三星聯(lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺(tái)積電 臺(tái)積電5nm工廠已經(jīng)啟動(dòng).doc

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1、三星聯(lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺(tái)積電臺(tái)積電5nm工廠已經(jīng)啟動(dòng)　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨（19）日發(fā)出邀請(qǐng)函，5納米新廠將在下周五（26日）動(dòng)土，董事長(zhǎng)張忠謀親自主持動(dòng)土典禮，未來(lái)將有三期廠房生產(chǎn)5納米制程產(chǎn)品，顯示看好產(chǎn)業(yè)需求。臺(tái)積電在日前法說(shuō)會(huì)中，不但第1季淡季效應(yīng)不顯著，還提前預(yù)告「第2季更好」，昨日股價(jià)應(yīng)聲大漲，市值沖破新臺(tái)幣6.6兆元，再寫(xiě)新高?！　∨_(tái)積電日前舉行法說(shuō)會(huì)，公布去年第4季和全年財(cái)報(bào)，雖然匯率波動(dòng)，但包括全年?duì)I收、稅后純益和每股純益等三項(xiàng)財(cái)務(wù)指標(biāo)都寫(xiě)下歷史新高紀(jì)錄，成為張忠謀今年6月最好的退休禮物?！　∨_(tái)積電第1季營(yíng)收季減幅度在一成以內(nèi)，張忠謀親自預(yù)告，第2季

2、將會(huì)強(qiáng)勁成長(zhǎng)。若以美元計(jì)價(jià)，2018年在高效能運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用電子等三大領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)下，全年業(yè)績(jī)至少成長(zhǎng)10%?！　堉抑\對(duì)前景看法樂(lè)觀，外資紛紛喊買(mǎi)，昨日收盤(pán)價(jià)大漲7元、收255.5元，刷新歷史新高價(jià)位，市值突破6.6兆元，同樣創(chuàng)新高?！　〕藸I(yíng)運(yùn)趨勢(shì)和股價(jià)表現(xiàn)亮眼，臺(tái)積電昨日發(fā)出邀請(qǐng)函，預(yù)定26日舉行晶圓18廠動(dòng)土典禮，當(dāng)天活動(dòng)將由張忠謀主持?！　∨_(tái)積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音于去年供應(yīng)鏈管理論壇就曾透露，5納米制程發(fā)展符合進(jìn)度，位于臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠將于今年動(dòng)土，將有三期廠房生產(chǎn)5納米，預(yù)計(jì)2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。　　5nm工廠是南科12寸超大型晶圓廠Fab14的延

3、伸，預(yù)計(jì)將興建第8期至第10期等共3個(gè)廠區(qū)，5nm合計(jì)月產(chǎn)能可望上看9～10萬(wàn)片?！　∨_(tái)積電5nm新廠今年9月動(dòng)土，占地超過(guò)40公頃，由于建廠及設(shè)備成本愈來(lái)愈高，5nm3個(gè)廠區(qū)的總投資金額將創(chuàng)下新高紀(jì)錄，設(shè)備業(yè)者推估應(yīng)達(dá)新臺(tái)幣2,000億元?！　〕?納米外，臺(tái)積電去年9月也宣布3納米相關(guān)計(jì)劃，3納米新廠同樣座落于南科，投資金額將超過(guò)200億美元?！　∨_(tái)積電出貨與產(chǎn)能目前都保持積極狀態(tài)，中國(guó)大陸南京廠提前于5月開(kāi)始出貨，位于臺(tái)灣的5納米廠將動(dòng)土，3納米新廠建廠計(jì)劃也加速進(jìn)行中，持續(xù)挑戰(zhàn)全球半導(dǎo)體業(yè)兩大霸主英特爾和三星?！　堉抑\也表示，5nm規(guī)劃使用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，以降

