪聲晶體管的縱向參數(shù)設(shè)計(jì)、橫向參數(shù)設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)。預(yù)期目標(biāo)本次畢業(yè)設(shè)計(jì)預(yù)期目標(biāo)，是針對(duì)我國(guó)在通信系統(tǒng)方面
2、的要求，設(shè)計(jì)出能達(dá)到下列指標(biāo)的微波低噪聲晶體管：工作頻率f=2GHz，最大耗散功率PCM=30mW，最大工作電流ICmax=10mA，電源電壓VCC=6V，噪聲系數(shù)NF<2.5dB，功率增益Kp=7dB。成果形式論文設(shè)計(jì)（撰寫）地點(diǎn)電子科技大學(xué)中山學(xué)院起止時(shí)間2010年12月10日至2011年5月10日指導(dǎo)單位微電子技術(shù)系指導(dǎo)教師2010年12月1日審核意見審核簽名年月日29電子科技大學(xué)中山學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）成績(jī)?cè)u(píng)定表設(shè)計(jì)（撰寫）過程評(píng)語：指導(dǎo)教師：年月日成績(jī)論文評(píng)閱評(píng)語：評(píng)閱教師：年月日成績(jī)論文答辯評(píng)語：答辯組長(zhǎng)：年月日成績(jī)總分審核人：年月日29微波低噪聲晶體管設(shè)計(jì)摘要微波低噪聲晶
3、體管是通信系統(tǒng)接收端的關(guān)鍵電子器件，廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信、衛(wèi)星、導(dǎo)彈等領(lǐng)域內(nèi)，對(duì)經(jīng)濟(jì)和軍事領(lǐng)域的發(fā)展都有極其重要的意義。微波低噪聲晶體管其主要參數(shù)指標(biāo)為高的頻率特性和低的噪聲系數(shù)，本文首先對(duì)晶體管的頻率和噪聲等方面的特性進(jìn)行了理論分析，在此基礎(chǔ)上，根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)，進(jìn)行了微波低噪聲晶體管的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)、橫向結(jié)構(gòu)參數(shù)等的計(jì)算和選取，并對(duì)特征頻率、噪聲系數(shù)、功率增益等主要參數(shù)進(jìn)行了核算，結(jié)果為=3.63GHz、=2.45、=6.5dB，驗(yàn)證了該設(shè)計(jì)基本達(dá)到設(shè)計(jì)要求；在結(jié)構(gòu)方面，采用了具有緩沖基區(qū)的結(jié)構(gòu)；在圖形方面，采用梳狀結(jié)構(gòu)；最后給出亞微米發(fā)射區(qū)寬度微波低噪聲晶體管的工藝流程，并畫出了所設(shè)計(jì)
4、的微波低噪聲晶體管的圖形。關(guān)鍵詞：微波；低噪聲；緩沖基區(qū)；梳狀結(jié)構(gòu)29TheDesignofMicrowaveLow-noiseTransistorAbstractThelow-noisymicrowavetransistoristhepivotaldeviceofthesinkofcommunicationsystems.Itiswidelyappliedtoradar,communications,satellite,missilery,etc.Anditisveryimportancetothedevelopmentbothofeconomyandmilitary.Theprim
5、aryparametersofthelow-noisymicrowavetransistorarehigh-frequencyandlow-noise.Thispaperfirstlyanalyzedthetransistor’sspecialistoffrequency,powerandnoise.Onthisbasis,basingtotheindexofthedesign,itchosetheparametersoflengthwaysandtransversestructureofthetransistor.Thenitaccountedtheprimaryparameters
6、andtheresultare:fT=3.63GHz,NF=2.45dB,KP=6.5dB.Itvalidatedthedesignisachievetotheplanrequest.Inthestructuralaspect,itadoptedthestructurewhichhasbufferbasis.Inthefigureaspect,itadoptcomb.Atlastitgaveflowsoftheprocessofthelow-noisymicrowavetransistor,anddrawnthecell-picturedesigned.Keywords:microwa
7、ve;low-noise;bufferbase;combstructure2929目錄1緒論11.1微波低噪聲晶體管概述11.2微波低噪聲晶體管的發(fā)展歷程及現(xiàn)狀11.3本文研究的主要內(nèi)容22晶體管設(shè)計(jì)理論42.1晶體管的頻率特性42.1.1電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系42.1.2晶體管的特征頻率52.1.3晶體管的高頻優(yōu)值62.2晶體管的噪聲特性82.2.1噪聲與噪聲系數(shù)82.2.2晶體管的噪聲源82.2.3噪聲系數(shù)與頻率、工作電流的關(guān)系92.2.
