單片開關(guān)電源原理及應(yīng)用

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1、單片開關(guān)電源原理及應(yīng)用

2、第1內(nèi)容顯示中l(wèi)unouseg(this)">　　　　　?。?）振蕩器　　內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值UH、UL之間周期性地線性充放電，以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需要的鋸齒波（SA）　　脈寬調(diào)制器是一個電壓反饋式控制電路，它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小，即可調(diào)節(jié)占空比D，實現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器，濾掉開關(guān)噪聲電壓之后，加至P比較器的同相輸入端，再與鋸齒波電壓UJ進(jìn)行比較，產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號UB。　?。?）門驅(qū)動級和輸出級　　門驅(qū)動級（F）用于驅(qū)動功率開關(guān)管(MOSF

3、ET)，使之按一定速率導(dǎo)通，從而將共模電磁干擾減至最小。漏源導(dǎo)通電阻與產(chǎn)品型號和芯片結(jié)溫有關(guān)。MOSFET管的漏源擊穿電壓U(bo)ds≥700V?！　。?）過流保護(hù)電路　　過流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT，同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外，芯片還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A?！　。?）過熱保護(hù)電路　　當(dāng)芯片結(jié)溫TJ>135℃時，過熱保護(hù)電路就輸出高電平，將觸發(fā)器Ⅱ置位，Q=1，，關(guān)斷輸出級。此時進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式，Uc端波形也變成幅度為4.7V～5.7V的鋸齒波。若要重新起動電路

4、，需斷電后再接通電源開關(guān)；或者將控制端電壓降至3.3V以下，達(dá)到Uc(reset)值，再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零，使MOSFET恢復(fù)正常工作。　?。?）關(guān)斷/自起動電路　　一旦調(diào)節(jié)失控，關(guān)斷/自動重起動電路立即使芯片在5％占空比下工作，同時切斷從外部流入C端的電流，Uc再次進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除，Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式，自動重新起動電源恢復(fù)正常工作。自動重起動的頻率為1.2Hz?！　。?0）高壓電流源　　在起動或滯后調(diào)節(jié)模式下，高壓電流源經(jīng)過電子開關(guān)S1給內(nèi)部電路提供偏置，并且對Ct進(jìn)行充電。電源正常工作時S1改接內(nèi)部電源，將高壓電流源關(guān)

5、斷?！　‘?dāng)TOP開關(guān)起動操作時，在控制端環(huán)路振蕩電路的控制下，漏極端有電流流入芯片，提供開環(huán)輸入。該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器時，由控制端進(jìn)行閉環(huán)調(diào)整，改變Ir，經(jīng)由P控制MOSFET的輸出占空比，最后達(dá)到動態(tài)平衡。3TOP開關(guān)的典型應(yīng)用3.112V/30PS的全部功能，所以利用它設(shè)計出的開關(guān)電源周期短，成本低，對于小功率電源，簡單，體積小，重量輕。隨著TOP開關(guān)系列的不斷發(fā)展與改進(jìn)，其在開關(guān)電源及其它應(yīng)用領(lǐng)域中必將有著更加燦爛的前景。