DRAM廠商在制造工藝方面追趕三.doc

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1、DRAM廠商在制造工藝方面追趕三價(jià)格降到了極低水平，如果廠商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程，可能面臨重大虧損，三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)采用了上述制程?！　∪堑谌径炔捎?x/2x制程進(jìn)行的晶圓生產(chǎn)已占到29%，在所有主要DRAM廠商中處于最高水平。第三季度DRAM價(jià)格從一年多以前的6.50美元以上降到了1.60美元，如果廠商不趕緊轉(zhuǎn)向3x納米工藝，則在銷售2GBDDR3時(shí)可能遭受虧損。2GBDDR3是目前的主流DRAM類型。　　三星的韓國(guó)同業(yè)海力士半導(dǎo)體聲稱，其18%的DRAM生產(chǎn)也采用了同樣的3x/2x納米工藝。日本爾必達(dá)緊隨其后，該比例是16%。這些數(shù)字表明，其它廠商都在奮起

2、直追，盡管海力士和爾必達(dá)在轉(zhuǎn)向新制程方面尚未接近三星那樣的高效率。按營(yíng)業(yè)收入份額排名，海力士和爾必分別是第二及第三大DRAM廠商?！　D4所示為五大DRAM廠商的制程組合情況，有些廠商在采用新制程的步伐顯然非常落后，比如美國(guó)美光和臺(tái)灣南亞科技，二者采用3x/2x納米工藝的生產(chǎn)僅占1%?！　　　∪菍⒈３謽I(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位，到2012年底，它將把將近80%的晶圓生產(chǎn)轉(zhuǎn)向3x納米或者更先進(jìn)的制程。海力士想趕上來(lái)，但將落后一個(gè)季度。爾必達(dá)也努力快速追趕，盡管其25納米產(chǎn)品仍處于早期的驗(yàn)證階段?！　∧壳疤幱诼浜蟮匚坏拿拦夂湍蟻喛萍迹瑢⒃诿髂甑滓郧安粩嘧汾s。這兩家公司的主要產(chǎn)品目前都依賴仍然可行的42納米工

3、藝，該工藝的成本可行性可能只保持到今年，然后必須加快向3x納米的遷移速度，以保持競(jìng)爭(zhēng)力?！　∮捎谀壳癉RAM價(jià)格處于低位，力晶等業(yè)內(nèi)仍然在采用4x/5x納米工藝的其它廠商，收回現(xiàn)金成本的可能性將不斷下降。目前31納米2GbDDR3封裝裸片的單位現(xiàn)金成本是0.68美元，但48納米工藝就會(huì)上升到1.34美元。預(yù)計(jì)DRAM平均銷售價(jià)格會(huì)進(jìn)一步下滑，第四季度可能降到1.25美元，所以繼續(xù)采用4x納米工藝將面臨災(zāi)難。　　出路很明顯：如果想走在不斷下滑的價(jià)格前面，廠商必須迅速采取行動(dòng)并轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝。不幸的是，此舉也有副作用：隨著業(yè)內(nèi)廠商努力縮小制程，單位晶圓將生產(chǎn)出更多的DRAM，最終會(huì)進(jìn)一步打壓價(jià)

4、格。