arm架構(gòu)的芯片memory及智能機存儲部件簡述.doc

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1、arm架構(gòu)的芯片memory及智能機存儲部件簡述　　一，存儲部件的分類　　1，RAM(RandomAccessMemory)-隨機存取存儲器　　RAM在任何時候都可以被讀寫，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)(內(nèi)存，掉電后RAM不能保留數(shù)據(jù)。RAM有SRAM、DRAM兩大類。　　SRAM(StaticRAM/SRAM)寫入的數(shù)據(jù)不會消失，直到下次寫入或掉電，是目前讀寫最快的存儲設(shè)備，價格昂貴，只用于要求苛刻的地方，如Cache?！　RAM(DynamicRAM/DRAM)保留數(shù)據(jù)時間短，速度比SRAM慢，但

2、快于其他任何ROM，比SRAM便宜很多，常用于計算機內(nèi)存。DRAM種類很多，常見的有FPRAM/FastPage、EDORAM、RDRAM、SGRAM、SDRAM、DDRRAM等?！　DRAM(SynchronousDRAM)同步動態(tài)隨機存儲器，是一種改善了結(jié)構(gòu)的增強型DRAM。SDRAM的接口相對復(fù)雜，需要相應(yīng)的控制器支持，但由于容量大、價格便宜、訪問速度快，所以常用在對內(nèi)存容量和處理速度要求高的應(yīng)用場合，在這種場合中，相應(yīng)的處理器(CPU)都自帶有SDRAM控制器。　　DDRRAM(Date-RateRAM)也稱作D

3、DRSDRAM，是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，但是它數(shù)據(jù)傳輸速率加倍了，一個時鐘內(nèi)可以進行兩次數(shù)據(jù)書讀寫?！　?，ROM(ReadOnlyMemory)--只讀存儲器　　ROM可在任何時候讀取，斷電后能保留數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)一但旦寫入只能用特殊方法更改或無法更改。因此ROM相當(dāng)于PC機上的硬盤，用來存儲和保存數(shù)據(jù)。嵌入式系統(tǒng)中ROM常用來存放可執(zhí)行文件映像。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM就不會。隨著ROM存儲介質(zhì)發(fā)展，應(yīng)用中經(jīng)常提到

4、的有ROM、PROM、EPROM、2PROM?！　OM:ReadOnlyMemory，只讀存儲器。ROM中內(nèi)容只能讀不能改，在工廠里通過特殊的方法將數(shù)據(jù)燒錄進去?！　ROM:ProgrammableROM，可編程ROM。可通過專用的編程器將數(shù)據(jù)寫入，但是只可寫一次，一旦寫入再無法修改?！　PROM：ErasableProgrammableROM，可擦除可編程ROM。芯片寫入要用專用的編程器，可重復(fù)擦除和寫入，擦除通過紫外線照射實現(xiàn)。　　EEPROM：ElectricallyErasableProgrammableRO

5、M，　　電可擦除可編程ROM。價格高，寫入慢。但其寫入、擦除不需借助其它設(shè)備，電子信號即可實現(xiàn)。用廠商提供的專用刷新程序并利用一定的編程電壓就可以輕而易舉地改寫內(nèi)容。手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄(通話記錄保存在EEPROM中)，因為當(dāng)時有很重要工作(通話)要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的?！　?，F(xiàn)LASH存儲器(閃存)　　FLASH結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦出可編程(EEPROM)的性能，斷電也不會丟失數(shù)據(jù)。同時

6、數(shù)據(jù)可以快速讀取，U盤和MP3以及現(xiàn)在的智能手機里用的就是這種存儲器。過去，嵌入式系統(tǒng)一直采用ROM(EPROM)作存儲設(shè)備，近年來Flash則將其全面代替，被用來存儲Bootloader、操作系統(tǒng)或者程序代碼。目前Flash主要有兩種：NORFlash和NandFlash。　　NORFlash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。NORFlash的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace)，用戶可以直接運行裝載在NORFLASH里面的代碼，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中

7、。NORFlash的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能，同時成本較高。　　NANDFlash沒有采取內(nèi)存的隨機讀取技術(shù)，它的讀取是以塊的形式來進行，通常一個塊大小為512個字節(jié)，NandFlash比較廉價，用戶不能直接運行NANDFlash上的代碼。應(yīng)用NAND的困難還在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口，它使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同?！　andFlash一般采用兩種不同的類型。一種叫做SLC(SingleLev

8、elCell)，單層單元閃存;第二種叫做MLC(MultiLevelCell)，多層單元閃存。兩者的主要區(qū)別是SLC每一個單元儲存一位數(shù)據(jù)，而MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。SLC成本較高，但性能優(yōu)、能耗低、重復(fù)擦寫次數(shù)多?！　∏度胧介_發(fā)中，因為NORFlash多用