分立元件手冊范本

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1、WORD完美格式附錄A：國內(nèi)外半導體器件命名方法1.中國半導體器件命名法按照國家標準GB-249-74規(guī)定的命名方法如表A-1。表A-1國產(chǎn)晶體管型號組成部分的符號及其意義第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目用漢語拼音字母表示器件材料與極性用漢語拼音字母表示器件類型用數(shù)字表示器件序號用字母表示器件規(guī)格號符號意義符號意義符號意義2二極管ABCDN型：鍺材料P型：鍺材料N型：硅材料P型：硅材料PVWCZLSNUKXGDATYBJCSBTFHPINJG普通管微波管穩(wěn)壓管參量管整流管整流堆隧道管阻尼管光電管開頭管低頻小功率管（fa<3MH

2、z;Pc<1W）高頻小功率管（fc<3MHz;Pc<1W)低頻大功率管（fD<3MHz;Pc≥1W）高頻大功率管(fa≥3MHz,Pc≥1W)半導體閘流管體效應管雪崩管階躍恢復管場效應管特殊器件復合管PIN型管激光器件3三極管ABCDEPNP型：鍺材料NPN型：鍺材料PNP型：硅材料NPN型：硅材料化合物材料示例1：鍺PNP型高頻小功率三極管3AG11C三極管規(guī)格號序號PNP型，鍺材料高頻小功率2.日本半導體器件命名法日本晶體管型號均按日本工業(yè)標準JIS—C—7012規(guī)定的日本半導體分立器件型號命名方法命名。日本半導體分立器件型號由五個基本部分組成，這五個基

3、本部分的符號及其意義如表A-2所示。日本半導體分立器件的型號，除上述5個基本部分外，有時還附加有后綴字母及符號，以便進一步說明該器件的特點。這些字母、符號和它們所代表的意義，往往是各公司自己規(guī)定的。后綴的第一個字母，一般是說明器件特定用途的。常見的有以下幾種：M：表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上自衛(wèi)參謀部的有關標準。技術資料專業(yè)整理WORD完美格式N：表示該器件符合日本廣播協(xié)會（NHK）的有關標準。H：是日立公司專門為通信工業(yè)制造的半導體器件。K：是日立公司專門為通信工業(yè)制造的半導體器件，并用采用塑封外殼。Z：是松下公司專門為通信設備制造的高可靠性器件。G：是東

4、芝公司為通信設備制造的器件。S：是三洋公司為通信設備制造的器件。后綴的第二個字母常用來作為器件的某個參數(shù)的分檔標志。例如，日立公司生產(chǎn)的一些半導體器件，是用A、B、C、D等標志說明該器件的β值分檔情況。表A-2日本晶體管型號組成部分的符號及其意義第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型日本電子工業(yè)協(xié)會（JEIA）注冊標志用字母表示器件使用材料極性和類型器件在日本電子工業(yè)協(xié)會（JEIA）登記號同一型號的改進型產(chǎn)品標志符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義0123n-1光電二極管或三極管及其組合管二極管三極管或具有三個電極的其他

5、器件具有四個有效電極的器件...具有n個有效電極的器件S已在日本電子工業(yè)協(xié)會（JEIA）注冊的半導體器件ABCDFGJKMPNP：高頻晶體管NPN：低頻晶體管PNP：高頻晶體管NPN：低頻晶體管P：控制可控硅N：基極單結晶體管P：溝道場效應管N：溝道場效應管雙向可控硅多位數(shù)字該器件在日本電子工業(yè)協(xié)會（JEIA）的登記號，性能相同而廠家不同的生產(chǎn)的器件可使用同一個登記號ABCD.....表示這一器件是原型號的改進產(chǎn)品3.歐洲晶體管型號命名法前西德、法國、意大利、荷蘭等參加歐洲共同市場的國家和一些東歐諸國如匈牙利、羅馬尼亞、波蘭等國，大都使用國際電子聯(lián)合的標準半

6、導體分立器件型號命名方法對晶體管型號命名。這種命名法由四個基本部分組成。這四個基本部分的符號及其意義如表11-19所示。表A-3歐洲晶體管型號組成部分的符號及其意義第一部分第二部分第三部分第四部分用數(shù)字表示器件使用的材料用字母表示器件的類型及主要特征用數(shù)字或字母表示登記號用字母表示同一器件進行分檔符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義A器件使用禁帶為0.6~1.0電子伏特的半導體材料如鍺料A檢波二極管開關二極管混頻二極管M封閉磁路中霍爾元件三位數(shù)字代表通用半導體器件的登記號ABC......表示同一型號的半導體器件按某一參數(shù)進行分檔的標志B變?nèi)荻O管P光敏

7、器件管（fa≥3）B器件合作禁帶為1.0~1.3電子伏特的半導體材料如硅C低頻小功率三極管Rtj﹥15℃/WQ發(fā)光二極管D低頻大功率三極管Rtj﹥15℃/WR小功率可控硅Rtj﹥15℃/WC器件使用禁帶大于1.3電子伏特的半導體材料如鎵E隧道二極管S小功率功率開關管Rtj﹥15℃/WF高頻小功率三極管Rtj﹥15℃/WT大功率開關管Rtj﹤15℃/W一個字母二位數(shù)字代表專用半導體器件的登記號（同一類型器件使用一個登記號）D器件使用禁帶大于0.6電子伏特的半導體材料如銻化鋁G復膈器件及其他器件U大功率開關率Rtj﹤15℃/WH磁敏二極管X倍增二極管RK開放磁路

8、中的霍爾元件Y整流二極管技術資料專業(yè)整理WORD完美