資源描述：
《碩士學(xué)位論文_ⅡⅥ族半導(dǎo)體量子點的規(guī)模化合成及其光伏器件研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、學(xué)位論文密級單位代碼—_r碾污歹—一學(xué)號200801030035II-VI族半導(dǎo)體量子點的規(guī)?；铣杉捌涔夥骷芯縿⑿旅分笇?dǎo)教師姓名蔣陽教授申請學(xué)位級別工學(xué)博士專業(yè)名稱材料物理與化學(xué)論文提交日期2011年9月論文答辯日期學(xué)位授予單位和日期合肥工業(yè)大學(xué)答辯委員會主席評閱人張庶元教授2011年9月—●■■一r●J_lI一＼I溉烘_＼1合肥工業(yè)大學(xué)博士學(xué)位論文II一Ⅵ族半導(dǎo)體量子點的規(guī)?；铣杉捌涔夥骷芯孔髡咝彰荷暾垖W(xué)位：指導(dǎo)教師：專業(yè)：研究方向：合肥工業(yè)大學(xué)2011年9月ADissertationSubmittedtoHefeiUni
2、versityofTechnologyfortheDegreeofDoctorofPhilosophyResearchonLarge-ScaleSynthesisofII．VISemiconductorQuantumDotsandPhotovoltaieDeviceFabricationByLiuXinmeiSupervisedbyProf．JiangYangHefeiUniversityofTechnologyHefei，Anhui，P．R．ChinaSeptember,201合肥工業(yè)大學(xué)本論文經(jīng)答辯委員會全體委員審查，確認(rèn)符合合肥工業(yè)
3、大學(xué)博士學(xué)位論文質(zhì)量要求。主席：委員：答辯委員會簽名(工作單位、職稱)御、穢、l導(dǎo)師：、中鬩鐘叛大學(xué)擬纜鈕泓啄撇肥≯礎(chǔ)薌次黢敬凝襲代弘托象新同行評審專家名單同行評議專家名單張庶元教授中國科技大學(xué)余大斌教授解放軍電子工程學(xué)院史鐵鈞教授合肥工業(yè)大學(xué)鳳儀教授合肥工業(yè)大學(xué)陳翌慶教授合肥工業(yè)大學(xué)答辯委員會名單張庶元教授中國科技大學(xué)余大斌教授解放軍電子工程學(xué)院史鐵鈞教授合肥工業(yè)大學(xué)鳳儀教授合肥工業(yè)大學(xué)陳翌慶教授合肥工業(yè)大學(xué)答辯委員會主席張庶元教授中國科技大學(xué)獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知．
4、除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得金膽王些太堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同i作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名：j腳簽字日期：三卅j年，，月爭日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解金起王些盔堂有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)金起王些太堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制
5、手段保存、匯編學(xué)位論文。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書)．●學(xué)位論文作者簽名：立、1翻))勻簽字日期：)礦1年11月吁日學(xué)位論文作者畢業(yè)去向：工作單位：虧I而≥學(xué)p屯導(dǎo)師簽名：簽字日期劉’If年。7月乒日電話：通訊地址：虧面州辛肖3彳、哥龜力約墨郵編：nr州名摘要溶膠半導(dǎo)體量子點由于具有優(yōu)異的隨尺寸、形貌變化的物理化學(xué)性質(zhì)和靈活的溶液加工性，而使之在基礎(chǔ)及應(yīng)用研究中具有重要的意義?；诹孔狱c的光伏電池的電池效率被認(rèn)為有可能超越傳統(tǒng)肖特基電池和硅基電池32％的極限效率而倍受關(guān)注。發(fā)展各種化學(xué)方法合成高質(zhì)量量子點，是推動半導(dǎo)體量子點走向
6、規(guī)?；瘧?yīng)用的前提和基礎(chǔ)。目前，制備高質(zhì)量半導(dǎo)體量子點的主要方法仍然是高溫?zé)嶙⑸浞ê驮诖嘶A(chǔ)上發(fā)展的一些替代方法。這些方法不但使用了毒性較大、價格昂貴的物質(zhì)作原料和溶劑，還需要在較高溫度下迅速注入冷的前驅(qū)體并快速攪拌，不適合規(guī)模化合成與生產(chǎn)。因此，探索和發(fā)展操作條件溫和，原料成本低廉，對環(huán)境污染小，且有利于規(guī)模化生產(chǎn)的合成高質(zhì)量半導(dǎo)體納米晶的方法，具有重要意義。本論文的主要工作是發(fā)展“綠色”低成本合成路線，實現(xiàn)II一Ⅵ族化合物半導(dǎo)體量子點的規(guī)?；铣桑惶接懠{米晶的成核與生長機(jī)理；研究基于II一Ⅵ族半導(dǎo)體量子點／共軛聚合物的新型無機(jī)／有機(jī)雜化
7、太陽能電池制備工藝和光電轉(zhuǎn)換機(jī)制，為量子點太陽能電池的研究提供新思路。取得的主要研究成果如下：1．用乙酸鎘為鎘源，單質(zhì)Se或二氧化硒為Se源，N．油酰基嗎啡啉作為溶劑和反應(yīng)介質(zhì)，通過簡單的“一鍋法”制備得到了顆粒粒徑極小的CdSe“幻簇”量子點，尖銳而波長恒定的吸收帶邊及狹窄的吸收半峰寬表明所制備的CdSe“幻簇”具有單一的尺寸和固定不變的顆粒大小。通過改變反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、硒前體的種類、初始Cd／se摩爾比等條件控制單體的活性，合成了純的具有不同幻數(shù)的三種“幻簇”，其第一激予吸收峰分別位于391rim、461nm和51lnm。通過加入
8、不同長鏈脂肪酸鈍化“幻簇”量子點表面，控制反應(yīng)溫度，合成了量子產(chǎn)率高、發(fā)光性能穩(wěn)定的單基質(zhì)白光CdSe量子點。2．采用直接加熱前驅(qū)體硬脂酸鎘和s粉及溶劑N．油酰基嗎啡啉的“一鍋法”合成了尺寸分
