高級微電子技術(shù)

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1、高級微電子技術(shù)208目錄第一章引言5高級微電子技術(shù)—微電子中的人類智慧5第二章微電子中的辯證法72.1自動增益控制(AGC)的原理及方法72.1.1AGC雙極型晶體管72.1.2AGC電路82.2雙柵MOSFET202.3密勒電容效應(yīng)及應(yīng)用252.3.1密勒電容概念252.3.2密勒電容效應(yīng)分析272.3.3減弱密勒電容效應(yīng)的方法282.3.4密勒電容效應(yīng)的應(yīng)用29第三章異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管HBT323.1半導體異質(zhì)結(jié)333.2HBT的概念和理論363.2.1HBT理論基礎(chǔ)363.2.2HBT設(shè)計規(guī)則453.2.3HBT材料體系4

2、63.3SiGeHBT513.3.1SiGe材料的基本特性513.3.2SiGe基區(qū)HBT（窄禁帶基區(qū)HBT）543.3.3SiGe發(fā)射區(qū)區(qū)HBT（窄禁帶發(fā)射區(qū)HBT）57第四章新型功率器件634.1VDMOS和IGBT634.1.1VDMOS634.1.2IGBT664.2橫向結(jié)構(gòu)功率器件704.2.1LDMOS704.2.2LIGBT724.2.3陽極短路LIGBT744.2.4肖特基注入場效應(yīng)晶體管SINFET754.2.5SiGe陽極LIGBT774.2.6場板LDMOS804.2.7RESURFLDMOS814.2.8

3、LDMOS峰值電場終極解決方法：高K介質(zhì)LDMOS824.3功率器件的里程碑——超結(jié)器件854.4高K介質(zhì)功率器件874.4.1高K電場調(diào)制效應(yīng)在縱向器件上的應(yīng)用874.4.2高K的載流子超強積累效應(yīng)904.4.3高K超級功率器件93第五章閉鎖效應(yīng)的危害和應(yīng)用1005.1閉鎖效應(yīng)1002085.2可控硅1035.2.1可控硅元件1035.2.2SCR閂鎖效應(yīng)模型1055.2.3可控硅元件的工作原理1055.2.4基本伏安特性1065.2.5可控硅元件的主要參數(shù)1085.2.6可控硅的應(yīng)用1105.3高耐壓ESD保護結(jié)構(gòu)1145.

4、3.1ESD概念1145.3.2ESD放電模型1165.3.3ESD測試方法1215.3.4ESD保護器件124第六章雙柵MOSFET在抗輻射加固設(shè)計中的應(yīng)用1366.1概述1366.2雙柵MOSFET的應(yīng)用1376.3雙柵晶體管結(jié)構(gòu)及其優(yōu)化1406.4抗總劑量輻射雙柵晶體管的性能仿真1426.4.1NMOS高壓晶體管的基本性能及抗總劑量性能仿真研究1426.4.2雙柵晶體管的MEDICI軟件仿真研究145第七章EEPROM和FLASH1507.1非揮發(fā)性存儲器技術(shù)1507.1.1概述1507.1.2非揮發(fā)性存儲器技術(shù)的發(fā)展15

5、07.2EEPROM1517.2.1概述1517.2.2EEPROM的FLOTOX管結(jié)構(gòu)1517.2.3EEPROM編程機制1537.3FLASH1547.3.1FLASH結(jié)構(gòu)及工作方式1547.3.2FLASH類型1577.3.3FLASH發(fā)展趨勢159第八章可編程邏輯器件CPLD和FPGA1638.1可編程邏輯器件（PLD）1638.1.1概述1638.1.2可編程邏輯器件發(fā)展歷程1678.2CPLD(ComplexProgrammableLogicDevice)1768.2.1乘積項結(jié)構(gòu)CPLD邏輯實現(xiàn)原理1768.2.2

6、基于乘積項的CPLD結(jié)構(gòu)1798.3FPGA(FieldProgrammableGateArray)1828.3.1查找表結(jié)構(gòu)FPGA邏輯實現(xiàn)原理1838.3.2基于查找表的FPGA結(jié)構(gòu)1878.4選擇CPLD還是FPGA1938.4.1CPLD定義及特點1938.4.2FPGA定義及特點1942088.4.3FPGA和CPLD的選擇1958.4.4CPLD的使用和調(diào)試1988.4.5FPGA的使用和調(diào)試1998.5可編程邏輯器件發(fā)展趨勢203208第一章引言高級微電子技術(shù)—微電子中的人類智慧如果說科學技術(shù)是第一生產(chǎn)力，那么人類

7、智慧就是第一生產(chǎn)力最根本的推動力。從亙古跋涉過來人類的先民在不斷認識世界改造世界的過程中，創(chuàng)造了豐富燦爛的文明，一項宏偉工程或一個小發(fā)明都無不閃耀著人類智慧。都江堰水利工程便是人類智慧最璀璨的結(jié)晶之一。位于四川省都江堰市城西的都江堰，是中國古代建設(shè)并使用至今的大型水利工程，被譽為“世界水利文化的鼻祖”。通常認為，都江堰水利工程是由秦國蜀郡太守李冰父子率眾于前256年左右修建的，是全世界迄今為止，年代最久、唯一留存、以無壩引水為特征的宏大水利工程。該工程以“深掏灘，低壘堰”為指導思想，正確處理魚嘴分水堤、飛沙堰泄洪道、寶瓶口引水口

8、等主體工程的關(guān)系，使其相互依賴，功能互補，巧妙配合，渾然一體，形成布局合理的系統(tǒng)工程，聯(lián)合發(fā)揮分流分沙、泄洪排沙、引水疏沙的重要作用，使其枯水不缺，洪水不淹。都江堰的三大部分，集中體現(xiàn)了“乘勢利導、因時制宜”的人類智慧，科學地解決了江水自動分流、自動排沙、控制進