單片機(jī)硬件結(jié)構(gòu)

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1、§2.2MCS-51單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析§2.3MCS-51單片機(jī)的引腳功能§2.4MCS-51的存儲器組織§2.5MCS-51CPU時序第2章MCS-51單片機(jī)硬件結(jié)構(gòu)§2.6MCS-51低功耗運(yùn)行方式及編程MCS-51系列MCS-51系列基本的51系列單片機(jī)803180518751增強(qiáng)的51系列單片機(jī)803280528752區(qū)別：8051/8751單片機(jī)中含有ROM/EPROM，而8031中沒有，使用時需外接一片EPROM型號ROMEPROMRAMT/CI/OINT803280528KB87528K

2、B256B256B256B333并串444111666二、MCS-51系列單片機(jī)的差異51子系列型號ROMEPROMRAMT/CI/OINT803180514KB87514KB128B128B128B222并串44411155580318051(基本型)803152子系列請見：P21表1-4P22表1-551系列產(chǎn)品§2.2MCS-51單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析RAMP0口串行口定時器計(jì)數(shù)器特殊功能寄存器（SFR）中斷系統(tǒng)P2口P1口P3口ROM/EPROMCPU內(nèi)部總線VccVssXTAL1XTAL2PSE

3、NEAALERESETP2.0~P2.7P0.0~P0.788P1.0~P1.78P3.0~P3.78面向用戶的結(jié)構(gòu)共40條引線(內(nèi)特性)用戶外特性圖2-2MCS-51功能框圖P32邏輯結(jié)構(gòu)框圖40引腳，雙列直插式結(jié)構(gòu)RST/VPDP3.1P3.2P3.3P3.4P3.5P3.6P3.7P3.0P1.1P1.2P1.3P1.4P1.5P1.6P1.7P1.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0RXDTXDINT

4、0INT1T0WRRDT1XTAL1XTAL2VssVccEA/VPPALE/PROGPSEN803189C5140393837363534333231302928272625242322211234567891011121314151617181920§2.3MCS-51單片機(jī)的引腳功能用戶外特性P0口:I/O口或數(shù)據(jù)總線/低8位地址總線復(fù)用口P1口:I/O口P3口:I/O口或第2功能口P2口:I/O口或高8位地址總線控制總線控制總線時鐘復(fù)位引腳2、管腳的功能（1）電源Vcc：(40腳）接+5V電源

5、(直流電源正端)Vss：（20腳）接地端(直流電源負(fù)端)硬件設(shè)計(jì)時，為提高單片機(jī)抗干擾性能，應(yīng)在這兩腳之間加一0.01uF去耦電容。而且電源線要盡可能粗一些，如100mil(2.54mm)+5VGND0.01uF4020CPUXTAL1：（19腳）片內(nèi)振蕩電路輸入端XTAL2：（18腳）片內(nèi)振蕩電路輸出端內(nèi)時鐘方式：在XTAL1、XTAL2上外接定時元件，使其形成自激振蕩器。時鐘電路：內(nèi)時鐘方式(最常用的方式)外時鐘方式2、管腳的功能（2）時鐘定時元件采用由石英晶體和電容組成并聯(lián)諧振電路。晶體和電容盡

6、可能靠近單片機(jī)芯片。單片機(jī)XTAL1XTAL21918C1C2電容通常選擇為20~30PF左右振蕩頻率1.2MHz~12MHz晶振內(nèi)時鐘方式電路設(shè)計(jì)原理圖C1、C2取值對振蕩頻率輸出穩(wěn)定性、大小及振蕩電路的起振速度有一定的影響。時鐘電路設(shè)計(jì)應(yīng)注意問題：1、設(shè)計(jì)印制板時，晶體與電容盡可能與單片機(jī)芯片靠近，以減少寄生電容，保證振蕩器可靠工作。3、應(yīng)考慮系統(tǒng)功耗要求，時鐘頻率越低，功耗越小；2、盡可能用地線包圍振蕩電路，晶體外殼接地；4、選用瓷片電容；EA/VPPALEPSEN名稱功能片外取指信號（片外程序

7、存儲器讀）輸出端低電平有效。通過P0口讀回指令或常數(shù)?？刂频氖瞧獬绦虼鎯ζ鳎?）控制信號程序存儲器選擇信號EA=0時，選外部ROM；1，地址小于4k時，選內(nèi)部ROM地址大于4k時，選外部ROMP0口是數(shù)據(jù)/地址復(fù)用口不訪問片外存儲器時，以1/6時鐘頻率固定輸出正脈沖P0口輸出數(shù)據(jù)信息P0口輸出地址信息鎖存地址寄存器內(nèi)容寄存器內(nèi)容表2-2復(fù)位后內(nèi)部寄存器狀態(tài)PC0000HACC00HB00HPSW00HSP07HDPTR0000HP0~P30FFHIP×××00000BIE0××00000BTMOD0

8、0HTCON00HTH000HTL000HTH100HTL100HSCON00HSBUF不定PCON0××000B初始復(fù)位不影響片內(nèi)RAM狀態(tài)。復(fù)位信號，高電平復(fù)位CPU，低電平CPU工作RESET：803180518751VSSVCCRST409200.47μFR151kR251k+5V復(fù)位電路設(shè)計(jì)：手動復(fù)位KR上電自動復(fù)位KR高電平要保持10ms以上+5VRESET高電平有效二極管作用？簡單的上電復(fù)位電路：IMP813L(DIP/SO)1(MR):手