4、低制程復(fù)雜度。但根據(jù)IBS的估算,在5nm節(jié)點(diǎn),設(shè)計(jì)一款主流芯片的成本將高達(dá)4.76億美元水平,而7nm節(jié)點(diǎn)的成本僅3.492億,28nm則是0.629億?！　∪锹?lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺(tái)積電　　作為臺(tái)積電最有競(jìng)爭(zhēng)力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，三星聯(lián)手IBM打造5nm新工藝叫板臺(tái)積電。　　為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)壯舉，就必須在現(xiàn)有的芯片內(nèi)部構(gòu)架上進(jìn)行改變。研究團(tuán)隊(duì)將硅納米層進(jìn)行水平堆疊，而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架，這使得5nm晶體管的工藝有了實(shí)現(xiàn)可能，而這一工藝將有可能引爆未來(lái)芯片性能的進(jìn)一步高速發(fā)展?！　?shí)際上，從工藝架構(gòu)本身來(lái)說(shuō)，這種從垂直架構(gòu)到水平層疊的轉(zhuǎn)換相當(dāng)于在硅晶體管上打開(kāi)了第四

5、扇“門(mén)”，使得電信號(hào)能夠在芯片中通過(guò)不同的晶體管。而從尺寸上來(lái)說(shuō)，這些晶體管的寬度不大于兩三根并排在一起的DNA分子鏈。　　那到底能為我們的生活帶來(lái)怎樣的改變？根據(jù)IBM官方的說(shuō)法，比較直觀的描述是，當(dāng)我們?cè)陂喿x這篇文章時(shí)，假設(shè)正在使用的移動(dòng)設(shè)備只剩下10％的電量，但基于5納米制程技術(shù)的芯片將使得移動(dòng)設(shè)備在需要充電之前仍然可以使用數(shù)小時(shí)，而不是幾分鐘。未來(lái)配備此類新型芯片的移動(dòng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間將比現(xiàn)在要延長(zhǎng)數(shù)天。　　數(shù)十年來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)縮小電子元件的狂熱追求是有原因的。芯片上集成的電路越多，電子產(chǎn)品的速度越快、效率越高、成本越低。而著名的摩爾定律在1965年首次提出之時(shí)則認(rèn)為，芯片

6、上的晶體管數(shù)量每年翻一番，該預(yù)測(cè)在1975年被更改為每?jī)赡?。　　盡管半導(dǎo)體行業(yè)集成技術(shù)的發(fā)展速度越來(lái)越達(dá)不到摩爾定理的預(yù)期，但不管怎么說(shuō)，晶體管的尺寸還是在變得越來(lái)越小?！　　　D丨摩爾定律　　其實(shí)，半導(dǎo)體的縮小并不是什么高技術(shù)活兒。上一個(gè)主要突破就發(fā)生在2009年，研究者們發(fā)明了一種叫做FinFET的晶體管設(shè)計(jì)方式，而其第一次大規(guī)模制造則開(kāi)始于2012年——這給整個(gè)行業(yè)打了一劑強(qiáng)心針，為22納米這一尺寸上的處理器創(chuàng)造了可能。FinFET是晶體管行業(yè)的革命性突破——其關(guān)鍵在于，在三維結(jié)構(gòu)而非二維平面上控制電流的傳遞。　　IBM半導(dǎo)體研究小組副組長(zhǎng)MukeshKhare表示，“原則

7、上說(shuō)，F(xiàn)inFET的結(jié)構(gòu)就是一個(gè)簡(jiǎn)單的長(zhǎng)方形，其中的三條邊上各有一個(gè)小門(mén)”。如果把晶體管想象成一個(gè)開(kāi)關(guān)，不同的電壓就會(huì)控制這道門(mén)“開(kāi)啟”或“關(guān)閉”。在三個(gè)不同方向上加上門(mén)能夠最大化這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流量，并最小化電流的漏出，所以增加了整體的效率?！　〉谖迥旰?，這一技術(shù)也幾乎發(fā)展到了盡頭。對(duì)此，半導(dǎo)體制造公司VLSLResearch首席執(zhí)行官DanHutcheson表示，問(wèn)題在于FinFET就像一條流淌的小溪。FinFET在目前常見(jiàn)的10納米處理器上正常工作，在7納米上應(yīng)該也沒(méi)有問(wèn)題。