中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn).doc

中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn).doc

ID:27835017

大?。?017.00 KB

頁(yè)數(shù):4頁(yè)

時(shí)間:2018-12-06

中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn).doc_第1頁(yè)
中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn).doc_第2頁(yè)
中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn).doc_第3頁(yè)
中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn).doc_第4頁(yè)
資源描述:

《中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn).doc》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。

1、中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn)  中芯國(guó)際延攬前三星電子(SamsungElectronics)、臺(tái)積電技術(shù)高層梁孟松后,首次于線上法說(shuō)會(huì)中現(xiàn)“聲”說(shuō)法,他表示非常看好中芯在產(chǎn)業(yè)中的機(jī)會(huì)與位置,但也深具挑戰(zhàn);針對(duì)外界最關(guān)心的高階制程進(jìn)度,共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示,先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn),第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問(wèn)世,外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。  中芯國(guó)際15日的線上法說(shuō)中,仍是由趙海軍主持會(huì)議,梁孟松僅簡(jiǎn)短發(fā)言,代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”,也滿足外界的好奇心。同時(shí),趙海軍也指出,梁孟松是以共同

2、執(zhí)行長(zhǎng)的身分加入,因此不會(huì)只是負(fù)責(zé)技術(shù)而已,也會(huì)參與策略面?! ≈行緡?guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)表示,作為中國(guó)最重要的半導(dǎo)體公司之一,一直在思考如何提升公司競(jìng)爭(zhēng)力,這幾年來(lái)也持續(xù)聚焦、整合資源,更在今年10月建立了新的領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì),隨著梁孟松的加入,可加強(qiáng)中芯制定技術(shù)的能力,拉近與對(duì)手的技術(shù)差距,相信新團(tuán)隊(duì)會(huì)帶領(lǐng)公司到新高度,梁孟松也可用過(guò)去成功、卓越的半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn),讓中芯國(guó)際的未來(lái)更美好?!   ×好纤蓜t是表示,很榮幸接下此職務(wù),中芯在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中具有很好的位置與機(jī)會(huì),但也深具挑戰(zhàn),很高興與趙海軍和團(tuán)隊(duì)合作?! ♂槍?duì)外界詢問(wèn)梁孟松加入中芯國(guó)際的最大任務(wù),眾所皆知是高階制程技術(shù)的進(jìn)度。中芯表示,將在2

3、019年量產(chǎn)14納米FinFET制程技術(shù)。意即,梁孟松要用兩年的時(shí)間,幫中芯國(guó)際把14納米FinFET制程世代追上來(lái),業(yè)界認(rèn)為,很挑戰(zhàn),但不是不可能,因?yàn)橐呀?jīng)準(zhǔn)備很久了,很期待,也會(huì)持續(xù)關(guān)注?! ≡?8納米制程上,中芯也提出三階段的規(guī)劃藍(lán)圖。趙海軍指出,第一階段的polySion制程已經(jīng)量產(chǎn),第二階段是第一代的HKMG制程(中芯稱為HKC制程)已經(jīng)在今年第2季開(kāi)始產(chǎn)出,目標(biāo)是28納米突破10%營(yíng)收,而第三階段是第二代的HKC制程,預(yù)計(jì)在2018年底量產(chǎn)?! 〕讼冗M(jìn)制程的布局,隨著梁孟松的加入而大踩油門(mén)往前沖之外,中芯也表示,公司投入快閃存儲(chǔ)器NORFlash、微控制器(MCU)、傳

4、感器CMOSSensor、高壓(HV)等制程技術(shù)平臺(tái),這些都是用到既有成熟制程的fabfilter產(chǎn)品,且95%的機(jī)臺(tái)是相容于邏輯制程,可以根據(jù)客戶對(duì)于需求來(lái)規(guī)劃,做產(chǎn)能調(diào)配?! ≌雇磥?lái),中芯國(guó)際表示,這兩年是進(jìn)入了過(guò)渡期,為下一階段的成長(zhǎng)把技術(shù)和產(chǎn)能備妥,而短期方面,看好的成長(zhǎng)動(dòng)力包括28納米制程、快閃存儲(chǔ)器、指紋辨識(shí)芯片、電源管理芯片等,會(huì)持續(xù)將資源聚焦在關(guān)鍵的技術(shù)平臺(tái)?! ♂槍?duì)2017年第4季的營(yíng)運(yùn)展望,中芯國(guó)際指出,預(yù)計(jì)營(yíng)收成長(zhǎng)1~3%、毛利率18~20%?! ≡诘?季財(cái)報(bào)上,營(yíng)收為7.69億美元,較上季成長(zhǎng)2.5%,毛利率為23%,上季25.8%和去年同期30%減少,每股

5、凈利為0.01美元。在制程技術(shù)上,28納米制程營(yíng)收成長(zhǎng)38.9%,0.18微米制程成長(zhǎng)33.8%。

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁(yè),下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁(yè),下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學(xué)公式或PPT動(dòng)畫(huà)的文件,查看預(yù)覽時(shí)可能會(huì)顯示錯(cuò)亂或異常,文件下載后無(wú)此問(wèn)題,請(qǐng)放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫(kù)負(fù)責(zé)整理代發(fā)布。如果您對(duì)本文檔版權(quán)有爭(zhēng)議請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系客服。
3. 下載前請(qǐng)仔細(xì)閱讀文檔內(nèi)容,確認(rèn)文檔內(nèi)容符合您的需求后進(jìn)行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標(biāo)題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時(shí)可能由于網(wǎng)絡(luò)波動(dòng)等原因無(wú)法下載或下載錯(cuò)誤,付費(fèi)完成后未能成功下載的用戶請(qǐng)聯(lián)系客服處理。