器件應(yīng)力降額總規(guī)范(艾默生)

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1、器件規(guī)范規(guī)范編碼：版本：V2.1密級：內(nèi)部公開ENP研發(fā)部執(zhí)筆人：物料品質(zhì)部修訂：2005年10月器件應(yīng)力降額總規(guī)范艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司器件規(guī)范規(guī)范編碼：版本：V2.1密級：內(nèi)部公開ENP研發(fā)部執(zhí)筆人：物料品質(zhì)部修訂：2005年10月修訂信息表版本修訂人修訂時間修訂內(nèi)容V2.0劉海濤、劉善中、王樹明、姚天寶、凌太華、朱勇、楊愛泉、朱吉新、胡全年、胡楠、黎曉東、艾項德、王文建、陳憲濤、陳亞秋、羅眉、易序馥2002-11-301、產(chǎn)品保修期等級及I、II工作區(qū)定義；2、器件應(yīng)力考核點(diǎn)定義及考核系數(shù)調(diào)整；3、增加“器件考核點(diǎn)的測試或計算”說明；4、器件應(yīng)力降額查檢表修改和調(diào)整；5、增加

2、器件關(guān)鍵用法查檢；6、增加查檢器件種類；V2.1劉海濤、劉善中、王樹明、姚天寶、朱勇、楊愛泉、朱吉新、胡全年、胡楠、王文建、陳憲濤、陳亞秋、羅眉、易序馥2005-10-301、新增“產(chǎn)品額定工作點(diǎn)”定義；2、對7類器件在產(chǎn)品額定工作點(diǎn)下的關(guān)鍵應(yīng)力降額系數(shù)進(jìn)行了規(guī)定，這些器件包括：MOSFET、IGBT、晶閘管、整流橋、功率二極管、三極管、鋁電解電容器；3、除上述器件外，也對部分其它器件，如IC器件、鉭電解、保險管等的I、II區(qū)降額系數(shù)根據(jù)實(shí)際使用情況作了適當(dāng)?shù)男抻啠?、在保險管規(guī)范中，新增了“半導(dǎo)體保護(hù)用熔斷器”降額規(guī)定；5、對應(yīng)降額規(guī)范的修訂，上述器件的“器件工作應(yīng)力與降額查檢表

3、”作了相應(yīng)的調(diào)整。艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司器件應(yīng)力降額總規(guī)范（V2.1）目錄前言31目的32適用范圍43關(guān)鍵詞44引用/參考標(biāo)準(zhǔn)或資料45規(guī)范內(nèi)容45.0產(chǎn)品保修期等級、產(chǎn)品I、II工作區(qū)、產(chǎn)品額定工作點(diǎn)定義55.1功率MOSFET降額規(guī)范75.2IGBT降額規(guī)范135.3晶閘管降額規(guī)范185.4整流橋降額規(guī)范235.5功率二極管降額規(guī)范275.6信號二極管降額規(guī)范325.7穩(wěn)壓二極管降額規(guī)范355.8TVS器件降額規(guī)范385.9發(fā)光二極管、數(shù)碼管降額規(guī)范435.10三極管降額規(guī)范455.11光耦降額規(guī)范505.12脈寬調(diào)制器降額規(guī)范535.13數(shù)字集成電路降額規(guī)范575.14運(yùn)放比

4、較器降額規(guī)范595.15電壓調(diào)整器類降額規(guī)范615.16二次電源模塊(BMP)降額規(guī)范645.17液晶顯示模塊降額規(guī)范675.18晶體諧振器降額規(guī)范705.19晶體振蕩器降額規(guī)范735.20非固體鋁電解電容降額規(guī)范765.21固體鉭電解電容器降額規(guī)范875.22薄膜電容器降額規(guī)范915.23陶瓷電容器降額規(guī)范94第148頁共159頁艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司器件應(yīng)力降額總規(guī)范（V2.1）5.24固定金膜、厚膜、網(wǎng)絡(luò)、線繞電阻器降額規(guī)范965.25電位器降額規(guī)范1005.26陶瓷NTC熱敏電阻器降額規(guī)范1035.27高分子PTC熱敏電阻器降額規(guī)范1065.28電磁元件降額規(guī)范1085.2

5、9霍爾傳感器降額規(guī)范1115.30溫度繼電器降額規(guī)范1135.31電磁繼電器降額規(guī)范1155.32接觸器降額規(guī)范1215.33斷路器降額規(guī)范1245.34隔離器、刀開關(guān)和熔斷器組合電器降額規(guī)范1265.35電源小開關(guān)降額規(guī)范1285.36信號小開關(guān)降額規(guī)范1305.37保險管降額規(guī)范1325.38電連接器降額規(guī)范1355.39風(fēng)扇降額規(guī)范1375.40蜂鳴器降額規(guī)范1395.41壓敏電阻降額規(guī)范1416附錄1456.1低壓電器有關(guān)降額要求說明1456.2偏離降額的處理流程1476.3器件工作應(yīng)力與降額查檢表（V2.1）填寫使用說明149第148頁共159頁艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司器件

6、應(yīng)力降額總規(guī)范（V2.1）前言本規(guī)范由艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司研發(fā)部發(fā)布實(shí)施，適用于本公司的產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)及相關(guān)活動。本規(guī)范為《器件應(yīng)力降額總規(guī)范》V2.1版，該版本自發(fā)布之日起，其前一版本（V2.0版）作廢；《器件應(yīng)力降額總規(guī)范》V2.1版主要對V2.0版的以下內(nèi)容進(jìn)行了修改：1、在V2.0版規(guī)范I、II工作區(qū)定義的基礎(chǔ)上，增加了產(chǎn)品“額定工作點(diǎn)”的定義，使規(guī)范更全面地覆蓋產(chǎn)品應(yīng)用實(shí)際情況；2、對7類器件在產(chǎn)品額定工作點(diǎn)下的關(guān)鍵應(yīng)力降額系數(shù)進(jìn)行了規(guī)定，這些器件包括：MOSFET、IGBT、晶閘管、整流橋、功率二極管、三極管、鋁電解電容器；3、上述器件和部分其它器件（如鉭電解、保險管等

7、）的I、II區(qū)降額系數(shù)根據(jù)實(shí)際使用情況作了適當(dāng)?shù)男抻?，兼顧可靠性與成本，使之更趨合理；4、在保險管規(guī)范中，增加了“半導(dǎo)體保護(hù)用熔斷器”降額規(guī)定；5、對應(yīng)降額規(guī)范的修訂，上述器件的“器件工作應(yīng)力與降額查檢表”作了相應(yīng)的調(diào)整。本規(guī)范由本公司各產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)部門遵照執(zhí)行；本規(guī)范擬制部門：中試物料品質(zhì)試驗部；本規(guī)范擬制人：劉海濤、劉善中、王樹明、姚天寶、朱勇、楊愛泉、朱吉新、胡全年、胡楠、王文建、陳憲濤、陳亞秋、羅眉、易序馥、凌太華、艾相德、黎曉東本規(guī)范批準(zhǔn)人：研發(fā)管理辦；返回