用于腦部電阻抗斷層成像的高穩(wěn)定性恒流源的設(shè)計(jì)

用于腦部電阻抗斷層成像的高穩(wěn)定性恒流源的設(shè)計(jì)

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1、用于腦部電阻抗斷層成像的高穩(wěn)定性恒流源的設(shè)計(jì)史學(xué)濤,尤富生,霍旭陽(yáng),付峰,劉銳崗,董秀珍【關(guān)鍵詞】電阻抗斷層成像;恒流源;分布電容;屏蔽驅(qū)動(dòng) Designofacurrentsourcepedancetomographysystem【Abstract】AIM:Toimprovethestabilityofthecurrentsourceforbrainelectricalimpedancetomography(EIT)dataacquisitionsystem.METHODS:Ashieldguardtec

2、hniqueployedtominimizetheshuntingeffectofthestraycapacitanceofetime,anoutputcurrentpensatingmethodultiplexersstraycapacitance.RESULTS:Thesimulationresultsshoethodsaximumrelativecurrenterrorona1.5kΩloaddroppedfrom7%to0.4%inaximumrelativecurrenterroronthislo

3、adethodforethodforcurrentsourcecaneffectivelyimprovethestabilityofcurrentsourcesoutputcurrent.【Keypedancetomography;currentsource;straycapacitance;shieldguard【摘要】目的:提高腦部電阻抗斷層成像數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的恒流源的輸出穩(wěn)定度.方法:采用屏蔽驅(qū)動(dòng)的方法減弱電極導(dǎo)線(xiàn)分布電容的分流作用,同時(shí)采取輸出電流補(bǔ)償?shù)姆椒▽?duì)多路開(kāi)關(guān)上的分布電容分流作用進(jìn)行補(bǔ)償.結(jié)果

4、:仿真結(jié)果表明通過(guò)這些措施后流經(jīng)1.5kΩ負(fù)載的激勵(lì)電流的幅度在工作頻率范圍內(nèi)最大相對(duì)偏差可由原來(lái)的7%降至0.4%以下.最終所實(shí)現(xiàn)的激勵(lì)源的最大相對(duì)偏差也小于1%.結(jié)論:所采取的電極導(dǎo)線(xiàn)屏蔽驅(qū)動(dòng)和輸出電流補(bǔ)償?shù)姆椒梢赃_(dá)到有效提高恒流源輸出電流穩(wěn)定度的目的.【關(guān)鍵詞】電阻抗斷層成像;恒流源;分布電容;屏蔽驅(qū)動(dòng)電阻斷層抗成像(electricalimpedancetomography,EIT)是一種通過(guò)體表弱電信號(hào)激勵(lì)和體表電信號(hào)測(cè)量的方法獲取目標(biāo)區(qū)域(某一斷面)內(nèi)組織電阻抗分布信息,并以圖像的方式反映出來(lái)

5、的新型醫(yī)學(xué)成像技術(shù)〔1〕.與現(xiàn)有的成像技術(shù)相比,該技術(shù)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)備小巧、易于操作、無(wú)創(chuàng)無(wú)害等特點(diǎn),在對(duì)機(jī)體生理或病理狀態(tài)的功能成像等方面有著誘人的應(yīng)用前景,吸引著國(guó)內(nèi)外眾多的學(xué)者,是近年來(lái)生物醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一.其中,高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研制是該技術(shù)的研究重點(diǎn)和難點(diǎn)之一.我們目前的研究目標(biāo)是利用EIT技術(shù)研制一種能實(shí)現(xiàn)對(duì)人腦出血、腦水腫等疾病進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間圖像監(jiān)護(hù)的儀器.由于有顱骨這樣高電阻率組織的存在〔2〕,腦部EIT測(cè)量時(shí),目標(biāo)區(qū)域電阻率相對(duì)較高,同時(shí)又由于顱骨的影響,由顱內(nèi)組織電阻率變化所導(dǎo)

6、致的體表電信號(hào)的變化量也相對(duì)較弱,因而對(duì)相應(yīng)的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)提出了更高的要求〔3〕.本研究以提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中恒流源的輸出穩(wěn)定度為目標(biāo),分析影響系統(tǒng)工作時(shí)輸出電流穩(wěn)定性的主要因素,并以屏蔽驅(qū)動(dòng)和輸出補(bǔ)償?shù)姆绞饺趸@些因素的影響,達(dá)到提高輸出穩(wěn)定度的目的.1原理目前的EIT數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)多采用電流激勵(lì)、電壓測(cè)量的工作模式.測(cè)量時(shí),以等間距貼于目標(biāo)外周的16或32個(gè)電極中的1對(duì)(或多對(duì))進(jìn)行激勵(lì),注入一定頻率的弱激勵(lì)電流,同時(shí)測(cè)量其余電極對(duì)上的電壓差〔4〕.理想情況下,恒流源的輸出阻抗無(wú)窮大,此時(shí)不論負(fù)載阻抗如何變

7、化,流經(jīng)負(fù)載的電流始終是恒定值,因而通過(guò)電壓與電流間的比值可精確求解出測(cè)量電極間的傳輸阻抗.但如圖1所示,對(duì)于實(shí)際的EIT系統(tǒng),雖然恒流源自身的輸出阻抗可以達(dá)到數(shù)MΩ以上的水平,但由于激勵(lì)電流要通過(guò)多路開(kāi)關(guān)和長(zhǎng)達(dá)1m以上的電極導(dǎo)線(xiàn)才能進(jìn)入目標(biāo)區(qū)域,多路開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻、公共端等效電容、等效輸入電容以及電極導(dǎo)線(xiàn)的雜散電容等因素會(huì)對(duì)激勵(lì)電流形成一定的影響.為分析這些因素的影響,我們?cè)O(shè)恒流源輸出阻抗為Zs,多路開(kāi)關(guān)公共端等效電容為C1、任意一對(duì)相鄰的輸入端等效并聯(lián)電容為C2、各通道的導(dǎo)通電阻為R,同時(shí),假設(shè)負(fù)載阻抗

8、為ZLoad,導(dǎo)線(xiàn)間電容為Cline.在忽略導(dǎo)線(xiàn)電阻的情況下,可以得到恒流源工作時(shí)的等效電路(圖2).此時(shí),令C=C2//Cline=C2+Cline,可得實(shí)際流過(guò)負(fù)載的電流Iload:式中,ω為激勵(lì)電流的角頻率.可以看出,Iload不僅會(huì)隨負(fù)載阻抗而變化,同時(shí)還會(huì)隨激勵(lì)信號(hào)頻率的改變而改變.由于我們的系統(tǒng)要求在1~200kHz的頻率范圍內(nèi)提供相對(duì)可靠的阻抗信息,同時(shí),前期的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,腦EIT成像時(shí),采用準(zhǔn)對(duì)

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